八年前，如果你拆開任何一臺電腦或手機，里面的存儲芯片——無論是臨時存儲數(shù)據(jù)的DRAM，還是永久存儲文件的NAND閃存——幾乎百分之百來自國外。

2017年，中國在這些核心存儲芯片領(lǐng)域的產(chǎn)能是零，市場份額也是零。這是一個完全依賴進(jìn)口、被人“卡著脖子”的領(lǐng)域。

但八年時間，能改變什么？

今天，局面已經(jīng)悄然不同。在DRAM內(nèi)存芯片領(lǐng)域，中國的長鑫存儲擠進(jìn)了全球前四，排在三巨頭三星、SK海力士和美光之后。

在NAND閃存領(lǐng)域，長江存儲位列全球第五，緊隨三星、SK海力士、美光和鎧俠。從零到躋身全球主要玩家行列，這條路中國企業(yè)走了八年。

當(dāng)然，實事求是地說，無論是產(chǎn)能規(guī)模還是最頂尖的技術(shù)，中國企業(yè)與前面幾位“老大哥”相比，仍有差距。這沒什么好避諱的，半導(dǎo)體行業(yè)是資金、人才、技術(shù)密集的超級馬拉松，領(lǐng)先者積累了數(shù)十年。但關(guān)鍵的變化在于，差距正在被肉眼可見地拉近。中國公司沒有停下，他們一直在埋頭研發(fā)，一納米一納米地追趕。

最近的一個新動向，更是讓行業(yè)嗅到了變天的味道：長江存儲正式殺入了一個叫做“HBF”的新戰(zhàn)場，直接叫板三星和美光。

很多人聽說過HBM，那是給AI芯片用的高性能內(nèi)存，風(fēng)頭正勁。但HBF是什么？簡單打個比方：如果把HBM理解成AI超算里“速度極快的工作臺”（臨時處理數(shù)據(jù)），那么HBF就是為它配套的“超大、超快的材料柜”（存儲數(shù)據(jù)）。

它是一種具有低延遲、高帶寬特點的高性能NAND閃存，可以看作是未來AI數(shù)據(jù)存儲的“超級硬盤”。

長江存儲為什么敢碰這個高技術(shù)門檻的領(lǐng)域？因為它手里有“王牌”——晶棧Xtacking架構(gòu)。

這種架構(gòu)本質(zhì)是一種先進(jìn)的芯片堆疊和混合鍵合技術(shù)，巧了，這正是制造HBF芯片所需的核心技術(shù)之一。

長江存儲在這方面積累了大量的專利，實力強到連三星、SK海力士這樣的巨頭，在某些環(huán)節(jié)都需要獲得它的專利許可。如今，他們正是要拿著自己的優(yōu)勢技術(shù)，去一個全新的增量市場里搶跑道。

AI的狂飆突進(jìn)，催生了對HBM和HBF這類高性能存儲的海量需求。市場正處于爆發(fā)前夜，大家都在同一起跑線研發(fā)，誰先量產(chǎn)，誰就能制定規(guī)則、占領(lǐng)市場。

這就像前幾年的HBM競賽，SK海力士因為押注早、跑得快，一舉超越了三星，成為霸主?，F(xiàn)在，在HBF這個新賽道上，類似的歷史機遇窗口再次打開。

長江存儲的入局，意味著中國存儲芯片產(chǎn)業(yè)不再滿足于在傳統(tǒng)領(lǐng)域追趕，而是開始利用自身的技術(shù)特色，在面向未來的前沿領(lǐng)域與巨頭們“掰手腕”。

接下來的HBF之爭，是一場關(guān)鍵考驗。它未必能立刻決定全球存儲格局，但它無疑在證明一件事：那個曾經(jīng)在存儲芯片版圖上空白的區(qū)域，已經(jīng)有了不容忽視的聲音和力量。

這場沉默的戰(zhàn)爭，還在繼續(xù)。好戲，才剛剛開始。