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2月10日消息，據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，臺(tái)積電今日召開董事會(huì)，會(huì)中通過(guò)多項(xiàng)重大投資與人事決議，包括核準(zhǔn)高達(dá)449億美元的資本預(yù)算，持續(xù)加碼先進(jìn)制程與先進(jìn)封裝產(chǎn)能布局。

同時(shí)，董事會(huì)拍板晉升包括王英郎在內(nèi)4位主管為資深副總經(jīng)理，以及另外4名主管為副總經(jīng)理。

在資本支出與長(zhǎng)期產(chǎn)能規(guī)劃上，董事會(huì)核準(zhǔn)資本預(yù)算約美金449億6,200萬(wàn)元，內(nèi)容包括建置及升級(jí)先進(jìn)制程產(chǎn)能、建置及升級(jí)先進(jìn)封裝、成熟及／或特殊制程產(chǎn)能，以及廠房興建與廠務(wù)設(shè)施工程，以因應(yīng)市場(chǎng)需求預(yù)測(cè)與技術(shù)開發(fā)藍(lán)圖所制定的長(zhǎng)期產(chǎn)能布局。

此外，董事會(huì)亦核準(zhǔn)于不超過(guò)300億美元額度內(nèi)，增資臺(tái)積電百分之百持股之子公司TSMC Global，以降低外匯避險(xiǎn)成本；同時(shí)核準(zhǔn)于不高于新臺(tái)幣600億元額度內(nèi)，于國(guó)內(nèi)市場(chǎng)分次募集無(wú)擔(dān)保普通公司債，作為產(chǎn)能擴(kuò)充及／或綠色相關(guān)支出之資金來(lái)源。

在人事方面，董事會(huì)核準(zhǔn)多項(xiàng)高階主管擢升案，包括晉升晶圓廠營(yíng)運(yùn)副總經(jīng)理王英郎博士、先進(jìn)技術(shù)暨光罩工程副總經(jīng)理張宗生博士、平臺(tái)研發(fā)副總經(jīng)理吳顯揚(yáng)博士與葉主輝博士為資深副總經(jīng)理。

同時(shí)，臺(tái)積電董事會(huì)還晉升資材管理組織資深處長(zhǎng)黃遠(yuǎn)國(guó)、十二B廠資深廠長(zhǎng)田博仁、10埃米平臺(tái)技術(shù)資深處長(zhǎng)林學(xué)仕，以及先進(jìn)技術(shù)業(yè)務(wù)開發(fā)資深處長(zhǎng)袁立本博士為副總經(jīng)理。

值得注意的是，先前成功救援美國(guó)亞利桑那建廠行動(dòng)的王英郎副總，這次被擢升為資深副總經(jīng)理。去年9月25日公告指出，于TSMC Arizona「階段性任務(wù)已經(jīng)完成」，并于10月1日回任臺(tái)灣營(yíng)運(yùn)主管，以及同樣被擢升為資深副總經(jīng)理的張宗生，都被視為是堅(jiān)實(shí)的臺(tái)積電中生代成員。

根據(jù)臺(tái)積電官網(wǎng)介紹，王英郎于1992年加入臺(tái)積電，歷任多項(xiàng)生產(chǎn)與技術(shù)管理職務(wù)，2015年出任技術(shù)發(fā)展副總經(jīng)理，長(zhǎng)期深耕先進(jìn)制程量產(chǎn)與良率提升。王英郎對(duì)臺(tái)積電多個(gè)世代制程量產(chǎn)具關(guān)鍵貢獻(xiàn)，涵蓋0.35微米至16奈米節(jié)點(diǎn)，并參與10奈米、7奈米與5奈米先進(jìn)制程研發(fā)與導(dǎo)入生產(chǎn)，在提升晶圓生產(chǎn)率與缺陷密度改善上具重要成果。

學(xué)經(jīng)歷方面，王英郎博士畢業(yè)于臺(tái)灣清華大學(xué)物理學(xué)系，并取得臺(tái)灣中山大學(xué)材料研究所碩士及臺(tái)灣交通大學(xué)電子工程博士學(xué)位，累積全球?qū)＠?83項(xiàng)，其中美國(guó)專利136項(xiàng)。

張宗生則是在1995年加入臺(tái)積電，曾任晶圓十二B廠資深廠長(zhǎng)，累積逾20年?duì)I運(yùn)與制造實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)，深度參與晶圓一廠、四廠、八廠、十二廠與十四廠的技術(shù)開發(fā)與量產(chǎn)導(dǎo)入，為臺(tái)積電先進(jìn)制程成功落地的重要推手。

張宗生于2013年獲選為臺(tái)積電科技院士，并于2025年晉升為臺(tái)積資深科技院士，表彰其在工程創(chuàng)新與制造卓越上的長(zhǎng)期貢獻(xiàn)。學(xué)經(jīng)歷方面，張博士畢業(yè)于臺(tái)灣清華大學(xué)電機(jī)工程學(xué)系，并取得碩、博士學(xué)位，累積全球?qū)＠?2項(xiàng)，其中過(guò)半為美國(guó)專利。

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