2月24日消息，據(jù)路透社報(bào)道，荷蘭光刻機(jī)大廠ASML在極紫外光（EUV）技術(shù)上取得了新的關(guān)鍵進(jìn)展，計(jì)劃將光源功率由600W提升至1000W。

而一旦EUV光源提升至1000W，ASML的EUV光刻機(jī)的產(chǎn)能就可由每小時(shí)220 片提升至330 片，單位產(chǎn)出成本則基本維持不變。

也就是說(shuō)，在既有產(chǎn)線架構(gòu)與空間條件下，僅通過對(duì)EUV光刻機(jī)的升級(jí)，即可實(shí)現(xiàn)約50%的產(chǎn)能增長(zhǎng)，將直接改善晶圓廠的營(yíng)運(yùn)效率與資本支出配置結(jié)構(gòu)。

ASML 技術(shù)主管Michael Purvis 表示，這套1000W光源系統(tǒng)并非短時(shí)間實(shí)驗(yàn)成果，而是在符合客戶量產(chǎn)環(huán)境所有條件下，能穩(wěn)定運(yùn)作的完整解決方案。他強(qiáng)調(diào)，該技術(shù)已達(dá)可實(shí)際部署標(biāo)準(zhǔn)，而非僅止于實(shí)驗(yàn)展示。

在導(dǎo)入策略方面，ASML 過去曾向客戶提供“生產(chǎn)力強(qiáng)化套件”（Productivity Enhancement Packages，PEP），讓EUV光刻機(jī)可在不更換整機(jī)的前提下進(jìn)行升級(jí)。

不過，早期NXE:3400C/D 機(jī)型曾因熱負(fù)載上限而面臨技術(shù)瓶頸，后續(xù)才逐步導(dǎo)入更高功率光源。因此，市場(chǎng)推測(cè)此次升級(jí)方案將優(yōu)先鎖定較新的NXE:3800E 系列，以及High-NA EUV 機(jī)型EXE:5000 與EXE:5200。

至于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，盡管中國(guó)積極推動(dòng)自主半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)，美國(guó)新創(chuàng)Substrate亦嘗試以粒子加速器產(chǎn)生更短波長(zhǎng)X光線的技術(shù)路線切入市場(chǎng)，并宣稱成本具優(yōu)勢(shì)，但在量產(chǎn)級(jí)EUV 曝光領(lǐng)域，ASML 目前仍維持主導(dǎo)地位。

不過，光源功率提升同時(shí)也帶來(lái)工程層面的新挑戰(zhàn)，包括更高的用電需求、散熱能力提升，以及氫氣流量與穩(wěn)定度控制等問題。晶圓廠在評(píng)估升級(jí)效益之際，亦須同步觀察既有基礎(chǔ)設(shè)施是否足以支撐更高功率運(yùn)作條件。

編輯：芯智訊-林子