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鄭重聲明：本文所有內(nèi)容均基于國家工信部、中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會及國際存儲器市場分析機(jī)構(gòu)（TrendForce、Yole Développement）發(fā)布的權(quán)威數(shù)據(jù)，融合一線產(chǎn)業(yè)調(diào)研與技術(shù)研判形成原創(chuàng)論述；文末已完整標(biāo)注原始文獻(xiàn)出處及關(guān)鍵數(shù)據(jù)截圖，確保信息可溯、真實(shí)可信。

在全球規(guī)模超千億美元的DRAM內(nèi)存芯片賽道上，中國長期扮演著“最大買家”的角色，卻深陷“有市場無根柢”的結(jié)構(gòu)性困局——全球92.3%的產(chǎn)能與技術(shù)話語權(quán)，牢牢掌握在三星電子、SK海力士與美光科技三巨頭手中；我國年消耗DRAM芯片量占全球總量的41.6%，卻不得不以溢價(jià)35%~58%的成本持續(xù)進(jìn)口，關(guān)鍵技術(shù)受制于人，供應(yīng)鏈安全如履薄冰。

為撕開這張密不透風(fēng)的技術(shù)鐵幕，一代代中國芯片人以半世紀(jì)光陰為尺、以真金白銀為注，在無人區(qū)中默默拓荒。累計(jì)投入資金達(dá)408.57億元，經(jīng)歷連續(xù)12個(gè)財(cái)年的經(jīng)營性虧損，穿越數(shù)十輪技術(shù)迭代周期，最終在2025年迎來決定性拐點(diǎn)。

長鑫存儲科技的破局之路，不僅重構(gòu)了全球DRAM產(chǎn)業(yè)的競合版圖，更歷史性終結(jié)了中國在通用內(nèi)存芯片領(lǐng)域“零自主量產(chǎn)”的長期缺位狀態(tài)，標(biāo)志著我國核心電子元器件自主化邁出最關(guān)鍵的一步。

這場橫跨50載的攻堅(jiān)戰(zhàn)役，背后究竟凝結(jié)了多少鮮為人知的攻堅(jiān)細(xì)節(jié)？當(dāng)先進(jìn)設(shè)備禁運(yùn)、基礎(chǔ)專利封鎖、關(guān)鍵材料斷供三重壓力疊加而來，長鑫存儲如何以系統(tǒng)性創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)逆境突圍，并在2025年完成從巨虧到盈利的質(zhì)變躍升？

50年追光，408億巨虧不低頭

中國DRAM自主化進(jìn)程，絕非短平快的技術(shù)移植，而是一場以時(shí)間換空間、以耐力搏未來的戰(zhàn)略遠(yuǎn)征，每一輪工藝爬坡、每一次良率提升，都浸透著難以計(jì)量的心血與堅(jiān)守。

這場征程的起點(diǎn)，定格在1975年——彼時(shí)科研人員在簡陋實(shí)驗(yàn)室中成功流片出國內(nèi)首顆1K容量DRAM芯片，雖僅相當(dāng)于現(xiàn)代一顆指甲蓋大小芯片存儲能力的百萬分之一，卻點(diǎn)燃了自主創(chuàng)新的第一簇火種。誰曾料想，這束微光，竟要穿越整整半個(gè)世紀(jì)的風(fēng)雨兼程才能燎原。

上世紀(jì)八九十年代，國際巨頭已構(gòu)建起涵蓋設(shè)計(jì)工具鏈、制造工藝平臺、封裝測試體系的全棧護(hù)城河，而我國相關(guān)技術(shù)積累近乎空白，設(shè)備依賴進(jìn)口，人才嚴(yán)重?cái)鄬樱瑢＠麅鋷捉鼮榱恪?/p>

進(jìn)入2016年，國內(nèi)服務(wù)器與智能手機(jī)爆發(fā)式增長帶動DRAM需求年增28%，但本土自給率仍為0%，高端產(chǎn)品完全受制于海外廠商供貨節(jié)奏與價(jià)格策略，產(chǎn)業(yè)鏈安全警報(bào)持續(xù)拉響。

正是在此危局之下，長鑫存儲于2016年正式注冊成立，肩負(fù)起打破壟斷的歷史使命；合肥市前瞻性實(shí)施“芯屏汽合”產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略，將存儲芯片列為重點(diǎn)突破方向，為其提供頂層制度保障與資源整合通道。

借鑒京東方當(dāng)年攻克液晶面板的成功路徑，合肥市政府于2017年宣布啟動總投資72億美元的存儲芯片產(chǎn)業(yè)基地建設(shè)，其中一期工程即注入人民幣180億元資本金，由合肥產(chǎn)投集團(tuán)牽頭組建專項(xiàng)基金，構(gòu)建起覆蓋研發(fā)、建廠、量產(chǎn)全周期的資金閉環(huán)支撐體系。

創(chuàng)業(yè)維艱，同行者折戟者亦不在少數(shù)。同期福建某存儲項(xiàng)目因美方單邊制裁導(dǎo)致核心設(shè)備交付中斷，合作方退出，整條產(chǎn)線被迫凍結(jié)。

長鑫存儲汲取經(jīng)驗(yàn)，通過合規(guī)商業(yè)渠道，系統(tǒng)性收購德國奇夢達(dá)公司破產(chǎn)清算遺留的全部技術(shù)資產(chǎn)——涵蓋1072萬份原始設(shè)計(jì)文檔、2.8TB工藝參數(shù)數(shù)據(jù)庫及327項(xiàng)核心專利許可，成為國內(nèi)唯一完整繼承其1xnm級DRAM技術(shù)脈絡(luò)的企業(yè)，為后續(xù)自主研發(fā)打下不可替代的底層基石。

研發(fā)投入強(qiáng)度持續(xù)刷新行業(yè)紀(jì)錄：2022至2024三年間研發(fā)支出合計(jì)達(dá)152.3億元，截至2025年6月末，累計(jì)研發(fā)投入總額達(dá)188.7億元，占同期總營收比重穩(wěn)定維持在32.4%以上；企業(yè)賬面累計(jì)凈虧損額達(dá)408.57億元，創(chuàng)中國半導(dǎo)體制造業(yè)歷史最高紀(jì)錄。

即便如此，長鑫存儲始終未動搖技術(shù)立身之本——專利布局從2017年全年提交354件起步，至2025年中已擁有有效授權(quán)專利4126件，其中國內(nèi)發(fā)明專利2893件、PCT國際專利942件，覆蓋電路設(shè)計(jì)、制程工藝、測試方法等全技術(shù)鏈條，構(gòu)筑起嚴(yán)密的知識產(chǎn)權(quán)防護(hù)網(wǎng)。

與此同時(shí)，產(chǎn)線建設(shè)穩(wěn)扎穩(wěn)打，從首條8英寸試驗(yàn)線到12英寸主力產(chǎn)線，產(chǎn)品良率由初期不足35%穩(wěn)步攀升至92.7%，在動態(tài)隨機(jī)存取存儲器這一高度標(biāo)準(zhǔn)化、高壁壘領(lǐng)域，用實(shí)打?qū)嵉牧慨a(chǎn)能力兌現(xiàn)技術(shù)承諾。

無EUV又如何？以創(chuàng)新打破三重封鎖

長鑫存儲的崛起邏輯，本質(zhì)是一套被逼出來的“非對稱創(chuàng)新范式”：當(dāng)無法獲取最尖端裝備時(shí)，就用極致工藝優(yōu)化填補(bǔ)性能缺口；當(dāng)缺乏成熟演進(jìn)路徑時(shí)，就以多代并行研發(fā)壓縮追趕周期；當(dāng)專利池已被瓜分殆盡時(shí)，就靠高強(qiáng)度原創(chuàng)積累重建技術(shù)主權(quán)。

設(shè)備封鎖首當(dāng)其沖——ASML EUV光刻機(jī)對中國市場的出口禁令至今未解，意味著無法直接切入7nm以下先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)。

長鑫存儲選擇務(wù)實(shí)破局：全面采用ASML NXT:1980Di等浸沒式DUV光刻平臺，通過獨(dú)創(chuàng)的“四重曝光+離軸照明+多重圖形補(bǔ)償”組合工藝，在20nm工藝節(jié)點(diǎn)上實(shí)現(xiàn)單顆芯片存儲密度達(dá)16Gb，讀寫帶寬較同代國際產(chǎn)品提升6.3%，以系統(tǒng)級工藝創(chuàng)新對沖設(shè)備代差，彰顯中國工程師“把舊工具用到極致”的硬核實(shí)力。

研發(fā)策略上摒棄線性迭代思維，首創(chuàng)“三代同堂、四線并進(jìn)”攻關(guān)模式：同步推進(jìn)19nm、17nm、15nm及1αnm四大工藝平臺開發(fā)，使技術(shù)代際跨越周期縮短至18個(gè)月以內(nèi)，較行業(yè)平均提速40%。

2019年9月，首款國產(chǎn)8Gb DDR4顆粒正式發(fā)布，通過JEDEC標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，成功打入國產(chǎn)服務(wù)器供應(yīng)鏈，填補(bǔ)了我國在主流通用內(nèi)存芯片領(lǐng)域的空白。

2024年12月，DDR5-4800與LPDDR5X-8533雙平臺實(shí)現(xiàn)全產(chǎn)能穩(wěn)定量產(chǎn)，傳輸速率分別達(dá)38.4GB/s與85.3GB/s，全面匹配高通驍龍8 Gen3、聯(lián)發(fā)科天璣9300等旗艦移動平臺及英偉達(dá)H100/H200 AI加速卡配套需求，徹底終結(jié)高端內(nèi)存芯片“進(jìn)口依賴癥”。

人才引擎同步發(fā)力：研發(fā)團(tuán)隊(duì)規(guī)模達(dá)3127人，占員工總數(shù)34.8%，其中博士學(xué)歷占比18.6%，碩士及以上學(xué)歷人員超76%，形成覆蓋器件物理、電路設(shè)計(jì)、工藝整合、可靠性驗(yàn)證的全功能研發(fā)梯隊(duì)，確保每一筆研發(fā)投入精準(zhǔn)轉(zhuǎn)化為技術(shù)勢能。

守得云開，從巨虧到盈利的華麗轉(zhuǎn)身

五十年磨一劍，四百零八億鑄一芯。所有蟄伏與堅(jiān)守，在2025年迎來厚積薄發(fā)的歷史性時(shí)刻。長鑫存儲的盈利拐點(diǎn)，不僅是單一企業(yè)的財(cái)務(wù)轉(zhuǎn)折，更是中國集成電路產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)“自主可控—成本可控—生態(tài)可控”三級躍遷的關(guān)鍵標(biāo)志，印證了核心技術(shù)突破必須遵循“長期主義”底層規(guī)律。

2024年第四季度起，全球DRAM現(xiàn)貨價(jià)格指數(shù)單季上漲42.7%，疊加AI大模型訓(xùn)練服務(wù)器出貨量同比激增168%，長鑫存儲迅速響應(yīng)市場需求，將合肥主廠區(qū)12英寸產(chǎn)線利用率拉升至94.2%，月均晶圓投片量突破12萬片，創(chuàng)國內(nèi)存儲芯片制造新高。

2025年前三季度，公司實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入320.84億元，同比增長98.6%；其中第三季度單季營收達(dá)142.3億元，同比增幅高達(dá)148.8%，毛利率回升至35.2%，環(huán)比提升11.4個(gè)百分點(diǎn)，經(jīng)營性現(xiàn)金流首次轉(zhuǎn)正。

全年預(yù)計(jì)營收區(qū)間為550億~580億元，凈利潤規(guī)模達(dá)20.3億~34.9億元，正式告別長達(dá)12年的戰(zhàn)略性虧損階段，邁入可持續(xù)盈利新周期。

這份成績源于扎實(shí)的產(chǎn)業(yè)積淀：截至2025年第二季度末，長鑫存儲DRAM芯片全球出貨量份額達(dá)3.97%，位列全球第四、國內(nèi)第一；雖當(dāng)前月產(chǎn)能約18萬片（約為三星平澤工廠的32%），尚未切入HBM3等前沿高帶寬封裝領(lǐng)域，但已實(shí)質(zhì)性打破三星、海力士、美光三足鼎立的寡頭格局，成為全球第四極力量。

目前，華為、小米、OPPO、聯(lián)想、浪潮、中科曙光等37家頭部終端與系統(tǒng)廠商均已將其納入主力供應(yīng)商名錄，國產(chǎn)手機(jī)中搭載長鑫DDR/LPDDR芯片比例達(dá)28.6%，服務(wù)器領(lǐng)域?qū)肼蔬_(dá)19.4%，議價(jià)權(quán)顯著增強(qiáng)，徹底扭轉(zhuǎn)“買芯片看臉色、談價(jià)格沒底氣”的被動局面。

2025年12月30日，上海證券交易所正式受理長鑫存儲科創(chuàng)板IPO申請，擬募資295億元，創(chuàng)科創(chuàng)板設(shè)立以來第二大融資規(guī)模紀(jì)錄。所募資金將重點(diǎn)投向1αnm工藝升級、HBM2e量產(chǎn)線建設(shè)及先進(jìn)封裝技術(shù)研發(fā)，為下一階段技術(shù)躍遷提供堅(jiān)實(shí)支撐。

打破壟斷護(hù)安全，中國芯片啟新程

長鑫存儲的突破，早已超越企業(yè)個(gè)體成敗，成為中國集成電路產(chǎn)業(yè)攻堅(jiān)克難的精神圖騰。它用50年光陰、408億元真金白銀的持續(xù)投入，深刻詮釋了一個(gè)真理：真正的核心技術(shù)，既買不來，也求不來，唯有以戰(zhàn)略定力深耕、以工程韌性突破、以制度優(yōu)勢協(xié)同，方能在封鎖圍堵中殺出血路。

這一突破，為中國電子信息產(chǎn)業(yè)筑牢了安全底座。DRAM作為數(shù)字世界的“血液”，滲透于每一臺智能手機(jī)、筆記本電腦、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器乃至智能汽車域控制器之中；長鑫存儲實(shí)現(xiàn)全系列主流規(guī)格芯片自主量產(chǎn)，使我國在該關(guān)鍵元器件領(lǐng)域首次具備“備胎轉(zhuǎn)正”能力，供應(yīng)鏈韌性提升至全新水平。

進(jìn)口依存度下降17.3個(gè)百分點(diǎn)，關(guān)鍵場景國產(chǎn)化率突破25%，為下游整機(jī)廠商節(jié)省采購成本超百億元；更重要的是，它樹立起一條可復(fù)制、可推廣的突圍路徑——以“全球?qū)＠弦?guī)獲取+高強(qiáng)度研發(fā)持續(xù)投入+多代工藝跳躍式攻關(guān)+成熟設(shè)備極限化應(yīng)用”四位一體模式，為長江存儲、壁仞科技等后續(xù)攻堅(jiān)者提供了極具操作性的方法論參考。

展望未來，全球DRAM市場正迎來新一輪擴(kuò)容周期。據(jù)Yole預(yù)測，2029年全球市場規(guī)模將達(dá)1240億美元，較2024年翻倍增長；而中國作為全球最大消費(fèi)電子制造國與AI算力需求增長極，將持續(xù)發(fā)揮強(qiáng)勁拉動作用。依托現(xiàn)有1200余項(xiàng)核心專利、12英寸主力產(chǎn)線及已驗(yàn)證的1αnm工藝平臺，長鑫存儲有望在2027年前后實(shí)現(xiàn)HBM3量產(chǎn)，切入AI芯片配套高端賽道。

國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期、安徽省戰(zhàn)新基金、長三角協(xié)同科創(chuàng)基金等多元資本力量正加速形成“國家隊(duì)+地方隊(duì)+產(chǎn)業(yè)隊(duì)”三級聯(lián)動支持體系，為中國芯片產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展提供長效動能。

燃燒408億元，是對技術(shù)敬畏之心的具象表達(dá)；堅(jiān)守50個(gè)春秋，是對產(chǎn)業(yè)報(bào)國使命的無聲踐行。

長鑫存儲的破局，是中國芯片擺脫“卡脖子”困境的里程碑式起點(diǎn)。在更多像長鑫一樣扎根實(shí)業(yè)、專注創(chuàng)新的硬科技企業(yè)的接續(xù)奮斗中，中國集成電路必將走出一條自主、安全、可控的發(fā)展新路，在全球半導(dǎo)體版圖中贏得與其市場地位相匹配的技術(shù)話語權(quán)與產(chǎn)業(yè)主導(dǎo)權(quán)，譜寫屬于新時(shí)代中國“芯”力量的壯麗篇章。