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根據(jù)DigiTimes本月匯編的市場數(shù)據(jù)，2026年2月存儲器現(xiàn)貨價格普遍上漲，其中NAND閃存晶圓價格漲幅最為顯著。文章在報道具體價格上漲的同時警告稱，存儲器供需缺口的擴大正在推高現(xiàn)貨價格，并加劇采購資金壓力，如果這種情況持續(xù)下去，可能導(dǎo)致“行業(yè)周期崩潰”。

DDR5 16G (2Gx8) 芯片均價為 39 美元，環(huán)比上漲 7.4%；1Tb TLC 閃存晶圓價格飆升 25% 至 25 美元，創(chuàng)下單月最大漲幅。盡管 2 月中旬農(nóng)歷新年期間交易活動短暫放緩，現(xiàn)貨市場在假期過后迅速反彈，但上述漲幅依然出現(xiàn)。

DDR4 的表現(xiàn)喜憂參半，其中 16Gb (2Gx8) 型號基本持平，僅上漲 0.26% 至 78.10 美元，而 8Gb (1Gx8) 型號上漲 6.8% 至 33 美元。DDR3 4Gb (512Mx8) 芯片上漲 7.5% 至 5.70 美元。DDR4 漲幅放緩反映出與 1 月份 DRAM 產(chǎn)品 20-30% 的月度漲幅相比有所回落，不過市場分析機構(gòu) DigiTimes表示，這種回調(diào)“部分是季節(jié)性因素造成的，而非結(jié)構(gòu)性壓力緩解的跡象”。

2月份的現(xiàn)貨數(shù)據(jù)發(fā)布之際，市場對合約價格的預(yù)期大幅上調(diào)。TrendForce在2月初上調(diào)了其對2026年第一季度傳統(tǒng)DRAM合約價格的預(yù)測，將環(huán)比漲幅從之前的55-60%上調(diào)至90-95%。PC DRAM的合約價格預(yù)計將環(huán)比翻番以上，TrendForce稱之為新的季度紀錄。與此同時，NAND閃存合約價格預(yù)計也將環(huán)比上漲55-60%，同樣高于此前33-38%的預(yù)期。

我們現(xiàn)在都清楚，正是人工智能基礎(chǔ)設(shè)施推動了這些增長，它們持續(xù)將內(nèi)存容量拉向服務(wù)器DRAM和高帶寬內(nèi)存，導(dǎo)致傳統(tǒng)DRAM和消費級NAND閃存供應(yīng)不足。北美云服務(wù)提供商自2025年底以來一直在提前下單，鎖定配額，并將其他買家的優(yōu)先級降低。TrendForce指出，即使是那些擁有供應(yīng)商配額的一級PC OEM廠商，其庫存水平也出現(xiàn)了下降。

在NAND閃存方面，2月份現(xiàn)貨價格的飆升延續(xù)了一個令人擔憂的長期趨勢。據(jù)DigiTimes援引ChinaFlashMarket的數(shù)據(jù)報道，自2025年10月以來，1Tb QLC/TLC閃存晶圓的價格已上漲近三倍，而同期512Gb TLC的價格更是上漲了近五倍。這是因為供應(yīng)商已將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向利潤更高的企業(yè)級固態(tài)硬盤（SSD），從而限制了模塊制造商的晶圓供應(yīng)，并持續(xù)推高整個品類的價格。

引發(fā)行業(yè)周期不穩(wěn)定

全球存儲器市場面臨日益擴大的供需缺口，制造商憑借強大的定價權(quán)限制現(xiàn)貨市場供應(yīng)，導(dǎo)致現(xiàn)貨價格快速上漲，加劇了整個供應(yīng)鏈的采購資金壓力。業(yè)內(nèi)人士警告稱，如果現(xiàn)貨價格繼續(xù)快速攀升，現(xiàn)貨價格與合約價格之間的差距可能會加速行業(yè)周期崩潰的風(fēng)險。

業(yè)內(nèi)人士預(yù)計合約價格將逐步向現(xiàn)貨價格靠攏，但目前的市場動態(tài)造成了一種被一些人稱為“可怕的平衡”的局面：現(xiàn)貨價格高企，而合約價格卻緩慢上漲。這種脫節(jié)迫使買家在追逐波動劇烈的現(xiàn)貨機會和放棄那些日后無法以更低成本再次購入的商品之間做出選擇，這使得庫存和現(xiàn)金管理決策變得更加復(fù)雜。

消息人士稱，DRAM 和 NAND 的采購成本均已成倍增長，但一些現(xiàn)貨市場的拋售可能反映的是企業(yè)急需現(xiàn)金，而非終端需求的崩潰。企業(yè)在現(xiàn)貨市場拋售產(chǎn)品會增加短期流動性風(fēng)險，導(dǎo)致未來補貨成本上升，毛利率下降，并削弱其與上游供應(yīng)商的談判地位。

群聯(lián)電子近期推出了一項客戶預(yù)付款系統(tǒng)，業(yè)內(nèi)人士認為此舉反映了采購成本的飆升。隨著單價的成倍增長，所需的預(yù)付款也相應(yīng)增加，導(dǎo)致短期運營資金大幅上漲。據(jù)報道，群聯(lián)電子正利用優(yōu)惠的融資條款從供應(yīng)商處獲得額外的產(chǎn)能，同時為部分客戶提供更優(yōu)惠的付款條件，這一策略既緩解了自身的財務(wù)壓力，又增強了其在賣方市場中的議價能力。其他內(nèi)存模塊制造商則保持謹慎，擔心客戶會對更嚴格的付款要求產(chǎn)生抵觸情緒。

2026年2月，受農(nóng)歷新年影響，現(xiàn)貨價格漲幅明顯放緩。節(jié)后資金回流，交易降溫，DDR4和DDR5芯片價格較1月份DDR產(chǎn)品20-30%的月度漲幅有所回落。節(jié)后，現(xiàn)貨市場活動有所回升，但不斷上漲的采購成本仍然給資金管理帶來挑戰(zhàn)。

據(jù)市場人士透露，過去一個月，截至2026年2月底，DDR5 16G (2Gx8) 內(nèi)存的平均價格上漲了約7.4%，達到約39美元。人工智能工作負載對DDR5內(nèi)存的需求持續(xù)高漲，價格一度短暫突破50美元，但整體漲勢已有所放緩。自1月底以來，DDR4 16Gb (2Gx8) 內(nèi)存的價格基本持平或略有下降，而DDR4 8Gb和DDR3 4Gb內(nèi)存的月度漲幅則從超過30%降至約6-7%。

由于晶圓供應(yīng)有限，NAND閃存現(xiàn)貨價格持續(xù)上漲。1Tb TLC芯片的NAND晶圓價格從1月份的約20美元攀升至約25美元。ChinaFlashMarket的數(shù)據(jù)顯示，與2025年10月相比，1Tb QLC/TLC的價格大約翻了三倍，接近每GB 0.20美元；而512Gb TLC的價格則飆升了近五倍，超過每GB 0.30美元。

業(yè)內(nèi)專家認為，NAND閃存價格的大幅上漲可能已進入后期階段，但漲勢仍在持續(xù)。合約價格在三個月內(nèi)至少上漲了30%，且各廠商交貨時間不一致，導(dǎo)致買家在決定是追逐現(xiàn)貨價格還是暫停采購時面臨更大的風(fēng)險。

市場參與者將當前市場描述為賣方市場，零售份額正在萎縮。云應(yīng)用的日益普及降低了終端用戶存儲的重要性，削弱了消費者市場消化更高內(nèi)存價格的能力。內(nèi)存供應(yīng)商的客戶群可能會隨著系統(tǒng)成本轉(zhuǎn)嫁能力的變化而發(fā)生變化，隨著行業(yè)調(diào)整以適應(yīng)持續(xù)上漲的組件成本，價格敏感型應(yīng)用將逐漸被淘汰。

（來源：綜合自digitimes）

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