2026年首個(gè)交易日，AI芯片供應(yīng)鏈股票強(qiáng)勢(shì)上漲，在美股大盤走勢(shì)分化的背景下成為市場(chǎng)焦點(diǎn)。臺(tái)積電美股和臺(tái)股雙雙創(chuàng)下歷史新高，三星電子韓股大漲7.2%刷新收盤紀(jì)錄，帶動(dòng)整個(gè)AI板塊逆市走強(qiáng)。

周五（1月2日），韓國(guó)首爾綜合指數(shù)收漲2.3%，歷史上首次突破4300點(diǎn)大關(guān)，主要受三星電子HBM4業(yè)務(wù)獲客戶認(rèn)可的消息提振。臺(tái)積電則受益于2nm制程量產(chǎn)兌現(xiàn)及AI芯片需求激增的雙重利好。與此同時(shí)，納斯達(dá)克指數(shù)當(dāng)日小幅收跌，標(biāo)普500指數(shù)微漲，凸顯AI相關(guān)股票的獨(dú)立行情。

除了臺(tái)積電、三星電子之外，周五多只AI相關(guān)股票錄得漲幅。Sandisk、Micron、Western Digital、Intel和Constellation Energy位列漲幅榜前列。英偉達(dá)、Broadcom等萬(wàn)億美元市值科技公司也出現(xiàn)上漲。

市場(chǎng)對(duì)AI基礎(chǔ)設(shè)施投資的持續(xù)樂觀情緒推動(dòng)了這波漲勢(shì)。據(jù)路透報(bào)道，英偉達(dá)正向臺(tái)積電追加H200芯片訂單。摩根士丹利指出，2026年存儲(chǔ)器供應(yīng)正在收緊而非放松，并將DRAM和NAND價(jià)格預(yù)期分別上調(diào)62%和75%。

分析師普遍認(rèn)為AI熱潮將延續(xù)至2026年。Bernstein將臺(tái)積電列為首選股，預(yù)計(jì)其2026年和2027年?duì)I收將分別增長(zhǎng)23%和20%。德意志銀行全球宏觀研究主管Jim Reid表示，持續(xù)的全球增長(zhǎng)、AI潛力的樂觀情緒以及央行降息，將繼續(xù)推動(dòng)金融資產(chǎn)表現(xiàn)。

臺(tái)積電2nm量產(chǎn)兌現(xiàn)，訂單需求旺盛

日前，臺(tái)積電在官網(wǎng)低調(diào)宣布，其2nm制程（N2）技術(shù)已按計(jì)劃于2025年第四季度投入量產(chǎn)，標(biāo)志著全球半導(dǎo)體行業(yè)正式邁入2nm時(shí)代。這一技術(shù)采用第一代納米片晶體管架構(gòu)，相比N3E工藝，在同等功耗下性能提升10%-15%，在同等速度下功耗降低25%-30%。

N2工藝采用了環(huán)柵（Gate-All-Around）納米片晶體管技術(shù)，突破了此前FinFET架構(gòu)在3nm節(jié)點(diǎn)面臨的物理極限。該技術(shù)將電流通道由豎立的"鰭"變?yōu)樗蕉询B的"納米片"，柵極可從四面完全包裹通道，大幅降低漏電并提升晶體管密度。相對(duì)于純邏輯電路設(shè)計(jì)，N2P工藝的晶體管密度比N3E提升約20%。

臺(tái)積電CEO魏哲家在十月財(cái)報(bào)會(huì)議上表示，N2進(jìn)展順利且良率良好，預(yù)計(jì)2026年在智能手機(jī)和高性能計(jì)算、AI應(yīng)用推動(dòng)下實(shí)現(xiàn)更快產(chǎn)能爬坡。公司計(jì)劃在高雄晶圓二十二廠和新竹晶圓二十廠同步擴(kuò)產(chǎn)，罕見地采取"雙線作戰(zhàn)"策略，同時(shí)服務(wù)手機(jī)芯片和AI服務(wù)器芯片兩條產(chǎn)品線。

臺(tái)積電還在推進(jìn)更先進(jìn)制程的布局。公司計(jì)劃于2026年下半年量產(chǎn)N2P和A16工藝，其中A16采用背面供電技術(shù)，主要針對(duì)AI和高性能計(jì)算處理器。1.4nm制程工廠的地基工程已于2025年11月動(dòng)工，風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)預(yù)計(jì)2027年啟動(dòng)，量產(chǎn)目標(biāo)定于2028年。

同時(shí)，據(jù)路透報(bào)道，英偉達(dá)正向臺(tái)積電追加H200芯片訂單。消息人士稱，英偉達(dá)已要求臺(tái)積電開始生產(chǎn)這批額外芯片，預(yù)計(jì)工作將于2026年第二季度啟動(dòng)。

三星HBM4獲客戶認(rèn)可，重回競(jìng)爭(zhēng)軌道

三星電子周五股價(jià)大漲7.2%，創(chuàng)下收盤歷史新高，主要受公司HBM4業(yè)務(wù)獲得客戶積極評(píng)價(jià)的消息提振。

據(jù)華爾街見聞此前文章指出，三星電子聯(lián)席CEO全永鉉在新年致辭中透露，公司的HBM4產(chǎn)品已展示出"差異化的競(jìng)爭(zhēng)力"，并贏得客戶"三星回來了"的高度評(píng)價(jià)。

這一表態(tài)極大提振了投資者信心，市場(chǎng)預(yù)期三星正逐步縮小此前在高帶寬內(nèi)存市場(chǎng)與SK海力士的差距，并有望在2026年憑借下一代HBM產(chǎn)品重新進(jìn)入英偉達(dá)的核心供應(yīng)鏈。

此次股價(jià)大漲也得益于亞洲科技股的整體共振及行業(yè)基本面的強(qiáng)力支撐。周五，受壁仞科技上市表現(xiàn)及DeepSeek相關(guān)進(jìn)展引發(fā)的AI投資熱潮影響，恒生科技指數(shù)一度飆升4.3%。

宏觀數(shù)據(jù)方面，韓國(guó)12月半導(dǎo)體出口同比激增43%，印證了三星、SK海力士在全球AI硬件繁榮中的重要性。

分析師看好AI芯片供應(yīng)鏈前景

Bernstein將臺(tái)積電列為首選股，認(rèn)為其在質(zhì)量、風(fēng)險(xiǎn)和估值方面具有優(yōu)勢(shì)。該行指出，在沒有有意義的挑戰(zhàn)者的情況下，臺(tái)積電是AI芯片的實(shí)際生產(chǎn)商，因此是AI增長(zhǎng)的主要受益者之一。

Bernstein預(yù)計(jì)AI和臺(tái)積電在先進(jìn)技術(shù)方面的領(lǐng)導(dǎo)地位將推動(dòng)公司2026年?duì)I收增長(zhǎng)23%，2027年增長(zhǎng)20%。

該行還表示，更溫和的匯率環(huán)境和更好的成本控制將減輕海外生產(chǎn)的成本負(fù)擔(dān)，預(yù)計(jì)臺(tái)積電每股收益在同期將以20%的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)，略慢于營(yíng)收增速。

此外，摩根士丹利強(qiáng)調(diào)，2026年存儲(chǔ)器市場(chǎng)正在收緊而非放松。該行認(rèn)為制造約束與更強(qiáng)需求相碰撞，并將2026年DRAM平均價(jià)格預(yù)期上調(diào)62%，NAND上調(diào)75%。

受H200芯片需求激增影響，該行不再預(yù)期HBM3E平均價(jià)格下降，并大幅上調(diào)美光盈利預(yù)期，將2026年和2027年每股收益預(yù)期分別上調(diào)56%和63%。