光刻機(jī)，絕對(duì)是芯片產(chǎn)業(yè)最為牽動(dòng)敏感神經(jīng)的設(shè)備。

原因是我們相比于國(guó)際頂尖水平，太落后了，和ASML相比的話，應(yīng)該落后起碼有10年吧。

早幾天，ASML的CEO都稱(chēng)，ASML賣(mài)給中國(guó)的光刻機(jī)，其實(shí)是相當(dāng)于2014年左右的水平，落后了8代，就這樣的光刻機(jī)，都比中國(guó)本土的強(qiáng)。

而光刻機(jī)是制造芯片必不可少的設(shè)備，ASML這樣卡脖子，已經(jīng)嚴(yán)重影響到我們的芯片制造水平了。

所以大家期望國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)能突破，特別是EUV光刻機(jī)突破，因?yàn)镋UV光刻機(jī)，可以用于制造7nm以下芯片，ASML是被禁止賣(mài)給中國(guó)的。

在這樣的背景之下，一旦有什么EUV光刻機(jī)，或者能夠繞過(guò)EUV光刻機(jī)，制造5nm及以下芯片的技術(shù)出現(xiàn)，都能讓大家興奮。

而近日，有媒體報(bào)道稱(chēng)，日本企業(yè)DNP(日本印刷株式會(huì)社)宣布，研發(fā)出了線寬為10nm的NIL納米壓印機(jī)，而10nn的線寬，意味著相當(dāng)于1.4nm級(jí)別的邏輯芯片了。

于是網(wǎng)友們炸鍋了，什么日本為何這么厲害，我們?yōu)楹芜@么落后，什么日本的1.4nm這種“光刻機(jī)”會(huì)不會(huì)賣(mài)給我們之類(lèi)的。

當(dāng)然，日本研發(fā)出這樣的NIL納米壓印技術(shù)，也并不是不可能，畢竟之前佳能也研發(fā)出了所謂的能夠制造5nm，甚至3nm芯片的NIL納米壓印機(jī)。

但如果認(rèn)為它就是能夠制造1.4nm芯片，能夠替代EUV，那就大錯(cuò)特錯(cuò)了，別聽(tīng)日本來(lái)吹牛了。

NIL和EUV是完全不同的路線，NIL類(lèi)似于蓋章，先要雕刻一個(gè)母板，將芯片的電路圖刻到這個(gè)母板上，然后再將母板壓到硅晶圓上，于是電路圖就像蓋章一樣，蓋上去了，這就是所謂納米壓印的原因。

母板與芯片的比例是1:1的，然后這么去印，損耗是非常大的，可能蓋個(gè)50次就得報(bào)廢，又得重新制造母板……蓋50次又報(bào)廢，又得重新制造。

所以納米壓印無(wú)法制造高精度的芯片，特別是復(fù)雜的邏輯芯片，幾乎就不太可能用它來(lái)制造。最多用于NAND、DRAM這樣的存儲(chǔ)芯片上。

其次，納米壓印的效率非常低，和EUV完全不是一個(gè)級(jí)別的對(duì)比。

EUV制造掩模板時(shí)，可以不需要那么精細(xì)，因?yàn)楣饩€可以放大，通常制造4：1比例的就行，同時(shí)光線照射掩膜版，不會(huì)直接接觸，一塊掩膜版，可以用幾千次才報(bào)廢。

所以納米壓印，是不可能取代EUV的，所謂的1.4nm納米壓印機(jī)，更多的還是吹牛，或許并不是廠商吹出來(lái)的，而是媒體吹出來(lái)的。

納米壓印，真的的用武之地，其實(shí)是實(shí)驗(yàn)室，如果有一些先進(jìn)芯片要制造，但又不可能搞出EUV生產(chǎn)線，成本太高了，且生產(chǎn)的量也小，用納米壓印，成本低，精度還行。

按照DNP的說(shuō)法，他們要力爭(zhēng)在 2030 財(cái)年，將納米壓印相關(guān)業(yè)務(wù)的營(yíng)收，提升至 40 億日元（約 1.8 億元人民幣）。

你說(shuō)說(shuō)看，1.8億人民幣的收入，就能讓替代EUV么，制造1.4nm芯片么，一臺(tái)好一點(diǎn)的DUV光刻機(jī)，都是幾億人民幣，所以大家散了吧，看看就好，真正大規(guī)模的芯片制造，還是老老實(shí)實(shí)的研發(fā)EUV才是最靠譜的方案。