據(jù)科技媒體報(bào)道，半導(dǎo)體行業(yè)近期出現(xiàn)重要?jiǎng)討B(tài)：繼蘋(píng)果之后，英特爾代工業(yè)務(wù)可能已成功爭(zhēng)取到另一家重量級(jí)客戶(hù)——聯(lián)發(fā)科（MediaTek）。消息稱(chēng)，聯(lián)發(fā)科的天璣（Dimensity）系列移動(dòng)芯片預(yù)計(jì)將采用英特爾最先進(jìn)的14A工藝進(jìn)行代工生產(chǎn)。

　　此前，市場(chǎng)已有傳聞稱(chēng)蘋(píng)果與英特爾簽署了保密協(xié)議，正在評(píng)估其18A-P工藝，并可能在2027年將部分非Pro系列iPhone芯片或入門(mén)級(jí)M系列芯片交由英特爾生產(chǎn)。此外，分析指出蘋(píng)果預(yù)計(jì)在2028年推出的定制化ASIC芯片可能會(huì)采用英特爾的EMIB（嵌入式多芯片互連橋）封裝技術(shù)。英特爾的18A-P是其首個(gè)支持Foveros Direct 3D混合鍵合技術(shù)的節(jié)點(diǎn)。

　　然而，將英特爾的14A工藝應(yīng)用于移動(dòng)芯片面臨顯著的技術(shù)挑戰(zhàn)。報(bào)道指出，英特爾在18A和14A節(jié)點(diǎn)上全面押注了“背面供電技術(shù)”（Backside Power Delivery）。這項(xiàng)技術(shù)雖能提升性能與晶體管密度，但也帶來(lái)了更嚴(yán)重的“自發(fā)熱效應(yīng)”（Self-Heating Effect）。對(duì)于智能手機(jī)等內(nèi)部空間和散熱能力極度受限的設(shè)備而言，這一熱效應(yīng)問(wèn)題尤為嚴(yán)峻，可能對(duì)移動(dòng)SoC的能效與穩(wěn)定運(yùn)行構(gòu)成挑戰(zhàn)。

　　如果英特爾與聯(lián)發(fā)科能夠合作克服這一技術(shù)瓶頸，雙方有望實(shí)現(xiàn)更深度的合作。這一潛在聯(lián)盟也標(biāo)志著英特爾在拓展其先進(jìn)制程客戶(hù)方面取得了重要進(jìn)展。