英特爾的ZAM內(nèi)存方案近期獲得了廣泛關(guān)注，英特爾出人意料地發(fā)布了該技術(shù)的原型機，并作出了前景廣闊的承諾。

英特爾及其合作伙伴正研發(fā)Z型角內(nèi)存，以解決現(xiàn)有方案的散熱與計算限制

盡管英特爾已退出DRAM業(yè)務(wù)數(shù)十年，但該公司近期與軟銀子公司Saimemory攜手，踏入了一個全新領(lǐng)域——推出名為Z型角內(nèi)存（ZAM）的解決方案，旨在打破HBM的壟斷地位。盡管，但英特爾顯然加快了步伐，向全球展示了其原型機。

據(jù)日本媒體PCWatch報道，英特爾在2026年日本英特爾連接大會（Intel Connection Japan 2026）上，首次正式全面介紹了ZAM技術(shù)，其核心重點的是Z型角架構(gòu)如何緩解現(xiàn)有解決方案面臨的性能與散熱限制。

英特爾院士、英特爾政府技術(shù)部門首席技術(shù)官約書亞·弗萊曼，以及英特爾日本公司首席執(zhí)行官恩保誠出席了此次大會。在此之前，ZAM僅存在于研究論文和新聞稿中；而此次，英特爾迅速展示了原型機，并闡述了ZAM的未來發(fā)展方向。對于不了解該技術(shù)的人來說，這款內(nèi)存解決方案的核心亮點的是采用了交錯互連拓撲結(jié)構(gòu)——該結(jié)構(gòu)將裸片堆疊內(nèi)部的連接線路設(shè)計為對角線分布，而非傳統(tǒng)的垂直向下鉆孔連接。據(jù)英特爾介紹，ZAM最大的優(yōu)勢體現(xiàn)在散熱性能上。

目前，英特爾在ZAM項目中扮演的具體角色尚未明確界定，但根據(jù)大會上發(fā)布的營銷資料顯示，該公司將負責(zé)“初始投資與戰(zhàn)略決策”。關(guān)于Z型角內(nèi)存項目相較于HBM的具體表現(xiàn)，目前已有多項相關(guān)說法，但在初期討論中，我們有望看到以下幾方面的提升：

• 功耗降低40%-50%

• 通過Z型角互連簡化制造流程

• 單芯片更高存儲容量（最高512GB）

英特爾有望進軍新市場，這一動態(tài)頗具看點。從項目發(fā)布會上核心高管的出席陣容不難看出，這款以內(nèi)存為核心的項目，旨在進軍HBM市場并參與競爭。

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