核心觀點(diǎn)：

• 存儲(chǔ)芯片是芯片行業(yè)的第二大產(chǎn)業(yè)，僅次于CPU、GPU等邏輯芯片。本輪存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的熱潮，源于全球范圍內(nèi)供需關(guān)系的深刻調(diào)整。需求端方面，人工智能基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)的激增，導(dǎo)致對(duì)高端內(nèi)存的需求前所未有，供給端方面，美光科技等國(guó)際大廠已預(yù)警短缺狀態(tài)將持續(xù)。
  
• 存儲(chǔ)芯片一般3-4年為一個(gè)周期，得益于上游SK海力士、三星等存儲(chǔ)晶圓原廠主動(dòng)控制產(chǎn)出，存儲(chǔ)芯片價(jià)格從2023年下半年開始反轉(zhuǎn)，進(jìn)入第五個(gè)上行周期。2023年美光率先削減30%產(chǎn)能，為目前新一輪周期起點(diǎn)。
  
• 價(jià)格方面，我們預(yù)計(jì)將會(huì)持續(xù)，漲勢(shì)至少會(huì)延續(xù)到2026年下半年。存儲(chǔ)芯片價(jià)格自2025年9月以來(lái)持續(xù)上漲，其中DDR5內(nèi)存顆?，F(xiàn)貨價(jià)格漲幅已超過(guò)300%。256GBDDR5服務(wù)器內(nèi)存的單條價(jià)格突破4萬(wàn)元。我們預(yù)計(jì)2026年一季度存儲(chǔ)芯片價(jià)格將上升40%~50%，二季度預(yù)計(jì)還將再上漲約20%。
  

（1）行業(yè)定義及發(fā)展歷程

1）定義及介紹

存儲(chǔ)芯片也叫半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，其存儲(chǔ)與讀取過(guò)程體現(xiàn)為電子的存儲(chǔ)或釋放，直接決定了數(shù)據(jù)洪流的承載與處理能力，其容量與速度，直接決定了數(shù)據(jù)洪流的承載與處理能力。存儲(chǔ)芯片分成易失性和非易失性兩種：

• 易失性存儲(chǔ)：就像電腦的內(nèi)存（如SRAM、DRAM），數(shù)據(jù)會(huì)受到斷電的影響；

• 非易失性存儲(chǔ)：比如PROM、Flash存儲(chǔ)器、EPROM/EEPROM這些，哪怕斷電，數(shù)據(jù)也能存著?，F(xiàn)在市場(chǎng)上主流的是Flash和DRAM這兩種存儲(chǔ)器，兩者加起來(lái)能占差不多99%的市場(chǎng)份額。

圖表1：易失性存儲(chǔ)與非易失性存儲(chǔ)對(duì)比圖

來(lái)源：融中咨詢

專用型存儲(chǔ)芯片通常有特定的應(yīng)用需求，或是在特定的市場(chǎng)細(xì)分中有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。當(dāng)前應(yīng)用較為廣泛的品類主要包括NOR Flash、NAND Flash、DRAM。

DRAM又細(xì)分為標(biāo)準(zhǔn)型DRAM、移動(dòng)型DRAM、繪圖型DRAM、利基型DRAM等類別。標(biāo)準(zhǔn)DRAM主要應(yīng)用于PC、服務(wù)器等；移動(dòng)型DRAM主要為L(zhǎng)PDDR，應(yīng)用于智能手機(jī)、平板電腦等場(chǎng)景；繪圖型DRAM用于顯卡的顯存（GDDR）;利基型DRAM，主要應(yīng)用于液晶電視、數(shù)字機(jī)頂盒、網(wǎng)絡(luò)播放器等產(chǎn)品。

國(guó)內(nèi)在DRAM領(lǐng)域比較有代表性的企業(yè)是合肥長(zhǎng)鑫、福建晉華、紫光國(guó)芯、兆易創(chuàng)新、北京矽成、東芯半導(dǎo)體、南亞科技（中國(guó)臺(tái)灣）、華邦電子（中國(guó)臺(tái)灣）、力積電（中國(guó)臺(tái)灣）等。

2）特點(diǎn)

存儲(chǔ)芯片的行業(yè)周期性非常明顯，受國(guó)際壟斷大廠的政策和供需變化影響較大大，主要原因之一是存儲(chǔ)器技術(shù)壁壘高、研發(fā)周期長(zhǎng)、國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)激烈，使得這一領(lǐng)域的創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)難度較大。

成本占比方面，以手機(jī)為例，存儲(chǔ)芯片成本端占比不同。

• 低端入門機(jī)（千元以下）：內(nèi)存成本占比相對(duì)較高，可能在10%-15% 甚至更高。因?yàn)槭謾C(jī)整體物料成本低，處理器、屏幕、相機(jī)等部件都相對(duì)廉價(jià)，使得內(nèi)存成本顯得突出。

• 中高端機(jī)（2000-5000元）：內(nèi)存成本占比適中，通常在8%-12%左右。手機(jī)的處理器（SoC）、高端屏幕、相機(jī)模組成本大幅上升，稀釋了內(nèi)存的占比。

• 頂級(jí)旗艦機(jī)（5000元以上）：內(nèi)存成本占比最低，可能僅占5%-8%。因?yàn)槌隧敿?jí)的SoC、屏幕、相機(jī)外，還會(huì)在精密結(jié)構(gòu)、特殊材質(zhì)、散熱等方面投入高昂成本。

3）技術(shù)方案

DRAM和NAND為兩種不同的技術(shù)方案。DRAM的需求更集中、更具周期性，NAND Flash的需求更分散、場(chǎng)景更多元。

圖表2：DRAM與NAND Flash的對(duì)比

來(lái)源：融中咨詢

在產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)方面，行業(yè)一般采用由固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)（JEDEC）制定的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)，也就是大家熟悉的DDR1-DDR5。DRAM三巨頭，都具備了DDR5/LPDDR5的量產(chǎn)能力。

圖表3：DDR1-DDR5主要指標(biāo)比較

來(lái)源：融中咨詢

在本輪存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)周期中，不同產(chǎn)品品類的技術(shù)軌跡和市場(chǎng)地位呈現(xiàn)出顯著分化，HBM（高帶寬內(nèi)存）憑借其顛覆性架構(gòu)成為金字塔頂端的明星產(chǎn)品。作為GPU和AI加速卡的“標(biāo)配”內(nèi)存，HBM通過(guò)2.5D/3D堆疊和硅通孔（TSV）技術(shù)實(shí)現(xiàn)了帶寬的飛躍，其核心價(jià)值在于有效破解了制約算力性能的“內(nèi)存墻”難題。當(dāng)前行業(yè)正處在從HBM3e向HBM4過(guò)渡的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)，技術(shù)迭代速度不斷加快。

圖表4：不同芯片技術(shù)代際對(duì)比

來(lái)源：市場(chǎng)公開資料，融中研究

4）發(fā)展歷程

存儲(chǔ)技術(shù)從磁芯到半導(dǎo)體存儲(chǔ)（DRAM、閃存）的演進(jìn)，推動(dòng)了信息技術(shù)的飛躍；市場(chǎng)重心先后從日本轉(zhuǎn)移至韓國(guó)，并正在向中國(guó)擴(kuò)散，形成全球化競(jìng)爭(zhēng)與創(chuàng)新格局。

圖表5：芯片產(chǎn)品的變化歷史

來(lái)源：融中咨詢

（2）行業(yè)現(xiàn)狀分析

1）行業(yè)政策趨勢(shì)

存儲(chǔ)芯片作為信息存儲(chǔ)的載體，其穩(wěn)定性與安全性對(duì)國(guó)家的信息安全有著舉足輕重的意義，因而國(guó)家政策大力支持存儲(chǔ)芯片行業(yè)發(fā)展。如《信息化標(biāo)準(zhǔn)建設(shè)行動(dòng)計(jì)劃（2024—2027年）》《關(guān)于推動(dòng)未來(lái)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的實(shí)施意見》等產(chǎn)業(yè)政策的支持促進(jìn)了存儲(chǔ)芯片行業(yè)的發(fā)展、增強(qiáng)了企業(yè)的自主研發(fā)能力、提高了國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片企業(yè)的整體競(jìng)爭(zhēng)力。

圖表6：存儲(chǔ)芯片相關(guān)政策

來(lái)源：融中咨詢

2）行業(yè)規(guī)模

在集成電路市場(chǎng)，存儲(chǔ)芯片與邏輯芯片貢獻(xiàn)了最大價(jià)值量。根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織（WSTS）的統(tǒng)計(jì)，2024年，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)銷售額約6305.49億美元，其中，邏輯電路銷售額約為2157.68億美元，存儲(chǔ)芯片銷售額約為1655.16億美元。

AI有效帶動(dòng)存儲(chǔ)芯片尤其是DRAM/HBM的增長(zhǎng)。根據(jù)《Memory Market overview 2025 Update》，2024年全球存儲(chǔ)市場(chǎng)約1700億美元，DRAM約970億美元，其中HBM174億美元，在AI的帶動(dòng)下HBM到2030年將增長(zhǎng)至到980億美元，CAGR約33%。

圖表7：存儲(chǔ)芯片細(xì)分市場(chǎng)占比

來(lái)源：融中咨詢

DRAM方面，預(yù)計(jì)供應(yīng)短缺將持續(xù)到2027年第一季度，其中DDR需求增長(zhǎng)20.7%，遠(yuǎn)超供應(yīng)增長(zhǎng)。NAND短缺情況預(yù)計(jì)延續(xù)至2026年第三季度。根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)，2026年DRAM位增長(zhǎng)率或達(dá)26%，NAND位增長(zhǎng)率或達(dá)21%，較2025年(22%/15%)呈現(xiàn)加速態(tài)勢(shì)，主要受AI服務(wù)器、HBM滲透率提升及數(shù)據(jù)中心擴(kuò)建等因素驅(qū)動(dòng)。

（3）產(chǎn)業(yè)鏈分析

1）相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈

圖表8：存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)鏈上下游

來(lái)源：公開資料，融中咨詢

產(chǎn)業(yè)鏈方面，存儲(chǔ)芯片的上游主要為芯片設(shè)計(jì)與制造提供支撐的產(chǎn)業(yè)，包括設(shè)計(jì)工具（如EDA）、半導(dǎo)體IP、制造與封測(cè)所需的材料和設(shè)備。中游涵蓋芯片的設(shè)計(jì)、制造與封測(cè)環(huán)節(jié)，分為外資與本土企業(yè)。外資代表有韓國(guó)三星、SK海力士，美國(guó)英特爾、美光、西部數(shù)據(jù)等；本土企業(yè)則包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)、兆易創(chuàng)新、君正，以及封測(cè)領(lǐng)域的佰維存儲(chǔ)等。下游是存儲(chǔ)芯片的主要應(yīng)用場(chǎng)景，涵蓋通信設(shè)備、汽車電子、消費(fèi)電子和計(jì)算機(jī)等領(lǐng)域。相關(guān)企業(yè)包括通信領(lǐng)域的中國(guó)電信、TP-LINK，汽車領(lǐng)域的蔚來(lái)，消費(fèi)電子領(lǐng)域的小米，以及計(jì)算機(jī)領(lǐng)域的華為和微軟等。

中國(guó)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)在政策支持和市場(chǎng)需求推動(dòng)下快速發(fā)展。長(zhǎng)江存儲(chǔ)率先推出128層3D NAND Flash產(chǎn)品，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在DRAM領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)突破，逐步縮小與國(guó)際領(lǐng)先企業(yè)的差距。在存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)，兆易創(chuàng)新在全球NORFlash市場(chǎng)位居前三，北京君正在汽車電子存儲(chǔ)領(lǐng)域形成特色，紫光國(guó)芯專注DRAM技術(shù)，這些企業(yè)共同推動(dòng)國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片生態(tài)完善。

對(duì)于國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)替代的優(yōu)勢(shì)，當(dāng)前最核心的優(yōu)勢(shì)有兩點(diǎn)，一是成熟制程的產(chǎn)能與成本勢(shì)，國(guó)際巨頭退出低端成熟市場(chǎng)后，國(guó)內(nèi)企業(yè)憑借量產(chǎn)穩(wěn)定性和性價(jià)比快速補(bǔ)位，在消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)、低端工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)領(lǐng)域形成份額壁壘，且能依托本土下游電子產(chǎn)業(yè)鏈實(shí)現(xiàn)供需聯(lián)動(dòng)；二是政策與市場(chǎng)雙輪驅(qū)動(dòng)，國(guó)內(nèi)算力基建、終端制造帶來(lái)本土剛需市場(chǎng)，疊加半導(dǎo)體配套政策扶持，為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)提供了業(yè)績(jī)緩沖和技術(shù)迭代的窗口期。

2）相關(guān)公司

市場(chǎng)份額方面，存儲(chǔ)芯片一直被韓國(guó)的三星、海力士，還有美國(guó)的美光壟斷，市場(chǎng)份額占據(jù)全球95%以上。國(guó)內(nèi)行業(yè)當(dāng)前最核心的優(yōu)勢(shì)是結(jié)構(gòu)性市場(chǎng)卡位與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同能力，國(guó)內(nèi)頭部企業(yè)突破了先進(jìn)的3D和DDR5技術(shù)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)被海外企業(yè)高度壟斷。DRAM作為存儲(chǔ)器第一大產(chǎn)品，三星、海力士、美光壟斷了全球96.5%的市場(chǎng)份額，行業(yè)集中度高，寡頭明顯；NAND領(lǐng)域，競(jìng)爭(zhēng)格局相對(duì)DRAM領(lǐng)域較分散，三星、鎧俠、SK海力士、西部數(shù)據(jù)、美光合計(jì)占據(jù)95.5%的市場(chǎng)份額。我國(guó)雖然是全球最主要的存儲(chǔ)芯片消費(fèi)市場(chǎng)，但由于產(chǎn)業(yè)起步較晚，市場(chǎng)占有率仍相對(duì)較低。

供給端，AI驅(qū)動(dòng)的高端存儲(chǔ)需求爆發(fā)，使三星、SK海力士、美光三大巨頭加速將晶圓產(chǎn)能向HBM、DDR5等高附加值產(chǎn)品傾斜，同時(shí)大幅壓縮成熟制程比重。美光的動(dòng)作最為徹底，此前宣布退出消費(fèi)存儲(chǔ)品牌英睿達(dá)（Crucial）業(yè)務(wù)，徹底剝離消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品線。AI等細(xì)分市場(chǎng)方面，盡管美光與同業(yè)正竭盡全力服務(wù)各個(gè)細(xì)分市場(chǎng)，但目前供應(yīng)量仍遠(yuǎn)遠(yuǎn)不足。

圖表9：2025-2026年全球存儲(chǔ)芯片資本支出預(yù)測(cè)單位：億美元

數(shù)據(jù)來(lái)源：融中咨詢

產(chǎn)能周期方面，存儲(chǔ)芯片從產(chǎn)能規(guī)劃到量產(chǎn)需要2-3年周期，頭部廠商2025年資本開支保持審慎，三星P4L廠、SK海力士M15X工廠等新增產(chǎn)能釋放緩慢，進(jìn)一步加劇了供需失衡。Trend Force預(yù)計(jì)2026年DRAM資本開支同比或增長(zhǎng)23%，顯著高于歷史平均水平，反映存儲(chǔ)廠商在技術(shù)升級(jí)(HBM、DDR5)和產(chǎn)能擴(kuò)張方面的積極布局，存儲(chǔ)周期下的供需共振格局進(jìn)一步確立。

• 美光：專注DRAM、NAND和NOR閃存技術(shù)，產(chǎn)品覆蓋計(jì)算機(jī)、移動(dòng)設(shè)備、汽車、工業(yè)領(lǐng)域。技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)能擴(kuò)張并重。美光在技術(shù)創(chuàng)新方面投入巨大，2025年資本支出占營(yíng)收30%，主要用于DRAM/HBM產(chǎn)能擴(kuò)張。公司計(jì)劃2027年在新加坡和美國(guó)新博伊西建設(shè)Fab，同時(shí)在紐約州雪城附近的Mega工廠規(guī)劃未來(lái)20年的HBM產(chǎn)線。財(cái)務(wù)方面，美光2026財(cái)年第一季度毛利率為56.8%，環(huán)比提高11個(gè)百分點(diǎn)。戰(zhàn)略方面，美光將新工廠產(chǎn)品明確鎖定在AI專用的HBM芯片上，顯示出它正將未來(lái)增長(zhǎng)重心押注于人工智能這一高增長(zhǎng)賽道。

• 三星：全面領(lǐng)先戰(zhàn)略。三星在DRAM和NAND兩個(gè)領(lǐng)域都保持領(lǐng)先地位，通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)能優(yōu)勢(shì)鞏固市場(chǎng)地位。在DRAM領(lǐng)域，三星2025年下半年量產(chǎn)HBM4，采用4nm邏輯工藝與10nmDRAM制程，目標(biāo)良率突破80%。在NAND領(lǐng)域，三星V10NAND將實(shí)現(xiàn)420-430層堆疊，并計(jì)劃到2030年實(shí)現(xiàn)1000層NAND。

• 海力士：聚焦高端產(chǎn)品。SK海力士將戰(zhàn)略重點(diǎn)放在HBM和高端DRAM產(chǎn)品上，2025年全年HBM產(chǎn)能較2024年翻倍。公司正在推進(jìn)第5代1b DRAM的產(chǎn)能提升，計(jì)劃將月產(chǎn)能從年初的1萬(wàn)片提升至年底的9萬(wàn)片，2026年上半年進(jìn)一步提升至14-15萬(wàn)片。在NAND領(lǐng)域，SK海力士計(jì)劃將部分產(chǎn)能轉(zhuǎn)用于生產(chǎn)HBM，321層QLC量產(chǎn)領(lǐng)先其他家，體現(xiàn)了向高價(jià)值產(chǎn)品傾斜的戰(zhàn)略。

• 鎧俠/西部數(shù)據(jù)：整合尋求突破。鎧俠與西部數(shù)據(jù)的合并談判仍在進(jìn)行中，這一整合將創(chuàng)造一個(gè)在NAND和HDD領(lǐng)域都具有強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)力的存儲(chǔ)巨頭。合并后的公司將在技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)能規(guī)劃、市場(chǎng)拓展等方面實(shí)現(xiàn)協(xié)同效應(yīng)，有望挑戰(zhàn)三星的市場(chǎng)地位。

• 長(zhǎng)江存儲(chǔ)：成立于2016年。其突圍的關(guān)鍵在于核心技術(shù)——晶棧?Xtacking?架構(gòu)。在該架構(gòu)推出前，市場(chǎng)上的3D NAND主要分為傳統(tǒng)并列式架構(gòu)和CuA（CMOS under Array）架構(gòu)。通過(guò)創(chuàng)新布局和縝密驗(yàn)證，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將晶圓鍵合這一關(guān)鍵技術(shù)在3D NAND閃存上得以實(shí)現(xiàn)。

• 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)：國(guó)內(nèi)DRAM存儲(chǔ)芯片的龍頭企業(yè)。他們的DRAM技術(shù)主要來(lái)自于已破產(chǎn)的德系DRAM廠商奇夢(mèng)達(dá)，以及日系廠商爾必達(dá)，公司成立于2016年，作為國(guó)產(chǎn)DRAM存儲(chǔ)芯片企業(yè)，其產(chǎn)品應(yīng)用于智能手機(jī)、PC等場(chǎng)景，主攻DRAM領(lǐng)域。2019年，其量產(chǎn)第一代19nm工藝DDR4芯片，標(biāo)志著中國(guó)自主研發(fā)的DRAM技術(shù)取得從"0"到"1"的突破。此后，長(zhǎng)鑫穩(wěn)步推進(jìn)技術(shù)迭代，逐步構(gòu)建起覆蓋DDR4、LPDDR4X、DDR5、LPDDR5X的產(chǎn)品矩陣。長(zhǎng)鑫科技IPO意義重大，不僅是中國(guó)芯片最大IPO，更是國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片打破國(guó)際壟斷的里程碑，預(yù)計(jì)2026年3-5月上市，有望沖擊萬(wàn)億市值。

（4）應(yīng)用場(chǎng)景

圖表10：各細(xì)分市場(chǎng)存儲(chǔ)芯片需求增長(zhǎng)預(yù)測(cè)（2026年）

來(lái)源：融中咨詢

存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈下游為應(yīng)用方向，包括消費(fèi)電子、汽車電子、信息通信、人工智能等應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)的企業(yè)，各類電子化和智能化設(shè)備都離不開存儲(chǔ)芯片應(yīng)用。很長(zhǎng)時(shí)期以來(lái)，存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展一直由美、日、韓三國(guó)主導(dǎo)，目前處于國(guó)產(chǎn)替代的階段。

需求方面，AI產(chǎn)業(yè)的發(fā)展拉動(dòng)了整體的需求。過(guò)去，數(shù)據(jù)中心在內(nèi)存潛在市場(chǎng)(TAM)的占比約為30%至35%，但如今已躍升至50%甚至60%，且整個(gè)市場(chǎng)對(duì)比特?cái)?shù)(Bit)的需求遠(yuǎn)超以往。此外，企業(yè)客戶——AI云廠商亞馬遜、Alphabet、Meta和微軟等等砸重金擴(kuò)建AI基礎(chǔ)設(shè)施，預(yù)計(jì)在2025年合計(jì)資本支出將超過(guò)3600億美元。根據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)Counterpoint Research，2026年全球生產(chǎn)的內(nèi)存中高達(dá)70%將被數(shù)據(jù)中心消耗。

• 技術(shù)創(chuàng)新與自主研發(fā)能力持續(xù)突破

中國(guó)存儲(chǔ)芯片企業(yè)加速向技術(shù)迭代，持續(xù)提升自主研發(fā)能力。隨著研發(fā)積累的不斷深厚和高端人才的集聚，本土企業(yè)將逐步掌握更多關(guān)鍵核心技術(shù)，具備從設(shè)計(jì)到制造的全鏈條創(chuàng)新能力。這不僅將推動(dòng)國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片在性能、功耗和可靠性上與國(guó)際主流水平看齊，更將在部分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)領(lǐng)先，從根本上提升中國(guó)在全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈中的話語(yǔ)權(quán)與核心競(jìng)爭(zhēng)力。

• 中國(guó)企業(yè)加速國(guó)際化布局

隨著產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力的穩(wěn)步提升，中國(guó)存儲(chǔ)芯片企業(yè)將加速?gòu)漠a(chǎn)品出海向品牌出海和技術(shù)出海轉(zhuǎn)變。通過(guò)在海外設(shè)立研發(fā)中心、參與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)制定以及與全球頂尖平臺(tái)開展聯(lián)合創(chuàng)新，中國(guó)企業(yè)將更深入地融入全球半導(dǎo)體生態(tài)。國(guó)際化布局不僅為企業(yè)打開了更廣闊的市場(chǎng)空間，也將在技術(shù)交流與產(chǎn)業(yè)協(xié)作中推動(dòng)全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的共同進(jìn)步。

• 供需緊張狀態(tài)仍將持續(xù)

從2023年下半年至今全球存儲(chǔ)芯片價(jià)格持續(xù)攀升，尤其2025年以來(lái)，閃迪、美光、三星、SK海力士等國(guó)外大廠多數(shù)已經(jīng)上調(diào)產(chǎn)品價(jià)格，主要原因是全球存儲(chǔ)芯片需求不斷上漲所致。全球半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織發(fā)布的預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)顯示，2025年全球存儲(chǔ)芯片銷售額將達(dá)到1848.41億美元，同比增長(zhǎng)11.68%。2026年銷售額將達(dá)到2148.26億美元，同比增長(zhǎng)16.22%。

存儲(chǔ)芯片行業(yè)挑戰(zhàn)方面，“卡脖子”難題集中在三方面：1）高端制程核心技術(shù)，3D NAND的高堆疊層數(shù)、DDR5高頻低功耗等核心指標(biāo)，中國(guó)企業(yè)與國(guó)際巨頭仍有代差；2）供應(yīng)鏈配套，存儲(chǔ)芯片所需的高端光刻膠、特種氣體、核心設(shè)備零部件依賴進(jìn)口，供應(yīng)鏈安全存在隱患；3）生態(tài)認(rèn)證壁壘，高端服務(wù)器、車規(guī)級(jí)存儲(chǔ)的行業(yè)認(rèn)證周期長(zhǎng)，國(guó)產(chǎn)產(chǎn)品短期難進(jìn)入國(guó)際頭部廠商供應(yīng)鏈體系。

此外，存儲(chǔ)芯片漲價(jià)可能抑制相關(guān)產(chǎn)品的需求。尤其對(duì)于千元左右的中低端手機(jī)來(lái)說(shuō)，內(nèi)存條的漲價(jià)無(wú)疑進(jìn)一步擠占了利潤(rùn)空間。多家手機(jī)廠商下調(diào)全年整機(jī)訂單數(shù)量，各家下調(diào)機(jī)型主要都側(cè)重在中低端和海外產(chǎn)品。存儲(chǔ)芯片供需錯(cuò)配可能持續(xù)較長(zhǎng)時(shí)間，市場(chǎng)已從買方市場(chǎng)轉(zhuǎn)向賣方市場(chǎng)，定價(jià)權(quán)進(jìn)一步向掌握先進(jìn)技術(shù)的頭部廠商集中。美光科技2026年全年HBM的供應(yīng)量已全部售罄；SK海力士也稱2026年全系列存儲(chǔ)訂單已售罄，漲價(jià)趨勢(shì)可能延續(xù)至2026年。一方面，HBM與DDR5的產(chǎn)能置換比例為3：1，且未來(lái)幾代HBM的這一置換比例還將進(jìn)一步提高，這意味著每增加一單位HBM產(chǎn)能，就會(huì)減少3單位傳統(tǒng)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能。另一方面，全球潔凈室建設(shè)周期長(zhǎng)達(dá)2-3年，而核心工程師培養(yǎng)也需要相似時(shí)間，供給端難以快速響應(yīng)需求變化。