主控芯片廠商憶聯(lián)科技（Silicon Motion）首席執(zhí)行官近日發(fā)出預(yù)警稱，由于人工智能企業(yè)通過長期合約和預(yù)付款鎖定了大量產(chǎn)能，內(nèi)存（DRAM）與 SSD 所依賴的 NAND 閃存將面臨長期性短缺，供需緊張局面可能一直持續(xù)到 2028 年，相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格預(yù)計(jì)將在今年下半年繼續(xù)上漲。

當(dāng)前，無論是企業(yè)級(jí)還是消費(fèi)級(jí)市場，內(nèi)存和 SSD 供應(yīng)都處于吃緊狀態(tài)，主要 DRAM 與 NAND 廠商正加速擴(kuò)建新工廠以提升產(chǎn)能，但這些新產(chǎn)線最快也要到 2027 年才會(huì)陸續(xù)投產(chǎn)，真正放量預(yù)計(jì)要到 2027 年底甚至 2028 年。業(yè)內(nèi)估算，以目前生產(chǎn)節(jié)奏來看，DRAM 和 NAND 廠商最多只能滿足全球總需求的約 60%–70%，而隨著未來幾年千兆瓦級(jí)數(shù)據(jù)中心陸續(xù)上線，整體需求仍將大幅攀升。

憶聯(lián)科技美國區(qū)總經(jīng)理顧家昌指出，AI 投資正從訓(xùn)練快速轉(zhuǎn)向推理階段，推理應(yīng)用的鋪開進(jìn)一步推動(dòng)了內(nèi)存與存儲(chǔ)需求的同步增長，在供應(yīng)受限的情況下，DRAM 與 NAND 閃存的供需緊繃短期內(nèi)難以緩解。他表示，NAND 閃存的短缺甚至可能延續(xù)到 2028 年，今年下半年內(nèi)存價(jià)格預(yù)計(jì)還將繼續(xù)上行。

在高壓供需環(huán)境下，憶聯(lián)科技 CEO 顧家昌進(jìn)一步表示，內(nèi)存與 SSD 的供應(yīng)缺口已從此前預(yù)測的 2027 年，延長至最新預(yù)期的 2028 年，所謂的 “內(nèi)存浩劫” 與 “SSD 浩劫” 時(shí)間表再度被拉長。憶聯(lián)科技深耕企業(yè)與消費(fèi)級(jí) SSD 控制芯片，其對(duì)上下游動(dòng)態(tài)有較清晰的把握，公司觀察到，大型 AI 客戶為了鎖定未來幾年所需的 DRAM 與 NAND 產(chǎn)能，正通過簽署長期供應(yīng)合約和預(yù)付款的方式提前拿貨，為市場供給帶來更大壓力。

部分存儲(chǔ)廠商已經(jīng)對(duì)來自單一投資方的資金保持戒心，例如 SK 海力士近期便拒絕了一些可能限制其對(duì)其他客戶供貨靈活性的資本注入提案，凸顯出當(dāng)前產(chǎn)能已接近“無可分配”的極限。顧家昌同時(shí)強(qiáng)調(diào)，從建廠到實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)至少需要兩到三年時(shí)間，之后終端交付周期往往還要經(jīng)歷一到一年半，這意味著短期內(nèi)難以通過簡單擴(kuò)產(chǎn)來彌合供需缺口。

持續(xù)的短缺將直接體現(xiàn)在價(jià)格端：憶聯(lián)科技預(yù)計(jì)，今年下半年內(nèi)存和 SSD 的價(jià)格將普遍上漲，這一趨勢正在迫使部分消費(fèi)類產(chǎn)品被迫停產(chǎn)或砍掉高容量版本，也讓整機(jī)廠商在成本管理上承受更大壓力。此前業(yè)界曾寄望于中國廠商“救市”，但隨著本土需求快速攀升，長鑫存儲(chǔ)（CXMT）、長江存儲(chǔ)（YMTC）等企業(yè)也面臨自身產(chǎn)能被國內(nèi)市場消化的狀況，難以向全球市場釋放足夠增量。

三星方面則表示，預(yù)計(jì) 2027 年的內(nèi)存短缺情況將比 2026 年更為嚴(yán)重，進(jìn)一步印證了業(yè)界對(duì)中長期供不應(yīng)求格局的共識(shí)。在多家存儲(chǔ)巨頭和控制芯片廠商的悲觀展望之下，業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為，內(nèi)存與 SSD 市場將在未來數(shù)年內(nèi)繼續(xù)處于高景氣但高價(jià)格、高門檻的“擠兌式繁榮”狀態(tài)，下游廠商和普通消費(fèi)者都必須做好“長期忍痛”的準(zhǔn)備。