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2月2日消息，據(jù)韓媒報道，三星電子和 SK 海力士的“最尖端” NAND 投資終于要全面啟動了。

過去長期把資源優(yōu)先投向 DRAM 導(dǎo)致計劃一再推遲，隨著 AI 產(chǎn)業(yè)推動存儲需求快速上升，兩家公司最近已經(jīng)開始敲定具體的擴產(chǎn)方案。

業(yè)內(nèi)消息稱，三星與 SK 海力士都計劃在今年第 2 季度推進最尖端 NAND 的“轉(zhuǎn)換投資”。

三星在 2024 年 9 月就已啟動 280 層 V9 NAND 量產(chǎn)，但目前產(chǎn)能仍然很小，月產(chǎn)大約只有 15000 片晶圓左右。當時，三星考慮到市場需求不足，只在平澤園區(qū)部署了初期量產(chǎn)線。

三星接下來準備從今年第 2 季度開始擴大 V9 產(chǎn)能，重點放在中國西安的 X2 產(chǎn)線。目前西安 X2 仍主要生產(chǎn) 6 至 7 代舊款 NAND，而鄰近的 X1 產(chǎn)線向第 8 代 NAND 的轉(zhuǎn)換基本已經(jīng)完成。

據(jù)了解，業(yè)內(nèi)正在討論的轉(zhuǎn)換投資規(guī)模約為月產(chǎn) 4-5 萬片晶圓。按照設(shè)備導(dǎo)入節(jié)奏，V9 NAND 預(yù)計從明年起正式進入量產(chǎn)加速階段。

半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士說，三星原本打算在第 1 季度啟動西安 X2 的 V9 轉(zhuǎn)換，但日程推遲到第 2 季度。同時，平澤第 1 園區(qū)（P1）也在準備相關(guān)投資，因此明年 V9 產(chǎn)品的生產(chǎn)占比可能會明顯提高。

SK 海力士方面同樣在推進先進 NAND 擴產(chǎn)。SK 海力士計劃在今年第 2 季度啟動 321 層第 9 代 NAND 的轉(zhuǎn)換投資，目標是在清州 M15 確保月產(chǎn)約 3 萬片晶圓的 V9 產(chǎn)能。與目前約 2 萬片晶圓的水平相比，這次擴產(chǎn)力度相當大。

業(yè)內(nèi)人士認為，三星與 SK 海力士都在為先進 NAND 需求持續(xù)增長做準備。過去兩家公司的設(shè)備投資幾乎全部集中在 DRAM，但現(xiàn)在 NAND 市場也正在快速出現(xiàn)供應(yīng)緊張跡象。

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