ICEPT 2025 August 5-7th Shanghai

26th International Conference on Electronic

Packaging Technology

「世界」在此聚會(huì)

第26屆電子封裝技術(shù)國際會(huì)議

2025年8月05-07日 上 海

嘉定區(qū)喜來登酒店

國際化視野：全球頂尖專家齊聚

專業(yè)化討論：前沿技術(shù)全面覆蓋

創(chuàng)新與合作的交流平臺(tái)

匯聚創(chuàng)新力量，激發(fā)無限可能

專業(yè)培訓(xùn)課程-議程 8月5日

課程1：《算力芯片的先進(jìn)封裝技術(shù)》

講師：于大全 博士

廈門云天半導(dǎo)體科技有限公司 創(chuàng)始人、廈門大學(xué) 特聘教授

課程概要：1. AI 驅(qū)動(dòng)算力芯片快速發(fā)展 2. 算力芯片的先進(jìn)封裝需求 ? 算力芯片的先進(jìn)封裝發(fā)展 1) 硅通孔中介層封裝技術(shù) 2) 有機(jī)中介層封裝技術(shù) 3) 基于橋連封裝技術(shù) 4) 玻璃中介層與玻璃基板技術(shù) 5) 光電合封技術(shù) 6) 高性能散熱技術(shù) 3. 算力芯片的先進(jìn)封裝發(fā)展趨勢與挑戰(zhàn) 4. 總結(jié)。

講師簡介：2004年就讀于大連理工大學(xué)，獲工學(xué)博士學(xué)位。曾在香港城市大學(xué)、德國弗勞恩霍夫可靠性和微集成研究所、新加坡微電子所等國際知名研究機(jī)構(gòu)開展研究工作；2010—2015年擔(dān)任中國科學(xué)院微電子研究所研究員；2014—2019年擔(dān)任天水華天科技股份有限公司封裝技術(shù)研究院院長。2019年擔(dān)任云天半導(dǎo)體董事長、廈門大學(xué)特聘教授。 擔(dān)任國家科技重大專項(xiàng)02專項(xiàng)總體組特聘專家，中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)MEMS分會(huì)副理事長，全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)委員，IEEE高級(jí)會(huì)員。先后入選中科院“百人計(jì)劃”、廈門市和福建省“百人計(jì)劃”等人才。主持多個(gè)國家科技重大專項(xiàng)02專項(xiàng)、課題，發(fā)表學(xué)術(shù)論文200余篇，授權(quán)國家發(fā)明專利70多項(xiàng)，榮獲2020年國家科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)。

課程2：《無鉛焊點(diǎn)的性能和可靠性》

講師：Jeffrey C. Suhling 教授

國際電氣電子工程師協(xié)會(huì) 封裝分會(huì)當(dāng)選主席、奧本大學(xué)教授、ASME Fellow

課程概要：本課程將全面介紹用于電子組裝與封裝中無鉛焊料材料機(jī)械行為與可靠性分析的實(shí)驗(yàn)表征與建模方法。課程重點(diǎn)在于將相關(guān)內(nèi)容應(yīng)用于實(shí)際半導(dǎo)體封裝工程實(shí)踐，并結(jié)合來自汽車、航空航天及計(jì)算機(jī)行業(yè)的多個(gè)案例分析。主要內(nèi)容包括：焊料的成分與微觀結(jié)構(gòu)、機(jī)械性能表征方法、無鉛焊料的實(shí)驗(yàn)應(yīng)力-應(yīng)變與蠕變測試數(shù)據(jù)、材料性能、各類本構(gòu)模型（彈性、塑性、蠕變、黏塑性）、單晶焊點(diǎn)的機(jī)械響應(yīng)及相關(guān)建模方法、循環(huán)應(yīng)力-應(yīng)變行為與疲勞規(guī)律、微觀結(jié)構(gòu)演化與老化效應(yīng)、各類元器件的熱循環(huán)可靠性測試數(shù)據(jù)、循環(huán)載荷下的損傷積累，以及用于焊點(diǎn)可靠性分析的有限元建模方法。課程還將介紹多項(xiàng)最新進(jìn)展，包括低溫焊接和先進(jìn)封裝中的微凸點(diǎn)技術(shù)。詳細(xì)課程內(nèi)容見下方大綱。

1.電子封裝用焊料簡介a.成分和微觀結(jié)構(gòu)b.錫鉛合金、SAC 合金、SAC+X 合金、錫鉍合金、錫銀合金等c.低溫焊料 (LTS) 和 SAC-LTS 混合焊料組件2.焊料機(jī)械行為的實(shí)驗(yàn)測試方法a.單軸和剪切力學(xué)測試（應(yīng)力-應(yīng)變、蠕變）b.納米壓痕測試和小焊點(diǎn)測試3.無鉛焊料機(jī)械行為（塊狀焊料）a.單軸和剪切應(yīng)力-應(yīng)變行為i.重要無鉛焊料的文獻(xiàn)數(shù)據(jù)ii.材料特性（模量、泊松比、屈服應(yīng)力、UTS）iii.經(jīng)驗(yàn)?zāi)Ｐ?、溫度和速率依賴性b.蠕變行為i.重要無鉛焊料的文獻(xiàn)數(shù)據(jù)焊料ii. 材料特性（蠕變速率）iii. 經(jīng)驗(yàn)蠕變速率模型、應(yīng)力和溫度相關(guān)性c. 本構(gòu)模型。

講師簡介：Jeffrey C. Suhling于1985年獲得威斯康星大學(xué)工程力學(xué)博士學(xué)位。隨后，他加入奧本大學(xué)機(jī)械工程系，目前擔(dān)任該系奎納杰出教授及系主任。 在擔(dān)任系主任之前，他曾擔(dān)任美國國家科學(xué)基金會(huì)先進(jìn)汽車電子中心（CAVE）的主任。他的研究方向?yàn)殡娮臃庋b的力學(xué)、可靠性與材料科學(xué)，重點(diǎn)涉及應(yīng)力傳感器與測試芯片、材料表征與本構(gòu)建模、可靠性測試與建模。 Suhling博士在電子封裝領(lǐng)域發(fā)表了600余篇技術(shù)論文，谷歌學(xué)術(shù)引用超過14,000次，H指數(shù)為61，已指導(dǎo)奧本大學(xué)100余名研究生。他是ASME會(huì)士、IEEE高級(jí)會(huì)員。在ASME，Suhling博士曾任電子與電氣封裝分會(huì)（EPPD）執(zhí)行委員會(huì)委員（1998-2003），2003年任分會(huì)主席，并擔(dān)任InterPACK’07會(huì)議項(xiàng)目主席、InterPACK’09大會(huì)主席，2014-2019年任ASME《電子封裝雜志》副主編，2009年獲EPPD工程力學(xué)研究獎(jiǎng)。在IEEE，Suhling博士30年來一直活躍于電子封裝學(xué)會(huì)（EPS），自2003年起擔(dān)任ECTC項(xiàng)目委員會(huì)（應(yīng)用可靠性）成員，自2007年起任ECTC專業(yè)發(fā)展課程委員會(huì)聯(lián)合主席，曾任EPS理事會(huì)成員（2014-2016）、會(huì)員服務(wù)總監(jiān)（2016-2018）、教育副主席（2019-2022）、財(cái)務(wù)副主席（2023-2024），2025年將任候任主席。Suhling博士還擔(dān)任過ITherm 2018年會(huì)項(xiàng)目主席和2019年會(huì)大會(huì)主席，2024年獲EPS William Chen杰出服務(wù)獎(jiǎng)。

課程3：《微電子封裝斷裂與分層分析》

講師：Andrew Tay 教授

新加坡國立大學(xué) 教授、IEEE Fellow

課程概要：斷裂與分層是影響微電子封裝可靠性的兩種最常見且長期存在的問題。本課程的主要目標(biāo)是幫助學(xué)員系統(tǒng)理解斷裂力學(xué)方法在微電子封裝中預(yù)測斷裂和分層的原理，并掌握相關(guān)驗(yàn)證技術(shù)。課程將詳細(xì)介紹并分析爆米花裂紋失效的機(jī)理，講解封裝可靠性認(rèn)證和回流焊過程中熱傳導(dǎo)與濕氣擴(kuò)散的仿真方法。內(nèi)容還包括界面斷裂力學(xué)的基礎(chǔ)知識(shí)，以及一些斷裂力學(xué)參數(shù)數(shù)值計(jì)算方法的介紹。課程還將講解用于預(yù)測封裝分層的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證方法，并結(jié)合實(shí)際案例分析。

1. 材料的力學(xué)性能與失效2. 微電子封裝中的濕熱應(yīng)力3. 有限元分析與應(yīng)力奇異性4. 斷裂力學(xué)方法論基礎(chǔ)5. 斷裂力學(xué)參數(shù)的確定6. 斷裂韌性的測量7. 斷裂力學(xué)方法論的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證8. 微電子封裝分層失效的案例研究9. 分層失效的內(nèi)聚力模型及案例研究。

講師簡介Andrew Tay博士現(xiàn)任新加坡國立大學(xué)（NUS）電氣與計(jì)算機(jī)工程系客座教授，同時(shí)擔(dān)任新加坡國立大學(xué)混合集成新一代微電子中心（SHINE）的訪問學(xué)者。在此之前，他曾任NUS機(jī)械工程系教授。他于澳大利亞新南威爾士大學(xué)獲得機(jī)械工程學(xué)士學(xué)位（一等榮譽(yù)及校長獎(jiǎng)?wù)拢┖筒┦繉W(xué)位。

他的研究方向包括電子封裝（熱-機(jī)械失效、分層、濕氣影響、焊點(diǎn)可靠性）、電子系統(tǒng)與電動(dòng)汽車電池的熱管理、紅外與熱反射測溫技術(shù)、太陽能光伏可靠性以及斷裂力學(xué)。

目前，他是IEEE電子封裝學(xué)會(huì)（EPS）理事會(huì)成員、EPS分會(huì)項(xiàng)目總監(jiān)及EPS杰出講師。他曾任1997年首屆電子封裝技術(shù)會(huì)議（EPTC）大會(huì)主席，并現(xiàn)任EPTC理事會(huì)主席。他曾榮獲2019年IEEE EPS David Feldman杰出貢獻(xiàn)獎(jiǎng)、2012年IEEE CPMT卓越技術(shù)成就獎(jiǎng)和2012年IEEE CPMT區(qū)域貢獻(xiàn)獎(jiǎng)。因其在工程力學(xué)在電子和/或光電子封裝領(lǐng)域的杰出應(yīng)用，于2004年獲得ASME EPPD工程力學(xué)獎(jiǎng)，并于2000年獲得IEEE第三千禧年獎(jiǎng)?wù)?。他是ASME會(huì)士及IEEE終身會(huì)士。

課程4：《異構(gòu)集成封裝與基板的MEOL設(shè)計(jì)與工藝考量》

講師：Gu-Sung Kim 教授

韓國江南大學(xué) 教授

課程概要：異構(gòu)集成是一項(xiàng)劃時(shí)代的新技術(shù)，通過整合分別制造的不同器件，實(shí)現(xiàn)更高層次的封裝和整體功能的提升。本課程將圍繞“什么是半導(dǎo)體中道工藝及相關(guān)技術(shù)”進(jìn)行講解，從ITRS最后一版提到的組裝技術(shù)出發(fā)，結(jié)合IEEE EPS HIR中的異構(gòu)集成技術(shù)，串聯(lián)‘超越摩爾’到‘系統(tǒng)摩爾’的演進(jìn)路徑。同時(shí)，還將介紹半導(dǎo)體封裝、硅中介層及基板在電學(xué)、機(jī)械和熱學(xué)仿真等耦合協(xié)同設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵概念與考慮要點(diǎn)。本報(bào)告對(duì)希望輕松理解眾多半導(dǎo)體技術(shù)與術(shù)語的聽眾，以及希望深入了解異構(gòu)集成系統(tǒng)、Chiplet、HBM及中介層所需的中道工藝以及精細(xì)線路基板工藝和設(shè)計(jì)的工程師，都將具有很高的參考價(jià)值。

講師簡介：Gu-Sung Kim目前是韓國江南大學(xué)的教職人員，同時(shí)也是電子封裝研究中心（EPRC）的創(chuàng)始人。他在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的研發(fā)工作已有35年的經(jīng)驗(yàn)。在進(jìn)入學(xué)術(shù)和研究崗位之前，金博士曾在三星電子存儲(chǔ)事業(yè)部擔(dān)任3D IC/TSV/WLP項(xiàng)目負(fù)責(zé)人長達(dá)17年。作為3D IC、TSV和中介層領(lǐng)域的發(fā)明人，他在韓國和美國共擁有130余項(xiàng)相關(guān)專利。他出版了兩本半導(dǎo)體封裝手冊，并以主講人身份發(fā)表過250余場演講和報(bào)告。金博士曾多次獲得韓國政府、學(xué)會(huì)、三星、韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（KSIA）、SEMI以及Alfred Marquis終身成就獎(jiǎng)等多項(xiàng)榮譽(yù)。

金博士于美國紐約州特洛伊市倫斯勒理工學(xué)院（Rensselaer Polytechnic Institute）獲得材料工程博士學(xué)位，并于韓國首爾延世大學(xué)（Yonsei University）獲得陶瓷工程學(xué)士學(xué)位。

目前，他擔(dān)任IEEE電子封裝學(xué)會(huì)（EPS）前理事會(huì)成員（BoG）、IEEE EPS韓國理事會(huì)（EP21, www.ieee-epskorea.org）主席、韓國半導(dǎo)體顯示技術(shù)學(xué)會(huì)（KSDT）副主席、EPRC副主席、韓國微電子與封裝學(xué)會(huì)（KMEPS）技術(shù)總監(jiān)。同時(shí)，他還是Electro-PackageMission Society（www.epcross.org）理事會(huì)主席、韓國產(chǎn)業(yè)技術(shù)保安院技術(shù)委員會(huì)委員、SEMI STS及Semiconductor Korea Symposium技術(shù)委員會(huì)成員。

課程5：《用于小芯片和異構(gòu)集成的先進(jìn)基板》

講師：劉漢誠 博士

中國臺(tái)灣欣興電子股份有限公司 科學(xué)家、IEEE Fellow

課程概要：目前，由AI（人工智能）驅(qū)動(dòng)的高性能計(jì)算（HPC）所用的大多數(shù)封裝基板，主要采用2.5D IC集成技術(shù)。通常情況下，對(duì)于2.5D或CoWoS（chip on wafer on substrate）封裝，系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）和高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）通過TSV中介層（TSV-interposer）連接，再通過焊球和底部填充（underfill）安裝在疊層封裝基板上。然而，隨著TSV中介層尺寸的不斷增大，其制造良率損失問題日益嚴(yán)重，已難以承受。NVIDIA、AMD、英特爾、SK海力士、三星、美光、臺(tái)積電等行業(yè)主要企業(yè)正積極努力，試圖消除TSV中介層，將HBM直接堆疊在SoC之上（即3.3D IC集成）。部分芯粒在前端集成（封裝前異構(gòu)集成）還可以實(shí)現(xiàn)更小的封裝尺寸和更優(yōu)的性能（即3.5D IC集成）。

過去幾年，2.3D IC集成或CoWoS-R技術(shù)也獲得了廣泛關(guān)注。其主要目標(biāo)是用扇出型精細(xì)金屬線寬/線距（L/S）重布線層（RDL）基板（或有機(jī)中介層）取代TSV中介層。一般而言，2.3D的封裝基板結(jié)構(gòu)（混合基板）包括疊層封裝基板、帶底部填充的焊點(diǎn)以及有機(jī)中介層。目前，2.3D技術(shù)已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。近期，臺(tái)積電發(fā)表了兩篇論文，介紹用LSI（局部硅互連，即硅橋）取代大尺寸TSV中介層，并將LSI嵌入扇出型RDL基板中的方法，臺(tái)積電稱之為CoWoS-L。

另外，自從英特爾宣布將在2030年前推出一萬億晶體管芯片，并采用玻璃核心基板后，玻璃核心基板成為業(yè)界熱點(diǎn)話題。隨著英特爾和博通的CPO（共封裝光學(xué)）產(chǎn)品出貨量的增加，CPO也受到廣泛關(guān)注。

本講座將介紹并探討3.5D IC集成、3.3D IC集成、3D IC集成、2.5D IC集成、2.3D IC集成、2.1D IC集成、2D IC集成、扇出型RDL、嵌入式硅橋、CoWoS-R、CoWoS-L、CPO以及玻璃核心基板等在AI驅(qū)動(dòng)的高性能計(jì)算中的最新進(jìn)展和發(fā)展趨勢，并提出相關(guān)建議。

課程大綱：

引言

基板定義

面向Chiplet和異構(gòu)集成的基板

2D IC集成

2.1D IC集成

2.3D IC集成

2.5D IC集成

3D IC集成

3.3D IC集成

3.5D IC集成

嵌入于疊層基板中的橋接結(jié)構(gòu)

嵌入于帶有RDL的扇出型EMC中的橋接結(jié)構(gòu)

玻璃核心疊層基板與TGV中介層

CPO基板

總結(jié)與建議

講師簡介：劉漢城在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域擁有40余年研發(fā)和制造經(jīng)驗(yàn)，已發(fā)表超過535篇經(jīng)同行評(píng)審的論文（其中385篇為第一作者），擁有52項(xiàng)已授權(quán)及申請中的美國專利（其中31項(xiàng)為第一發(fā)明人），并出版了24本專著。John是IEEE會(huì)士、IMAPS會(huì)士和ASME會(huì)士，并長期積極參與產(chǎn)業(yè)界、學(xué)術(shù)界及行業(yè)協(xié)會(huì)的各類會(huì)議，以貢獻(xiàn)力量、學(xué)習(xí)交流和經(jīng)驗(yàn)分享。

課程6：《MEMS封裝及其先進(jìn)應(yīng)用》

講師：田中秀治 教授

日本東北大學(xué) 教授、IEEE Fellow

課程概要：本講座概述了MEMS、聲波濾波器及相關(guān)器件的封裝技術(shù)。封裝通常分為兩個(gè)層級(jí)：（1）晶圓級(jí)封裝和（2）塑封。

晶圓級(jí)封裝是在晶圓上直接對(duì)器件進(jìn)行封裝，采用晶圓鍵合、薄膜沉積等工藝。該過程通?？梢詫?shí)現(xiàn)器件的氣密封裝，有時(shí)甚至可達(dá)到真空封裝。器件與外部的電連接通過側(cè)向通孔或貫穿孔（vias）實(shí)現(xiàn)。講座將介紹晶圓級(jí)封裝的歷史與現(xiàn)代方法，并講解晶圓鍵合、電連接通道及氣密性評(píng)估等關(guān)鍵技術(shù)。

在晶圓級(jí)封裝之后，第二層級(jí)的封裝為塑封工藝，包括晶圓切割、芯片貼裝、引線鍵合、塑封及最終切割等流程。對(duì)于高頻器件，倒裝芯片鍵合（flip-chip bonding）逐漸替代了芯片貼裝和引線鍵合。講座將逐步介紹每一道工序，并探討第二層級(jí)封裝中遇到的問題。

最后，講座還將把這些傳統(tǒng)封裝方法與AI半導(dǎo)體中正在興起的先進(jìn)封裝技術(shù)進(jìn)行關(guān)聯(lián)。內(nèi)容以實(shí)際應(yīng)用為出發(fā)點(diǎn)進(jìn)行講解。

課程大綱：

封裝的目的與概要

各類晶圓級(jí)封裝方法

晶圓鍵合

電連接通道

氣密性測試

第二層級(jí)封裝方法

晶圓切割

芯片貼裝、引線鍵合與倒裝芯片鍵合

塑封

先進(jìn)封裝技術(shù)

講師簡介：田中秀治（Shuji Tanaka）分別于1994年、1996年和1999年在東京大學(xué)獲得機(jī)械工程學(xué)士、碩士和博士學(xué)位。1999年起在東北大學(xué)機(jī)電與精密工程系任助理研究員，隨后擔(dān)任助理教授至2003年，后在納米力學(xué)系任副教授至2013年。目前，他是東北大學(xué)機(jī)器人與微系統(tǒng)集成中心教授。此外，曾于2004至2006年擔(dān)任日本科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)（JST）研究開發(fā)戰(zhàn)略中心研究員，2006至2018年為特聘研究員。

他在多個(gè)國際會(huì)議中擔(dān)任重要職務(wù)，包括IEEE NEMS 2016大會(huì)主席、IEEE MEMS 2022大會(huì)聯(lián)合主席、Transducers 2023執(zhí)行主席，以及自2019年起連續(xù)擔(dān)任MEMS工程師論壇大會(huì)主席。此外，他還是日本機(jī)械工程師學(xué)會(huì)（JSME）微納科學(xué)技術(shù)分會(huì)主席和IEEE超聲、鐵電與頻率控制學(xué)會(huì)（UFFC-S）管理委員會(huì)成員。因其持續(xù)的學(xué)術(shù)貢獻(xiàn)，田中修治被授予IEEE Fellow及JSME Fellow榮譽(yù)稱號(hào)。

田中秀治的研究興趣涵蓋MEMS、聲波器件、晶圓級(jí)封裝與集成、壓電器件及材料等多個(gè)領(lǐng)域。

課程7：《先進(jìn)封裝技術(shù)的創(chuàng)新》

講師：葛維滬 博士

美國Pacrim 技術(shù)公司 創(chuàng)始人、IEEE Fellow

課程概要：隨著半導(dǎo)體制程節(jié)點(diǎn)逐漸逼近極限，過去十年間先進(jìn)IC封裝技術(shù)發(fā)展迅速?！俺侥枺∕ore than Moore）”的解決方案對(duì)2.5D和3D等高復(fù)雜度封裝的設(shè)計(jì)、材料、互連與制造提出了巨大創(chuàng)新需求。中國正在積極建設(shè)龐大的后端組裝與測試產(chǎn)業(yè)，為成為世界領(lǐng)先者，還需要更多新思路和創(chuàng)新。

本課程將回顧并探討近期封裝領(lǐng)域的創(chuàng)新，以激發(fā)工程師和科學(xué)家的靈感，推動(dòng)HPC、5G、AI及汽車等異構(gòu)集成封裝的設(shè)計(jì)與制造不斷進(jìn)步。

課程范圍和大綱將涵蓋如下技術(shù)在設(shè)計(jì)、材料與工藝方面的創(chuàng)新：

基于載板的2.5D中介層技術(shù)：CoWoS、CoPoS、CoGoS、CoG等

3D IC集成與HBM（高帶寬存儲(chǔ)）技術(shù)

3.5D封裝方案

扇出型大尺寸封裝工藝（FOPLP）、扇出型玻璃基板工藝（FO glass panel process）

嵌入式橋接互連技術(shù)

玻璃芯片封裝（Chip in Glass, CiG）、系統(tǒng)級(jí)模塊（SiM）

高頻密度互連（HDI）疊層與重布線材料（RDL）- ABF

講師簡介：葛維滬博士在Henkel、摩托羅拉等公司從事IC封裝與微電子封裝技術(shù)工作已有40年。他是IEEE會(huì)士，擁有100余篇發(fā)表論文和40項(xiàng)專利，并于康奈爾大學(xué)獲得博士學(xué)位。

課程8：《量子力學(xué)與分子動(dòng)力學(xué)及在電子制造中應(yīng)用》

講師：劉 勝 教授

中國科學(xué)院 院士、武漢大學(xué) 工業(yè)科學(xué)研究院執(zhí)行院長、IEEE Fellow

講師：郭宇錚 教授

武漢大學(xué) 動(dòng)力與機(jī)械學(xué)院副院長

講師簡介：劉勝，武漢大學(xué)教授，斯坦福大學(xué)博士，ASME Fellow和IEEE Fellow，微納制造領(lǐng)域?qū)＜?，國?nèi)芯片封裝技術(shù)的引領(lǐng)者，2023年當(dāng)選中國科學(xué)院院士。劉勝院士在微納制造科學(xué)與工程技術(shù)方面（涉及集成電路、發(fā)光二極管LED、微傳感器及電力電子IGBT 等芯片封裝）取得了系統(tǒng)的創(chuàng)新成果。以第一完成人獲2020年國家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步一等獎(jiǎng)、2016年國家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)、2015年教育部技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)、2018年電子學(xué)會(huì)技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)、2009年IEEE國際電子封裝學(xué)會(huì)杰出技術(shù)成就獎(jiǎng)（全球每年1人，國內(nèi)首人）、2009年中國電子學(xué)會(huì)特別成就獎(jiǎng)、1997年國際微電子及封裝學(xué)會(huì)（IMAPS）技術(shù)貢獻(xiàn)獎(jiǎng)、1995年美國總統(tǒng)教授獎(jiǎng)（當(dāng)年30人），1999年入選首批國家杰青（海外）項(xiàng)目（當(dāng)年僅7人）。發(fā)表SCI 論文424篇、SCI他引6600余次，出版專著6部（英文4部），授權(quán)發(fā)明專利196件。

郭宇錚，武漢大學(xué)動(dòng)力與機(jī)械學(xué)院副院長，工業(yè)科學(xué)研究院、電氣與自動(dòng)化學(xué)院、中南醫(yī)院教授，儲(chǔ)能與新能源系系主任。本科畢業(yè)于北京大學(xué)物理學(xué)院，碩士畢業(yè)于美國佐治亞理工學(xué)院材料科學(xué)與技術(shù)系，博士畢業(yè)于英國劍橋大學(xué)工程系（導(dǎo)師英國皇家科學(xué)院與工程院雙院院士John Robertson教授），曾先后在劍橋大學(xué)、哈佛大學(xué)擔(dān)任研究員。致力于微納制造、半導(dǎo)體器件與器件協(xié)同設(shè)計(jì)、儲(chǔ)能材料與器件等方面的研究，發(fā)表SCI檢索200論文余篇，包括Nature、Nature Communications、Science Advances等國際一流刊物，所發(fā)表的論文被引用8000余次。主持中組部、科技部、國家自然科學(xué)基金委重點(diǎn)項(xiàng)目、南方電網(wǎng)、國家電網(wǎng)等多項(xiàng)基金，總金額達(dá)2000余萬元。

課程9：《用于電子封裝的納米材料與高分子復(fù)合材料》

講師：呂道強(qiáng) 博士

漢高公司副總裁、IEEE Fellow

課程概要：納米材料與聚合物復(fù)合材料作為粘合劑、封裝材料、熱界面材料、絕緣體、電介質(zhì)以及互連導(dǎo)電元件，在電子設(shè)備中得到了廣泛應(yīng)用。本短期課程將概述納米材料與復(fù)合材料的最新進(jìn)展，及其對(duì)先進(jìn)電子封裝與集成技術(shù)的影響。

講師簡介：呂道強(qiáng)博士在先進(jìn)半導(dǎo)體封裝與集成材料和工藝方面擁有超過25年的經(jīng)驗(yàn)。他分別于1996年和2000年在佐治亞理工學(xué)院獲得高分子科學(xué)與工程碩士和博士學(xué)位。呂博士獲得了許多獎(jiǎng)項(xiàng)，包括2017年IEEE EPS電子制造技術(shù)獎(jiǎng)、2004年IEEE/EPS杰出青年工程師獎(jiǎng)、2007年IEEE ECTC最佳論文、2003-2007年英特爾申請最多專利。呂博士發(fā)表了50多篇期刊論文，為六本書撰寫了章節(jié)，并擁有100多項(xiàng)授權(quán)美國和國際專利。他是《先進(jìn)封裝材料（2008年版和2017年版）》一書的編輯，也是《納米技術(shù)電子導(dǎo)電粘合劑（2009年）》一書的合著者。 他在組織國際電子封裝會(huì)議和在這些會(huì)議中教授專業(yè)發(fā)展課程方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用。呂博士是IEEE Fellow，IEEE Transactions on Advanced Packaging和Journal of Nanomaterials的副主編，以及Nanoscience & Nanotechnology-Asia的編委。呂博士還擔(dān)任華中科技大學(xué)、中國科學(xué)院深圳先進(jìn)技術(shù)研究院、香港中文大學(xué)的兼職教授，以及復(fù)旦大學(xué)的工業(yè)顧問。

課程10：《半導(dǎo)體封裝中的高可靠性焊接技術(shù)》

講師：李寧成 博士

中國炫純科技有限公司創(chuàng)始人、IEEE Fellow

課程概要：半導(dǎo)體焊接工藝要求極為精密，其可靠性直接決定器件性能。本課程深入解析半導(dǎo)體封裝焊接可靠性的核心控制參數(shù)，涵蓋多種材料組合下金屬間化合物(IMC)、空洞、電遷移、低溫/高溫焊接及電化學(xué)遷移等關(guān)鍵影響因素，系統(tǒng)闡述失效模式并提供優(yōu)選材料與設(shè)計(jì)方案。

課程大綱：
?金屬間化合物(IMC)
-銅焊盤晶粒尺寸對(duì)IMC的影響
-銅鎳相互作用機(jī)制
-基底金屬Co-P層對(duì)IMC的調(diào)控作用
?焊接空洞
-焊料形態(tài)對(duì)空洞的生成影響
-接頭高度/溫度/電學(xué)/力學(xué)因素對(duì)剪切強(qiáng)度、IMC及柯肯達(dá)爾空洞的作用
-銅結(jié)構(gòu)對(duì)柯肯達(dá)爾空洞的抑制效應(yīng)
?電化學(xué)遷移(ECM)
?電遷移(EM)
-電遷移與熱循環(huán)對(duì)裂紋形成的差異化影響
-背應(yīng)力對(duì)電遷移的調(diào)控
-晶粒取向與電遷移的關(guān)聯(lián)性
-再分布層(RDL)設(shè)計(jì)對(duì)電遷移的抑制
-低溫Sn-57Bi-1Ag焊料的電遷移特性
-低溫焊料合金成分的電遷移效應(yīng)
-低溫焊料表面處理的電遷移影響
?低溫焊接(LTS)
-富鉍晶須生長機(jī)制
-低溫焊料的熱循環(huán)可靠性
-低溫焊料坍塌現(xiàn)象
-低溫焊料的沉積/熱撕裂/鉍分層行為
-均質(zhì)BiSn低溫焊料熱撕裂與工藝曲線/表面處理的關(guān)聯(lián)
-低溫焊料跌落測試
?高溫焊接-瞬態(tài)液相鍵合(TLPB)

目標(biāo)學(xué)員：
半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域需實(shí)現(xiàn)高可靠性焊接的研發(fā)/工藝/質(zhì)量工程師，以及希望掌握相關(guān)核心技術(shù)的專業(yè)人士。

講師簡介：李寧成博士是炫純科技有限公司的創(chuàng)始人。在此之前，他于1986至2021年任職于銦泰公司（Indium），1982至1986年先后在莫頓化學(xué)（Morton Chemical）和SCM公司工作。他在SMT行業(yè)助焊劑與焊錫材料的研發(fā)領(lǐng)域擁有30余年的經(jīng)驗(yàn)。1981年獲得阿克倫大學(xué)高分子科學(xué)博士學(xué)位，1973年獲得國立臺(tái)灣大學(xué)化學(xué)學(xué)士學(xué)位。

詳細(xì)議程陸續(xù)公布中，敬請關(guān)注ICEPT電子封裝技術(shù)國際會(huì)議公眾號(hào)。

參會(huì)報(bào)名

主要參與單位： Attendees

國內(nèi)外企業(yè)：華為、海思、思科、英特爾、日月光、三星電子、恩智浦、紫光展銳、格羅方德、臺(tái)積電、中興微電子、博世、海光信息、中科曙光、寒武紀(jì)、匯頂、艾為、燦瑞科技、長鑫存儲(chǔ)、美光、中芯國際、京東方、株洲中車時(shí)代、愛發(fā)科、空氣化工、振華風(fēng)光、意發(fā)薄膜、華進(jìn)、深南電路、南瑞聯(lián)研、紫光國芯、德國默克、宜特檢測、長電科技、通富微電、晶方科技、甬矽電子、沛頓、矽磐、佛智芯、天芯互聯(lián)、安世半導(dǎo)體、華大九天、中科芯、漢高、JSR、華天科技、晟碟、賀利氏、北方華創(chuàng)、EVG、愛發(fā)科、Besi、盛美等100多家電子封裝領(lǐng)域企業(yè)。

國際科研院所：荷蘭代爾夫特理工大學(xué)、美國喬治亞理工學(xué)院、美國馬里蘭大學(xué)、拉瑪爾大學(xué)、日本梅森大學(xué)、大阪大學(xué)、英國伯明翰大學(xué)、劍橋大學(xué)、東京大學(xué)、新加坡國立大學(xué)、首爾大學(xué)、印度理工大學(xué)、以色列理工學(xué)院、波特蘭州立大學(xué)、加州大學(xué)洛衫磯分校材料學(xué)院、德國應(yīng)用科學(xué)大學(xué)、瑞典皇家理工學(xué)院、英國拉夫堡大學(xué)、伊尼恩維奇大學(xué)等數(shù)十所國際名校；國際IEEE工程師協(xié)會(huì)、比利時(shí)微電子中心、美國卡羅拉多大學(xué)微/納米機(jī)電傳感器等納米科學(xué)與技術(shù)DARPA中心、德國弗朗霍夫研究所、國際微電子與封裝協(xié)會(huì)、Charles Smithgall研究所、CEA-Leti、美國國際半導(dǎo)體路線圖 (ITRS)等數(shù)十家國際研究機(jī)構(gòu)。

國內(nèi)科研院所：中科院微電子所、中國電子科技集團(tuán)第十三所、十八所、二十所、五十五所、四十七所、二十九所、二十四所、三十八所、五零四所、五十八所、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、中國科學(xué)院金屬研究所、北京微電子所、北京華航無線電測量研究所、山東航天電子技術(shù)研究所、北京強(qiáng)度環(huán)境研究所、中國電子科技集團(tuán)信息科學(xué)研究院、深圳第三代半導(dǎo)體研究院、有研工程技術(shù)研究院、中國科學(xué)院國家空間科學(xué)中心、中國航天標(biāo)準(zhǔn)化與產(chǎn)品保證研究院、常州市武進(jìn)區(qū)半導(dǎo)體照明應(yīng)用技術(shù)研究院、中國科學(xué)院深圳先進(jìn)技術(shù)研究院、深圳先進(jìn)電子材料國際創(chuàng)新研究院、西安微電子技術(shù)研究所、廣東省焊接技術(shù)研究所、中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院等上百家研究院所；清華大學(xué)、北京大學(xué)、廈門大學(xué)、哈爾濱工業(yè)大學(xué)、臺(tái)灣交通大學(xué)、臺(tái)灣清華大學(xué)、武漢大學(xué)、中南大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、東南大學(xué)、上海交通大學(xué)、上海大學(xué)、江蘇科技大學(xué)、廣東工業(yè)大學(xué)、華南理工大學(xué)、北京工業(yè)大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、桂林電子科技大學(xué)、重慶理工大學(xué)、大連理工大學(xué)、香港科技大學(xué)、中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)、南方科技大學(xué)、上海工程技術(shù)大學(xué)等上百所知名高校。

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ICEPT 2025

世 界● 在此相聚

全球精英的“封裝”引力場

8月5-7日 · 中國 上海

電子封裝技術(shù)國際會(huì)議（ICEPT）創(chuàng)立于1994年，目前已開展為亞洲規(guī)模最大、凝聚力最強(qiáng)的封裝技術(shù)會(huì)議之一。會(huì)議固定在中國舉辦，內(nèi)容涵蓋電子封裝設(shè)計(jì)、制造、測試，以及光電子、MEMS、系統(tǒng)級(jí)封裝等領(lǐng)域。2025年，會(huì)議將于8月5-7日在上海盛大舉辦，預(yù)計(jì)將吸引全球近20個(gè)國家和地區(qū)的超1000名封裝界頂尖專家、學(xué)者、企業(yè)代表及相關(guān)技術(shù)供應(yīng)商積極參與。

專業(yè)深度

搶占技術(shù)轉(zhuǎn)移先機(jī)

全球頂尖專家齊聚

前言技術(shù)全面覆蓋

匯聚創(chuàng)新力量

激發(fā)無限可能

第26屆電子封裝技術(shù)國際會(huì)議不僅是一場學(xué)術(shù)的盛宴，更是全球電子封裝領(lǐng)域精英匯聚、思想碰撞、合作共贏的平臺(tái)。“世界”在此聚會(huì)，共同擘畫電子封裝技術(shù)的未來藍(lán)圖。