根據(jù)IDC機構(gòu)的測算，2025年全球人工智能服務器市場規(guī)模將達到1587億美元，2028年更有可能飛躍式增長至2227億美元。AI數(shù)據(jù)中心發(fā)展勢頭迅猛的同時，也帶來了一個極為嚴峻的問題——電力告急!因此GaN技術(shù)變得十分重要。

一、AI大模型耗電量驚人，GaN技術(shù)成省電關(guān)鍵

這可不是在危言聳聽。以著名的OpenAI為例：其GPT-3級別模型單次訓練的耗電量約為128.7萬度，相當于300戶美國家庭一年的用電量;GPT-4級別模型單次訓練耗電量達2.4億度，相當于3000戶美國家庭的年用電量。

GPT-5模型的耗電量，更是堪稱“能耗怪獸”，日耗電量峰值可達4500萬度，基本等同于150萬戶美國家電的日用電量。

未來隨著AI大模型的更新迭代，其耗電量勢必還會呈指數(shù)級增長!

正因如此，應用于AI服務器電源的電源模塊和其中的電源管理芯片就顯得尤為重要。電源模塊的性能越高，就能夠更有效地減少電力轉(zhuǎn)換中的損耗，是一種變相的省電。

但傳統(tǒng)的硅基電源模塊和電源管理芯片面臨著一個迫切的問題：AI的計算任務不像傳統(tǒng)服務器那樣平穩(wěn)，它更像一場隨時可能爆發(fā)的“腦力沖刺”，需要電源能在瞬間提供高達平時兩倍的電力，并且穩(wěn)定不波動。

經(jīng)過多年的開發(fā)后，硅基芯片的技術(shù)已然非常成熟無限接近其物理極限。然而隨著AI服務器電源對于轉(zhuǎn)換效率的要求越來越高，硅基芯片已經(jīng)顯得有些“過時”。

在這樣的背景下，業(yè)界將目光投向第三代半導體材料，特別是GaN(氮化鎵)。與傳統(tǒng)的硅材料相比，氮化鎵具有更高的電子遷移率(約1500 cm2/V·s，遠超硅的1400 cm2/V·s)、更寬的禁帶寬度(3.4 eV，是硅的3倍以上)和更強的耐高溫性能，理論上能夠?qū)崿F(xiàn)更高的開關(guān)頻率、更低的導通損耗和更小的器件體積。

這意味著采用GaN技術(shù)的電源，能在更小的體積里，以更少的自身損耗，更穩(wěn)定地輸送電力，直接擊中當前AI數(shù)據(jù)中心“電不夠用、電費太高、空間太緊”的三大痛點。

二、年省近3億度電，九峰山GaN技術(shù)電源模塊“顯威”

當然，對于第三代半導體GaN技術(shù)在AI服務器電源中的應用來說，“實踐才是檢驗真理的唯一標準”。

12月4日，九峰山實驗室公開了面向超大型AI算力中心的高功率氮化鎵電源模塊方案，完美地詮釋了GaN技術(shù)電源模塊在AI服務器電源應用上的優(yōu)勢。

根據(jù)其披露的信息，這個GaN電源模塊只有指甲蓋大小，并且如果將100萬個這樣的GaN電源模塊，集成部署于一座1吉瓦(10億瓦)容量的AI算力中心，每年可節(jié)約近3億度電(日均超82萬度)!

并且這個項目已經(jīng)完成了關(guān)鍵的概念驗證，正穩(wěn)步邁向中試驗證階段，預計在未來3-5年內(nèi)實現(xiàn)量產(chǎn)，直指AI服務器電源千億級的市場需求。

三、“同志仍需努力”，國產(chǎn)GaN半導體任重道遠

不過凡事都有兩面性。GaN材料這樣的三代半材料應用于AI服務器電源模塊后，帶來的能效提升固然讓人欣喜萬分，但也同樣要對這項技術(shù)說一句“革命尚未成功，同志仍需努力”。

在消費電子領(lǐng)域，國產(chǎn)GaN材料技術(shù)已取得初步成功，比如手機快充充電器、筆記本電腦適配器等;然而在對可靠性、壽命要求極高的數(shù)據(jù)中心和工業(yè)領(lǐng)域，其大規(guī)模應用仍需時間驗證。

未來幾年，GaN材料電源技術(shù)在AI算力中心的應用將面臨幾個關(guān)鍵考驗：

可靠性與壽命驗證： 數(shù)據(jù)中心電源需要滿足7×24小時不間斷運行、使用壽命超過10年的嚴苛要求。GaN器件在長期高溫、高功率工況下的可靠性表現(xiàn)，需要通過大量實地運行數(shù)據(jù)來驗證。

成本與供應鏈問題： 盡管GaN材料有潛在的成本優(yōu)勢，但當前的制造良率、襯底材料成本以及封裝測試等環(huán)節(jié)的成本控制，仍是影響其大規(guī)模商業(yè)化的重要因素。

系統(tǒng)集成挑戰(zhàn)：高效率的GaN材料器件需要與之匹配的驅(qū)動電路、拓撲結(jié)構(gòu)和控制策略，才能真正發(fā)揮其性能優(yōu)勢。這需要電源系統(tǒng)設(shè)計、熱管理、電磁兼容等多方面的協(xié)同創(chuàng)新。

從更宏觀的視角看，AI服務器的能耗問題不可能只靠GaN技術(shù)就能解決。芯片級能效提升、液冷等先進冷卻技術(shù)、余熱回收利用、智能化能源管理以及清潔能源接入等多個維度的協(xié)同創(chuàng)新都十分重要。

這并不意味著以GaN材料為代表的第三代半導體技術(shù)不重要。相反，在中國半導體目前仍落后于西方國家的背景下，第三代半導體技術(shù)將會是國產(chǎn)替代一個很好的“換道超車”契機。

畢竟，第三代半導體避開了傳統(tǒng)硅基芯片的制程封鎖，憑借中國在新能源等領(lǐng)域的巨大市場和完整產(chǎn)業(yè)鏈，以應用需求定義技術(shù)路線，完全有望實現(xiàn)從材料到系統(tǒng)的自主突破和產(chǎn)業(yè)升維。

目前，中國在第三代半導體領(lǐng)域的研發(fā)投入持續(xù)增加，多地已布局相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈。這種分散化的研發(fā)格局有利于技術(shù)路線的多元探索，但也可能面臨資源分散、重復投入的挑戰(zhàn)。

如何形成GaN材料產(chǎn)學研有效協(xié)同、構(gòu)建健康的產(chǎn)業(yè)生態(tài)，將是決定中國在該領(lǐng)域能否實現(xiàn)實質(zhì)性突破的關(guān)鍵。

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