中國在半導體領域不斷發(fā)力，氧化鎵作為第四代材料脫穎而出。全球鎵產(chǎn)量每年只有五百噸左右，中國控制九成八的低純度產(chǎn)能，比稀土三十萬噸年產(chǎn)量稀缺百倍。

商務部和海關總署從2023年8月1日開始，對鎵鍺相關產(chǎn)品實施出口許可，出口商需提交用戶和用途證明。這直接回應西方芯片限制，西方企業(yè)庫存緊張，歐洲港口鎵價一個月漲四成三。日本回收廢料支撐產(chǎn)能，但六成原料仍靠中國進口。

西方國家起初低估管制影響，美國地質(zhì)局數(shù)據(jù)顯示，他們依賴進口維持雷達生產(chǎn)。兩年過去，到2025年，替代鏈條仍未成型，美國從退役裝備回收鎵，成本高企。中國海關記錄顯示，2025年前10個月，對美鎵鍺出口為零。歐洲半導體廠延誤生產(chǎn)，全球供應鏈調(diào)整加速。管制措施強調(diào)軍民兩用屬性，確保資源用于合法領域，不針對特定國家，但實際打擊了依賴鏈。

2024年12月3日，商務部升級公告，原則上不許鎵鍺銻超硬材料對美出口，對石墨實施嚴格審查。這回應美國芯片禁令，銻進口美國超六成來自中國。

2025年11月9日，管制暫停至2026年11月27日，允許非軍事用途恢復出口。市場價格回落，但多元化趨勢加強。西方投資回收技術，美國銻價漲三倍多。中國通過這些步驟維護資源安全，推動產(chǎn)業(yè)升級。

氧化鎵禁帶寬度達四點八至四點九電子伏特，高于碳化硅的三點二，提升高壓承受力。巴利加優(yōu)值是碳化硅十倍，導通電阻低，能量轉(zhuǎn)換效率高。

損耗僅硅千分之一，適合新能源汽車功率模塊，充電時間縮短至分鐘級。軍事雷達用氧化鎵組件，探測距離

遠，在干擾環(huán)境下穩(wěn)定。相比第三代材料，氧化鎵在高壓場景表現(xiàn)更好，適用于電動車升級或戰(zhàn)機系統(tǒng)。

中國科研團隊推動氧化鎵晶體生長。杭州鎵仁半導體二零二五年三月五日推出全球首顆八英寸單晶，用自主鑄造法。從二零二二年二英寸起步，每年升級尺寸，到二零二五年實現(xiàn)八英寸。鑄造法工藝簡便，成本低，便于放大，與現(xiàn)有硅基生產(chǎn)線兼容。浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心孵化成果，提供技術支持。中國電科四十六所二零二三年制備六英寸單晶，專注軍工。

西安郵電大學陳海峰團隊在八英寸硅片上生長高質(zhì)量外延層，解決散熱難題。北京銘鎵半導體掌握大尺寸晶體，對標國際。二零二五年一月，鎵仁用垂直布里奇曼法實現(xiàn)四英寸導電摻雜，提升多樣性。十二月，上海光機所與杭州富加鎵業(yè)合作，用導模法首次制備八英寸晶體，提高穩(wěn)定性。這些機構(gòu)協(xié)作，推動實驗室向產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化。

到2026年，中國氧化鎵產(chǎn)能覆蓋全球需求大部分。富加鎵業(yè)建六英寸生產(chǎn)線，年產(chǎn)萬片。銘鎵推出多規(guī)格襯底，首發(fā)四英寸產(chǎn)品。國內(nèi)企業(yè)擴大投資，成本降至碳化硅幾分之一。原材料鎵全球產(chǎn)量五百噸，中國占比九成八，產(chǎn)業(yè)鏈完整。管制后，西方資源短缺，中國企業(yè)創(chuàng)新加速，占據(jù)市場主導。

中國掌控鎵資源和氧化鎵技術，改變半導體格局。西方需重構(gòu)供應鏈，成本上升。中國擴大產(chǎn)能，應用于新能源汽車和軍工，實現(xiàn)主導。未來，氧化鎵將推動產(chǎn)業(yè)升級，西方技術壁壘減弱，中國話語權(quán)增強。