誰能想到，幾年前還被美國卡脖子的中國閃存芯片，現(xiàn)在反過來在美國本土跟巨頭死磕？長江存儲這波操作，真把美國人整懵了——不僅產(chǎn)能蹭蹭漲，專利戰(zhàn)還贏了好幾場，連三星都得低頭授權，這事兒放5年前誰敢信？

閃存芯片市場本來就卷得要死，企業(yè)都在拼容量大、價格低。長江存儲2016年才起步，一門心思扎進3D NAND技術里，2018年搞出個Xtacking架構(gòu)，簡單說就是把存儲單元和電路分開造再拼起來，速度變快、散熱更好，連生產(chǎn)時間都少了20%，這技術還拿了一堆專利，三星2025年都簽了授權協(xié)議，怕跟它打官司輸了吃虧。

長江存儲還死磕設備國產(chǎn)化，2025下半年就要開第一條全用中國設備的NAND生產(chǎn)線，再也不怕供應鏈被卡脖子了！中微半導體供刻蝕機，北方華創(chuàng)給沉積設備，雖然光刻還靠上海微電子的90納米機型，量測國產(chǎn)率低，但人家試驗線已經(jīng)跑通全流程了?，F(xiàn)在每月能產(chǎn)13萬片晶圓，全球占8%的份額，慢慢搶別人的蛋糕。

2025年9月長江存儲注冊了三期工廠，砸207億，目標2027年投產(chǎn)，部分產(chǎn)能還要轉(zhuǎn)去做DRAM和HBM，還跟本土組裝商合作，國產(chǎn)化率已經(jīng)到45%了，比行業(yè)平均高。良率雖然比國際巨頭低15%，但人家通過優(yōu)化控制了成本，232層芯片已經(jīng)出貨了，接口速度3600MT/s，還支持PCIe 5.0。

2025年長江存儲試點全國產(chǎn)NAND線，供應鏈覆蓋NAURA氧化爐和AMEC刻蝕機，工廠月產(chǎn)能規(guī)劃10萬片，總產(chǎn)能超30萬片，2026年目標全球份額15%。就算2022年被美方列入實體清單，長江存儲轉(zhuǎn)頭就用本土工具維持增長，美光現(xiàn)在NAND份額13.8%，長江存儲正慢慢搶它的市場。

專利戰(zhàn)更是打得火熱！2023年11月長江存儲直接在美國加州北區(qū)法院告美光，說它侵犯8項3D NAND專利，涉及形成、控制、直通陣列接觸、讀取和多層堆疊。美光不認，反過來告長江存儲侵權，還申請專利局宣告長江12項專利無效。長江要求美光給核心文件，比如柵極厚度細節(jié)，美光說涉及國家安全，法院沒理它，讓保密披露。

2024年7月長江又追加11項專利，還扯到DRAM上了；2025年2月聯(lián)邦巡回上訴法院維持原判，美光只能交73頁工藝文檔，比如蝕刻氣體配方，還只能給外部律師看。美光急了，2025年5月找最高法院要緊急令阻止披露，結(jié)果沒批準。

2025年6月長江又在華盛頓聯(lián)邦法院告美光商業(yè)誹謗——美光跟DCI公關公司合作，搞了個“China Tech Threat”網(wǎng)站，說長江的芯片有間諜軟件，害長江丟了不少訂單。長江提交證據(jù)說網(wǎng)站內(nèi)容全是瞎編的，美光還說這是言論自由，長江直接懟回去：你損害我生意了！

2025年10月長江在德州東區(qū)法院追加8項專利訴訟，涉及176到276層NAND，還在歐洲統(tǒng)一專利法院、英國高等法院、德國國家法院同時起訴。美光也沒閑著，發(fā)起專利無效挑戰(zhàn)，2026年1月專利局審了四起，長江的US10937806專利部分有效，US10658378部分無效；同月專利局駁回長江對美光兩個專利的無效請求，還說國家安全為由，局長強調(diào)對中方企業(yè)審查更嚴。長江回應說實體清單跟專利沒關系，撤銷無效專利是為了公眾利益。現(xiàn)在雙方互告超過20項專利，從技術打到政治層面了。

2025年11月專利局駁回美光對長江US11600342專利的無效請求，因為美光引用的文獻不夠——這是長江在8起挑戰(zhàn)里第一次贏，之前7起都是美光占優(yōu)。同一天長江還在杜塞爾多夫的歐洲統(tǒng)一專利法院告美光侵犯三項3D NAND專利，同時在美國德州東區(qū)、英國高等法院立案，訴狀附了3000頁技術證據(jù)，德國法院定在2026年9月17日開庭，說美光從176層NAND到LPDDR5 DRAM都侵權了。

訴訟還在膠著，但長江在美國客場已經(jīng)贏了一半案件；美光還在搞負面宣傳，但法院要求拿證據(jù)。地緣因素影響下，說不定最后會和解？不過長江的三期工廠2026年投產(chǎn)，每月產(chǎn)能15萬片，全球份額要沖到15%，到時候2TB固態(tài)硬盤能便宜好幾百塊，消費者直接受益！

長江存儲的Xtacking專利讓三星等巨頭選擇授權，避免糾紛；國產(chǎn)化線順利運行，產(chǎn)能不斷擴張，市場份額穩(wěn)步上升。這波操作，真給中國芯長臉了！

參考資料：人民日報《長江存儲：中國芯的突破之路》；科技日報《3D NAND技術創(chuàng)新：長江存儲的實踐與探索》