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英飛凌10顆氮化鎵器件可批量應用在工業(yè)惡劣環(huán)境

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前言

充電頭網了解到,英飛凌推出了共10款工業(yè)級CoolGaN??,全部通過JEDEC工業(yè)應用標準驗證。新產品涵蓋低壓與高壓GaN,兼具高速開關、極低電荷參數、零反向恢復電荷、緊湊封裝及優(yōu)異散熱性能,可顯著提升系統(tǒng)效率、減少體積并降低BOM成本,為新一代高性能電源系統(tǒng)提供更高可靠性與更廣設計自由度。

據了解,JEDEC工業(yè)應用標準是由固態(tài)技術協(xié)會制定的一系列規(guī)范,用于確保半導體器件在工業(yè)環(huán)境下的可靠性和穩(wěn)定性。它涵蓋器件的環(huán)境應力測試,例如如高低溫循環(huán)、濕熱老化、熱沖擊、封裝與防潮等級規(guī)范、以及擴展溫度范圍內的電氣性能要求。通過統(tǒng)一的測試和規(guī)范,JEDEC工業(yè)標準保證器件在苛刻工業(yè)條件下長期穩(wěn)定運行。而英飛凌本次推出符合JEDEC工業(yè)應用標準的氮化鎵器件可有效確保在惡劣環(huán)境工作穩(wěn)定性。

英飛凌氮化鎵器件



英飛凌推出10款工業(yè)級氮化鎵,其中3款CoolGaN? G3低壓氮化鎵,耐壓覆蓋100~120V,導阻覆蓋2.7~9.4mΩ;7款CoolGaN? G5高壓氮化鎵耐壓覆蓋600~700V,導阻覆蓋66~330mΩ。

如您需要英飛凌氮化鎵功率器件產品詳盡規(guī)格書,可掃描下方海報二維碼,即刻獲取最新資料!

獲取英飛凌氮化鎵規(guī)格書

簡單看過英飛凌氮化鎵功率器件產品規(guī)格書獲取方式,充電頭網繼續(xù)為您介紹這10款器件的參數信息。

低壓器件

英飛凌CoolGaN? G3系列覆蓋60V、80V、100V和120V電壓等級,以及40V雙向開關(BDS)器件,主要面向電機驅動、電信、數據中心、太陽能和消費應用。

英飛凌IGB110S101



IGB110S101是一款100 V常關型emode功率晶體管,采用小型PQFN 3x3封裝,可實現高功率密度設計。由于其導通電阻低,它是要求高電壓和大電流應用中可靠性能的理想選擇。

英飛凌IGC033S101



IGC033S101是一款 100V常關型 emode 功率晶體管,采用小型 PQFN 3x5 封裝,可實現高功率密度設計。由于其導通電阻低,它是要求高電壓和大電流應用中可靠性能的理想選擇。

英飛凌IGC037S12S1



IGC037S12S1 是一款120 V常關型 emode 功率晶體管,采用小型 PQFN 3x5 封裝,可實現高功率密度設計。由于其導通電阻非常低,它是要求高電壓和大電流應用中可靠性能的理想選擇。

高壓器件

英飛凌CoolGaN? G5氮化鎵功率晶體管可實現高頻工況下的效率提升,并滿足最高質量標準,能夠打造具有超高效率的高可靠性設計,該系列GaN氮化鎵晶體專為各種工業(yè)與消費類應用中的最優(yōu)散熱性能而設計。

英飛凌IGI60L2727B1M



IGI60L2727B1M 結合了一個半橋功率級,該功率級由兩個 270 mΩ(典型 Rdson)/ 600 V 增強型 CoolGaN? 開關組成,帶有集成柵極驅動器,封裝為小型 6 x 8 mm TFLGA-27。在低至中功率領域(圖 1 中的示例配置),因此非常適合支持利用 CoolGaN? 功率開關優(yōu)越開關特性設計高密度電機驅動器和開關電源(SMPS)。

英飛凌的 CoolGaN? 及相關功率開關提供了非常穩(wěn)健的柵極結構。當在“導通”狀態(tài)下由幾毫安的連續(xù)柵極電流驅動時,始終保證最小導通電阻 Rdson。

英飛凌IGLT65R055D2



在產品特點層面,IGLT65R055D2為一顆650V增強型功率晶體管、超高速開關、無反向恢復電荷、可反向傳導低柵極電荷、低輸出電荷、66mΩ低導通電阻RDS(on)、頂部冷卻封裝、通過JEDEC認證(JESD47、JESD22);在應用領域層面,可用于電信基礎設施的AC-DC電源轉換、AI數據中心、工業(yè)電源、USB-C適配器和充電器電源轉換。

英飛凌IGOT65R055D2



在產品特點層面,IGOT65R055D2為一顆650V增強型功率晶體管、超高速開關、無反向恢復電荷、可反向傳導低柵極電荷、低輸出電荷、66mΩ低導通電阻RDS(on)、頂部冷卻封裝、通過JEDEC認證(JESD47、JESD22);在應用領域層面,可用于電信基礎設施的AC-DC電源轉換、AI數據中心、工業(yè)電源、USB-C適配器和充電器電源轉換。

英飛凌IGT65R055D2



在產品特點層面,IGT65R055D2為一顆650V增強型功率晶體管、超高速開關、無反向恢復電荷、可反向傳導低柵極電荷、低輸出電荷、66mΩ低導通電阻RDS(on)、底部冷卻封裝、通過JEDEC認證(JESD47、JESD22);在應用領域層面,可用于電信基礎設施的AC-DC電源轉換、AI數據中心、工業(yè)電源、USB-C適配器和充電器電源轉換。

英飛凌IGLD65R110D2



該器件在產品特點層面,IGLD65R110D2為一顆650V增強型功率晶體管、超高速開關、無反向恢復電荷、可反向傳導低柵極電荷、低輸出電荷、140mΩ低導通電阻RDS(on)、底部冷卻封裝、通過JEDEC認證(JESD47、JESD22);在應用領域層面,可用于電信基礎設施的AC-DC電源轉換、AI數據中心、工業(yè)電源、USB-C適配器和充電器電源轉換。

英飛凌IGLR65R270D2



在產品特點層面,IGLD65R110D2為一顆650V增強型功率晶體管、超高速開關、無反向恢復電荷、可反向傳導低柵極電荷、低輸出電荷、330mΩ低導通電阻RDS(on)、底部冷卻封裝、通過JEDEC認證(JESD47、JESD22);在應用領域層面,可用于電信基礎設施的AC-DC電源轉換、AI數據中心、工業(yè)電源、USB-C適配器和充電器電源轉換。

英飛凌IGD70R140D2S



該器件在產品特點層面,IGLD65R110D2為一顆650V增強型功率晶體管、超高速開關、無反向恢復電荷、可反向傳導低柵極電荷、低輸出電荷、170mΩ低導通電阻RDS(on)、底部冷卻封裝、通過JEDEC認證(JESD47、JESD22);在應用領域層面,可用于電信基礎設施的AC-DC電源轉換、AI數據中心、工業(yè)電源、USB-C適配器和充電器電源轉換。

充電頭網總結

英飛凌此次推出的10款工業(yè)級CoolGaN??產品實現了從100V到700V的全耐壓覆蓋,提供多種適用于同步整流、LLC/圖騰柱PFC、DC-DC轉換、電機驅動、機器人、電動交通、電信服務器電源及儲能系統(tǒng)的解決方案。低壓系列強調超低導阻與高速開關,高壓系列則進一步強化了反向導通能力、工業(yè)級魯棒性與適用于高密度拓撲的性能。所有器件均符合JEDEC工業(yè)級可靠性標準,能夠在高溫、濕熱、沖擊等苛刻環(huán)境中穩(wěn)定運行,為高效率、小型化與高功率密度電源設計提供更全面、更可靠的選擇,加速高性能電源系統(tǒng)向全氮化鎵時代邁進。

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