“一盒內(nèi)存條堪比上海一套房”的話題近日引爆全網(wǎng)，全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)正經(jīng)歷一輪“史上最強(qiáng)”漲價(jià)周期。受此影響，當(dāng)?shù)貢r(shí)間1月6日美股存儲(chǔ)板塊集體狂飆，閃迪大漲24%創(chuàng)下十個(gè)月最大日內(nèi)漲幅，美光科技漲近7%再創(chuàng)新高，希捷科技、西部數(shù)據(jù)均漲近10%，國(guó)內(nèi)A股存儲(chǔ)概念股亦同步活躍。

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漲價(jià)潮的核心信號(hào)來(lái)自行業(yè)龍頭的提價(jià)動(dòng)作。據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，三星與SK海力士已向服務(wù)器、PC及智能手機(jī)用DRAM客戶(hù)提出漲價(jià)，2026年一季度報(bào)價(jià)將較去年四季度飆升60%-70%。市場(chǎng)研究公司DRAMeXchange分析指出，大型客戶(hù)為實(shí)現(xiàn)基于推理的AI盈利，愿承受漲價(jià)成本，預(yù)計(jì)一季度服務(wù)器用DRAM固定交易價(jià)格漲幅將達(dá)60%至65%。

天價(jià)漲幅的底氣源于嚴(yán)重的供需失衡。當(dāng)前內(nèi)存廠商集中產(chǎn)能生產(chǎn)HBM3E等高端產(chǎn)品，擠壓了服務(wù)器DRAM產(chǎn)能，而谷歌、微軟等企業(yè)拓展AI推理業(yè)務(wù)，疊加博通增加HBM3E訂單，進(jìn)一步加劇短缺。數(shù)據(jù)顯示，自2025年7月以來(lái)，多數(shù)DRAM品類(lèi)漲幅超100%，DDR4與DDR5年內(nèi)漲價(jià)2-3倍，256G DDR5服務(wù)器內(nèi)存單條價(jià)超4萬(wàn)元，100根一盒總價(jià)達(dá)400萬(wàn)元，堪比上海部分房產(chǎn)。

機(jī)構(gòu)普遍預(yù)判，漲價(jià)趨勢(shì)將貫穿2026年全年。多家投行預(yù)測(cè)，今年服務(wù)器DRAM平均銷(xiāo)售價(jià)格最高同比漲幅可達(dá)144%。花旗預(yù)計(jì)三星電子今年?duì)I業(yè)利潤(rùn)將達(dá)155萬(wàn)億韓元，同比增長(zhǎng)253%；摩根士丹利則預(yù)測(cè)SK海力士今年?duì)I業(yè)利潤(rùn)148萬(wàn)億韓元，激增224%。中信建投證券指出，存儲(chǔ)芯片供應(yīng)短缺將持續(xù)更久，以美光為代表的存儲(chǔ)IDM廠商將顯著受益。

值得注意的是，全球90%的DRAM產(chǎn)能集中于三星、SK海力士、美光三大巨頭，而國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)企業(yè)正加速追趕。長(zhǎng)鑫科技等國(guó)產(chǎn)廠商推進(jìn)產(chǎn)能擴(kuò)張與技術(shù)升級(jí)，疊加存儲(chǔ)漲價(jià)周期，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備與材料板塊有望迎來(lái)歷史性機(jī)遇，成為資金布局的重點(diǎn)方向。