IT之家 12 月 24 日消息，硬件檢測軟件 HWiNFO 近日發(fā)布的 v8.35 Beta 版本更新日志中，赫然出現(xiàn)了“添加支持 AMD EXPO 1.20”的字樣，標志著 AMD 正在開發(fā)下一代內(nèi)存超頻技術。

IT之家注：EXPO 全稱為 Extended Profiles for Overclocking，是 AMD 推出的“內(nèi)存一鍵超頻”功能。該功能類似于英特爾的 XMP 技術，內(nèi)存廠商在出廠時會將測試好的最佳頻率和時序參數(shù)寫入內(nèi)存條中。

用戶在 AMD 主板 BIOS 中開啟 EXPO 功能后，系統(tǒng)會自動讀取并應用這些參數(shù)，無需手動反復調(diào)試即可讓內(nèi)存運行在標稱的高性能速度下。

AM5 主板目前更新 AGESA 固件后，已能支持 8000 MT/s 甚至更高頻率的 DDR5 內(nèi)存。然而，EXPO 1.20 的推出顯然有著更明確的戰(zhàn)術目標。

分析指出，該技術極有可能是為計劃于 2026 年上半年發(fā)布的 Ryzen 9000G 系列（代號“Strix”）APU 量身定制，通過 EXPO 1.20 提供的優(yōu)化配置文件，用戶有望更輕松地釋放 APU 的圖形性能與 NPU 算力。

除了軟件層面的 EXPO 升級，主板廠商還透露了 AMD 在硬件層面的重大規(guī)劃。消息顯示，AMD 正積極致力于在 AM5 平臺上引入對 CUDIMM（帶時鐘驅(qū)動的無緩沖雙列直插內(nèi)存模塊）的支持。

CUDIMM 在傳統(tǒng)內(nèi)存條上增加了一顆 CKD（時鐘驅(qū)動器）芯片。這顆芯片能重新生成并緩沖時鐘信號，解決了高頻下信號衰減和不穩(wěn)定的問題，從而讓 DDR5 內(nèi)存能夠突破更高的頻率極限（如 9000 MT/s 以上）。

雖然這一功能不會隨 EXPO 1.20 立即上線，但預計將在 2026 年下半年隨基于 Zen 6 架構的新一代 Ryzen 處理器正式實裝。此舉將填補 AMD 在內(nèi)存技術上與英特爾的差距，后者已在 Arrow Lake 及未來的 Nova Lake 平臺上大力推廣 CUDIMM，以實現(xiàn)更高的內(nèi)存頻率與穩(wěn)定性。