隨著DDR5顆粒生產(chǎn)工藝的成熟，頻率也是在不斷提高，價格不斷降低。這次和大家分享一款剛到手的內(nèi)存新品：來自宇瞻的NOX RGB DDR5。這款內(nèi)存定位中高端，提供了黑色和白色兩種配色可選，采用了海力士AIDE顆粒，配備電源管理集成電路（PMIC），支持Intel XMP 3.0和AMD EXPO技術(shù)。

具體規(guī)格方面，提供 5200~8000 MT/s的頻率選擇（實際上市產(chǎn)品應(yīng)該以6000MT/s以上為主），容量方面則有單條16GB和32GB。

我到手的內(nèi)存頻率為7600MT/s（16GBX2），下面就來和大家一起分享下它的開箱以及性能測試。

內(nèi)存開箱

▼外包裝相對簡潔，上面有廠家和內(nèi)存系列的標注，具體內(nèi)存頻率和序列號以貼紙的形式放在左下角。包裝正反面都有開窗設(shè)計，展示出一部分內(nèi)存本體。

▼尺寸方面，不到44mm的高度，應(yīng)該能兼容大部分雙塔風冷散熱器。我這是白色款，但準確來說是金屬銀色，所以即使放入黑色系主機也不會太違和。

▼馬甲為全鋁材質(zhì)，表面有微磨砂手感，質(zhì)感還是很不錯的。

▼靠上位置有一橫條開窗，內(nèi)置導光條可以展示RGB燈效。中間有Apacer的宇瞻英文logo標識。

▼馬甲呈高低兩層，不過這個落差非常小，是來增加設(shè)計感的吧。下層還有條紋作為裝飾，只是銀色版本因為光線問題，有的角度看起來并不明顯。

▼內(nèi)存頂部有面積比較大的白色導光條，中間位置有NOX標識，點亮后具有廣角漫射燈效，并支持各大板廠RGB燈控。

▼內(nèi)存?zhèn)让鏇]有封死，露出了PCB。

▼從底部的馬甲縫隙中看到PCB為單面顆粒部署，另一面用海綿來作為填充物。

▼內(nèi)存顆粒采用了現(xiàn)在體質(zhì)最好的DDR5顆粒：海力士Adie，具體參數(shù)出現(xiàn)在內(nèi)存的貼紙上：頻率為7600MT/s，時序為CL36-48-48-84，單條容量為16GB。

性能測試

由于最近intel不太給力，我也是換上了AMD平臺，但老實說AM5并不是一個測試內(nèi)存的好平臺，因為高頻內(nèi)存為其帶來的增益太小。沒辦法實力有限，暫時沒法去搞多個測試平臺，請大家見諒！

測試平臺所用硬件一覽：

CPU：AMD 銳龍 9 9900X

主板：微星 （MSI）MPG X870E EDGE TI WIFI

內(nèi)存：宇瞻（Apacer）NOX DDR5 RGB -7600MT/s 16G*2

顯卡：索泰(ZOTAC) RTX 5080 SOLID OC

散熱：喬思伯（JONSBO）TH-360 白色

電源：安鈦克（ Antec）NE1000 白色

機箱：九州風神（DEEPCOOL）CG530 白色

開機后先來看下內(nèi)存的光效，質(zhì)感不錯，也不會有殺馬特的風格。

▼通過AIDA64查看，NOX采用海力士顆粒，官方介紹使用的是A-die。開機默認頻率是4800MT/s（JEDEC內(nèi)存規(guī)范下的頻率），開啟XMP后的頻率為7600MT/s。

AIDA64內(nèi)存跑分測試

FCLK頻率設(shè)置成了2167MHz（2200MHz也沒問題，求穩(wěn)降了一點），開啟主板內(nèi)存小參自動優(yōu)化功能（選擇微星Memory Extension Mode功能的Tighter，算是次高檔，最高檔也沒問題，也是為了求穩(wěn)）。

▼雖然現(xiàn)在Ryzen處理器超過6400MT/s就會分頻（內(nèi)存控制器UCLK和總線頻率FCLK達到2:1），導致內(nèi)存延時的增加，但畢竟獲得了更高的內(nèi)存帶寬，所以相對于默認的4800MT/s，7600MT/s無論在讀寫速度上還是內(nèi)存延遲方面都要遠高于前者。

接下來嘗試下超頻，小目標設(shè)定為8000MT/s，為了節(jié)省時間，使用主板內(nèi)存超頻工具Memory Try It選項8000MT/s的文檔，不過提供的tRAS（時序第四位）偏保守些，由于其對內(nèi)存性能的影響并不大，所以沒有進一步去優(yōu)化。

▼首先選擇C36的文檔，能進行AIDA64的內(nèi)存跑分，以及其它一些測試，但還是無法通過另一些測試以及烤機測試；提高到C38就非常穩(wěn)了，當然性能方面是略低于C36的。

▼8000MT/s C38是能通過RunMemtestPro烤機測試（時間關(guān)系只進行30分鐘左右），通過CPUID可以看到兩根內(nèi)存條最高溫度分別為49.0℃與50.3℃，在超頻后還有這樣的溫度表現(xiàn)是非常不錯。

▼現(xiàn)在AM5平臺最有性價比的內(nèi)存參數(shù)應(yīng)該是6000MT/s C28。NOX作為Adie顆粒， 達到這個參數(shù)完全沒問題，和8000MT/s相比，讀寫速度肯定會弱一些，但延遲要好于8000MT/s C38，略輸于8000MT/s C36一點點，當然延遲差距非常小，說是測試誤差也是可以的。

下面做個6000MT/s C28和和8000MT/s C38對比測試，看看這兩者對AM5平臺性能影響如何。

內(nèi)存頻率對CPU的影響

▼做了一些常規(guī)的CPU性能測試，壓縮解壓縮應(yīng)用（7-Zip）對內(nèi)存頻率最為敏感，高頻內(nèi)存會有較為明顯的優(yōu)勢，其余測試會對內(nèi)存頻率變化有所反應(yīng)，但幅度不大，互有勝負，最后把成績平均一下也是打平了。

內(nèi)存頻率對游戲的影響

▼內(nèi)存頻率對游戲的影響很復雜，不同顯卡，不同分辨率，不同游戲的表現(xiàn)也不相同。以目前的平臺來測試，3A單機游戲方面，8000MT/s有些優(yōu)勢，但差距真是非常小。

▼接著再來看看對網(wǎng)游的影響，測試游戲為吃雞（絕地求生），由于該游戲沒有BENCHMARK，為了統(tǒng)一測試標準，選擇訓練場的大橋作為測試場景（測試方法為記錄從橋的一頭跑到另一頭的幀數(shù)表現(xiàn)）。

▼在1080p分辨率下，8000MT/s表現(xiàn)要更好，平均幀數(shù)領(lǐng)先了4%，2K和4k分辨率則只領(lǐng)先了1%，雖然優(yōu)勢也沒有十分巨大，但相比單機游戲，高頻內(nèi)存對網(wǎng)游的性能增益還是要高了一些。

最后

內(nèi)存當然是容量越大越好，頻率越高越好，而DDR5優(yōu)勢就容量和頻率。但現(xiàn)在占用優(yōu)勢的地位是AMD平臺，高頻內(nèi)存對其增益相對較小。intel方面倒是更需要高頻內(nèi)存，不過同樣采用分離式模塊架構(gòu)的最新ultra平臺內(nèi)存延遲過高，游戲方面表現(xiàn)不好，讓其銷量不佳；反而是13代14代的內(nèi)存性能表現(xiàn)最佳，高頻內(nèi)存帶來的增益也最大，但畢竟不是最新的平臺，也影響人們使用這些平臺時選擇內(nèi)存的投入。這些都是高頻內(nèi)存普及的不利因素。當然重要的還是價格，如果8000MT/s只比6000MT/s貴幾十塊，我反正是肯定會選擇高頻內(nèi)存，畢竟它的上限更高。

回到這款暗黑女神NOX RGB DDR5本身，我還是挺喜歡的，外觀精致簡約，燈光唯美柔和，溫度控制也非常優(yōu)秀。采用了海力士的A-die顆粒，不用擔心其超頻性能；本身XMP頻率就很高，小白也不用去手動超頻了。如果對主機質(zhì)感和性能比較在意的用戶，可以關(guān)注下這款內(nèi)存。