隨著AI大模型對算力需求持續(xù)增長，數(shù)據(jù)中心內(nèi)部的數(shù)據(jù)傳輸正面臨帶寬、功耗和距離的多重挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)電互連方案在高速場景下已接近物理極限，業(yè)界開始探索新型互連技術(shù)路徑。

近期，Micro LED因其低功耗、高并行密度和與CMOS工藝兼容等特性，逐漸進入短距光互連的研究視野。相比電互連，基于Micro LED的光互連方案具備以下優(yōu)勢：

全鏈路功耗可低于 1 pJ/bit；

單芯片集成數(shù)百個發(fā)光單元，支持 Tbps級聚合帶寬；

光信號不受電磁干擾，適合高密度服務(wù)器環(huán)境；

與CMOS工藝兼容性高。

目前，海外已有企業(yè)如Avicena、Credo推進相關(guān)產(chǎn)品開發(fā)，部分頭部云廠商和芯片公司也在進行技術(shù)評估。

在此背景下，芯元基半導(dǎo)體正式啟動面向光通信應(yīng)用的Micro LED專項研發(fā)。

作為國內(nèi)較早布局GaN Micro LED的企業(yè)之一，芯元基在材料、器件和集成方面積累了一定基礎(chǔ)：

擁有自主研發(fā)的4–6英寸DPSS GaN外延平臺，位錯密度 <~×10? cm?2；

已實現(xiàn) <10μm像素尺寸的藍光Micro LED陣列，發(fā)光波長集中在 420–450nm；

單通道調(diào)制速率實測超過 8 Gbps，支持獨立尋址；

當(dāng)前正聚焦電流注入效率提升、像素隔離優(yōu)化，并探索與CMOS驅(qū)動IC的集成方案。

“我們的目標(biāo)是開發(fā)適用于光互連場景的‘通信級’GaN光發(fā)射芯片?！?br/>—— 芯元基技術(shù)負責(zé)人

Micro LED光通信仍處于技術(shù)驗證階段。全球主要參與者預(yù)計在2027年后逐步推進產(chǎn)品落地，相關(guān)接口標(biāo)準(zhǔn)尚在制定中。

芯元基此次布局，是公司在顯示與照明之外，向信息傳輸領(lǐng)域的一次技術(shù)延伸。后續(xù)將結(jié)合產(chǎn)業(yè)需求，穩(wěn)步推進器件性能優(yōu)化與系統(tǒng)協(xié)同驗證。

來源： 芯元基

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