當(dāng)?shù)貢r(shí)間1月6日，美股存儲(chǔ)板塊狂飆，截至發(fā)稿，閃迪（SanDisk）大漲24%，為十個(gè)月以來(lái)的最大日內(nèi)漲幅，美光科技漲近7%，再創(chuàng)歷史新高。希捷科技、西部數(shù)據(jù)漲近10%。

消息面上，據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)，三星與海力士已向服務(wù)器、PC及智能手機(jī)用DRAM客戶提出漲價(jià)，今年一季度報(bào)價(jià)將較去年第四季度上漲60%-70%。

一位半導(dǎo)體行業(yè)人士表示：“客戶也清楚，三星和SK在短期內(nèi)很難迅速提升產(chǎn)能?！币虼藰I(yè)內(nèi)預(yù)計(jì)，即便是這么大的漲幅，客戶也會(huì)接受。

“大型客戶認(rèn)為他們完全可以承受AI基礎(chǔ)設(shè)施所需的支出。他們不太可能強(qiáng)烈反對(duì)DRAM價(jià)格上漲，因?yàn)樵谶@些公司看來(lái)，實(shí)現(xiàn)基于推理的AI盈利更為重要?！笔袌?chǎng)研究公司DRAMeXchange如此分析，并將今年第一季度服務(wù)器用DRAM固定交易價(jià)格的漲幅預(yù)期上調(diào)至60%至65%。

存儲(chǔ)龍頭大幅漲價(jià)的底氣，正來(lái)自對(duì)服務(wù)器DRAM短缺問(wèn)題日益嚴(yán)重的預(yù)期。

眼下，內(nèi)存廠商正集中精力生產(chǎn)HBM3E，導(dǎo)致服務(wù)器DRAM產(chǎn)能遭受積壓，供需鴻溝逐漸拉大。同時(shí)谷歌和微軟等公司正在拓展基于推理的AI服務(wù)業(yè)務(wù)，推動(dòng)服務(wù)器通用DRAM需求激增；正在為客戶開(kāi)發(fā)ASIC的博通，也在增加HBM3E訂單，進(jìn)一步加劇DRAM短缺。

在這種情況下，存儲(chǔ)的漲價(jià)趨勢(shì)或?qū)⒇灤┱麄€(gè)2026年。已有多家投行預(yù)測(cè)，按全年口徑計(jì)算，今年服務(wù)器DRAM的平均銷售價(jià)格（ASP）最高將同比上漲144%，并相應(yīng)上調(diào)了業(yè)績(jī)預(yù)期?；ㄆ祛A(yù)計(jì)，三星電子今年?duì)I業(yè)利潤(rùn)將達(dá)155萬(wàn)億韓元，較去年增長(zhǎng)253%；摩根士丹利則預(yù)計(jì)，SK海力士今年?duì)I業(yè)利潤(rùn)為148萬(wàn)億韓元，較去年激增224%。

中信建投證券電子首席分析師劉雙鋒認(rèn)為，在數(shù)據(jù)中心需求爆發(fā)、存儲(chǔ)芯片供應(yīng)持續(xù)趨緊，價(jià)格大幅上漲的背景下，美光交出一份明顯強(qiáng)于預(yù)期的FY26Q1財(cái)報(bào)，并給出強(qiáng)勁的第二財(cái)季指引。預(yù)計(jì)存儲(chǔ)芯片供應(yīng)短缺將在2026年持續(xù)并維持更久，美光為代表的存儲(chǔ)IDM廠商將大為受益。

值得一提的是，今日晚間，話題“一盒內(nèi)存條堪比上海一套房”登上熱搜第二名，引發(fā)網(wǎng)友熱議。

據(jù)21財(cái)經(jīng)援引時(shí)代周報(bào)報(bào)道，全球DRAM（內(nèi)存）市場(chǎng)正經(jīng)歷一輪“史上最強(qiáng)”的漲價(jià)周期。自2025年7月以來(lái)，DRAM價(jià)格持續(xù)快速上行，多數(shù)品類漲幅超過(guò)100%。

PCPartPicker數(shù)據(jù)顯示，DDR4（內(nèi)存）與DDR5（內(nèi)存）年內(nèi)已漲價(jià)2—3倍。行業(yè)人士表示：“內(nèi)存幾乎一天一個(gè)價(jià)，256G的DDR5服務(wù)器內(nèi)存單條價(jià)格已超4萬(wàn)元。如果一次采購(gòu)一盒100根就是400萬(wàn)，價(jià)值已超過(guò)上海不少房產(chǎn)?！?/p>

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編輯|金冥羽 杜恒峰

校對(duì)|程鵬

封面圖片來(lái)源：視覺(jué)中國(guó)

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