快科技5月8日消息，據(jù)媒體報(bào)道，國(guó)產(chǎn)AI芯片企業(yè)寒序科技（ICY Tech）宣布，聯(lián)合三星生態(tài)設(shè)計(jì)伙伴SEMIFIVE，基于三星8nm eMRAM工藝成功完成邊緣AI芯片流片。

這是亞洲首個(gè)8nm嵌入式MRAM（eMRAM）商業(yè)化部署案例，由寒序科技主導(dǎo)底層核心技術(shù)研發(fā)，標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)AI芯片在先進(jìn)存儲(chǔ)與存算架構(gòu)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大突破。

作為項(xiàng)目的核心技術(shù)提供方，寒序科技憑借在MRAM定制開發(fā)與存算架構(gòu)方面的深厚積累，成功進(jìn)入三星稀缺的8nm eMRAM工藝窗口。

與常規(guī)ASIC項(xiàng)目不同，寒序全程主導(dǎo)了MRAM比特單元、外圍電路、高帶寬讀出電路以及大模型推理算子加速等底層方案設(shè)計(jì)；SEMIFIVE則負(fù)責(zé)后端硅實(shí)現(xiàn)與MPW流片支持。

雙方形成了"底層架構(gòu)自研+國(guó)際生態(tài)落地"的獨(dú)特合作模式，徹底擺脫了標(biāo)準(zhǔn)IP調(diào)用的局限。

在技術(shù)層面，寒序科技創(chuàng)新性地采用了"MRAM+SRAM"混合存儲(chǔ)架構(gòu)，直擊傳統(tǒng)AI芯片面臨的"內(nèi)存墻"痛點(diǎn)。

該方案用eMRAM替代大規(guī)模片上SRAM，有效解決了工藝微縮后SRAM面積效率低、功耗高的問題；同時(shí)結(jié)合近內(nèi)存處理（PNM）架構(gòu)與GEMV計(jì)算，加速Transformer推理中的關(guān)鍵算子。

該芯片可支持20億參數(shù)大模型的端側(cè)運(yùn)行，性能對(duì)標(biāo)國(guó)際頂尖推理芯片路線，并在存儲(chǔ)密度與能效比上實(shí)現(xiàn)超越。

該芯片主要聚焦私有AI Agent、人形機(jī)器人等端側(cè)場(chǎng)景，同時(shí)可適配具身智能與云端推理中心，作為GPU/HBM體系之外的高能效推理加速模塊。

eMRAM兼具非易失、高帶寬、低功耗等特性，無(wú)需刷新即可長(zhǎng)期保存數(shù)據(jù)，單元尺寸遠(yuǎn)小于SRAM，特別適用于功耗與空間受限的邊緣設(shè)備，為國(guó)產(chǎn)端側(cè)AI應(yīng)用提供了核心算力支撐。

此次流片成功，是寒序科技依托北京大學(xué)物理學(xué)院應(yīng)用磁學(xué)中心的技術(shù)積淀，在自旋電子學(xué)與存算一體領(lǐng)域取得的重要成果。