外媒披露臺(tái)積電計(jì)劃起訴前高管羅唯仁，原因是這位資深高管曾負(fù)責(zé)2納米工藝研發(fā)，而Intel在招攬了羅唯仁之后讓他負(fù)責(zé)的正是先進(jìn)工藝制程，這讓臺(tái)積電相當(dāng)擔(dān)憂它的最先進(jìn)工藝泄密，更擔(dān)憂Intel因此成為它的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

需要注意的是羅唯仁曾在Intel工作，在Intel工作了18年，負(fù)責(zé)了Intel的芯片研發(fā)和制造工作，對(duì)芯片工藝有很深刻的認(rèn)識(shí)，臺(tái)積電正是看到他在芯片技術(shù)方面的積累，而在50多歲的年紀(jì)招攬了羅唯仁。

羅唯仁在臺(tái)積電工作了21年，直到75歲退休，而他在臺(tái)積電的時(shí)候曾做到資深副總經(jīng)理，參與或負(fù)責(zé)了從45納米到2納米工藝的研發(fā)，當(dāng)然相當(dāng)熟悉臺(tái)積電的先進(jìn)工藝研發(fā)，只是臺(tái)積電沒想到的是他到了這個(gè)年紀(jì)之后，并沒正式退休，轉(zhuǎn)身又加入了老東家Intel。

Intel已更換了CEO，新任CEO陳立武也是一位華人，他在上任之后強(qiáng)調(diào)會(huì)加快推進(jìn)先進(jìn)工藝的研發(fā)，而且研發(fā)先進(jìn)工藝不僅是為了自家的芯片服務(wù)，還希望繼續(xù)發(fā)展芯片代工業(yè)務(wù)，而前CEO基辛格恰恰是因?yàn)榘l(fā)展芯片代工業(yè)務(wù)導(dǎo)致巨額虧損而離職。

此時(shí)Intel找來羅唯仁目的不言自明，當(dāng)然是希望依靠羅唯仁在臺(tái)積電工作時(shí)積累的2納米等先進(jìn)工藝技術(shù)幫助Intel加速2納米工藝乃至更先進(jìn)工藝的研發(fā)，以跟上臺(tái)積電的腳步。

目前全球芯片制造企業(yè)之中，臺(tái)積電居于第一名，三星在技術(shù)方面居于第二名，不過普遍認(rèn)為三星從5納米工藝以來，在技術(shù)方面如晶體管密度、功耗等方面都已落后于臺(tái)積電，在3納米工藝上又在良率方面落后，直接導(dǎo)致如今全球已沒有芯片企業(yè)愿意采用三星的先進(jìn)工藝了。

Intel則是另一家最有實(shí)力挑戰(zhàn)臺(tái)積電的芯片制造企業(yè)，其實(shí)Intel當(dāng)年也曾遙遙領(lǐng)先，一直到2014年量產(chǎn)14納米工藝的時(shí)候仍然領(lǐng)先臺(tái)積電2-3年，但是此后Intel的工藝研發(fā)就逐漸停滯，而臺(tái)積電則維持著1-2年升級(jí)一代工藝的腳步，后來Intel更曾用參數(shù)證明臺(tái)積電的7納米工藝不過與Intel的10納米工藝相當(dāng)。

高通等芯片企業(yè)也曾被傳出在內(nèi)部認(rèn)為臺(tái)積電的10納米、7納米等工藝存在注水的問題，而業(yè)界人士更指出其實(shí)從28納米以下就已明顯改變了芯片工藝的命名規(guī)則，從那時(shí)候起芯片工藝的多少納米不再是柵極間距，而是等效工藝，即是每提升多少性能、降低多少功耗就算一代工藝。

在5納米之前，每一代工藝能提升兩成到三成性能，而3納米工藝生產(chǎn)的蘋果A系處理器僅是提升了一成左右的性能，凸顯出臺(tái)積電的先進(jìn)工藝水分可能更大了。

不過芯片企業(yè)選擇了默認(rèn)，原因就是更先進(jìn)的工藝數(shù)字，有助于芯片企業(yè)進(jìn)行營(yíng)銷，既然是一個(gè)雙贏的局面，那何必非要較真呢？

如此情況下，熟悉臺(tái)積電技術(shù)研發(fā)路徑的羅唯仁確實(shí)可以幫助Intel加速先進(jìn)工藝的研發(fā)，只要給Intel指點(diǎn)如何提升芯片工藝性能的方法，在芯片制造細(xì)節(jié)方面與臺(tái)積電有差異，臺(tái)積電就很難指證Intel侵權(quán)，這正是臺(tái)積電試圖阻止羅唯仁加入Intel的原因。