文 | 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫

功率元件的交期正在拉長(zhǎng)。部分IDM大廠的部分功率半導(dǎo)體產(chǎn)品交期已長(zhǎng)達(dá)30周。MOSFET、IGBT等主流品類均出現(xiàn)不同程度的供應(yīng)緊張。

由于各地成熟制程產(chǎn)能紛紛滿載，產(chǎn)能緊張狀況在下半年恐只增不減。

這不是局部現(xiàn)象。

英飛凌在漲價(jià)通知函中明確指出，受AI數(shù)據(jù)中心部署帶動(dòng)，其功率開關(guān)與集成電路產(chǎn)品需求大漲并出現(xiàn)缺貨。德州儀器2026年第一季度財(cái)報(bào)也印證了功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的復(fù)蘇，其數(shù)據(jù)中心業(yè)務(wù)營(yíng)收同比增長(zhǎng)高達(dá)約90%。

01 產(chǎn)品交期已拉長(zhǎng)至30周

在這輪缺貨潮中，不同技術(shù)路線和品類的功率器件呈現(xiàn)出截然不同的市場(chǎng)動(dòng)態(tài)。

MOSFET產(chǎn)品因其在消費(fèi)電子和服務(wù)器電源中的廣泛應(yīng)用，最先反映了本輪缺貨趨勢(shì)。特別是高壓MOSFET，在AI服務(wù)器電源需求爆發(fā)下，由于裸晶尺寸更大、消耗產(chǎn)能更多，直接加劇了8英寸晶圓的緊缺。

IGBT的技術(shù)升級(jí)則聚焦于模塊化與車規(guī)級(jí)可靠性提升。未來五年內(nèi)IGBT仍將承擔(dān)全球約55%的電動(dòng)乘用車主驅(qū)以外的電控任務(wù)。士蘭微、捷捷微電等本土企業(yè)在車規(guī)級(jí)IGBT和MOSFET領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力，訂單量大幅增長(zhǎng)。

成本端的壓力同樣不可忽視。TrendForce預(yù)估，2026年全球8英寸晶圓代工廠平均產(chǎn)能利用率將從2025年的75%至80%大幅攀升至85%至90%。部分晶圓廠已通知客戶調(diào)漲代工價(jià)5%至20%不等，且此次為不分客戶、不分制程平臺(tái)的全面性調(diào)價(jià)。在封測(cè)端，由于訂單蜂擁而至，中國(guó)臺(tái)灣的封測(cè)大廠如力成、南茂等產(chǎn)能利用率直逼滿載，近期陸續(xù)啟動(dòng)首輪漲價(jià)，漲幅直逼30%。

供需失衡的壓力，順勢(shì)傳導(dǎo)至價(jià)格端。2026年開年，國(guó)際芯片巨頭率先發(fā)難，隨后國(guó)內(nèi)廠商密集跟進(jìn)，形成了一波聲勢(shì)浩大的漲價(jià)浪潮。

德州儀器自4月1日起對(duì)部分產(chǎn)品實(shí)施調(diào)價(jià)，漲幅在5%至85%之間，其中工業(yè)控制類產(chǎn)品漲幅居前。英飛凌早在2月便發(fā)布了漲價(jià)通知函，明確指出受AI數(shù)據(jù)中心部署帶動(dòng)，其功率開關(guān)與集成電路產(chǎn)品需求大漲并出現(xiàn)缺貨，疊加晶圓廠投資及原材料成本上升，公司自4月1日起調(diào)整部分產(chǎn)品價(jià)格，最高漲幅達(dá)25%，并追溯至現(xiàn)有訂單。意法半導(dǎo)體、安森美等老牌IDM大廠也相繼發(fā)布了漲價(jià)函。

國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的反應(yīng)同樣迅速且猛烈。自1月起，中微半導(dǎo)便率先宣布對(duì)MCU等產(chǎn)品提價(jià)15%至50%。進(jìn)入3月和4月，功率半導(dǎo)體龍頭企業(yè)如士蘭微、華潤(rùn)微、捷捷微電、新潔能等紛紛跟進(jìn)。其中，士蘭微自3月1日起對(duì)小信號(hào)二極管、三極管芯片及MOS類芯片等產(chǎn)品價(jià)格上調(diào)10%；捷捷微電則宣布，受原材料價(jià)格高位運(yùn)行影響，其MOSFET產(chǎn)品自2月1日起成品價(jià)格上調(diào)10%至20%，IGBT產(chǎn)品預(yù)計(jì)自5月1日起同樣上調(diào)10%至20%。

這場(chǎng)漲價(jià)潮來勢(shì)洶洶，且遠(yuǎn)未結(jié)束。

02 功率半導(dǎo)體，越來越重要

功率半導(dǎo)體正從邊緣走向核心。

英飛凌科技首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck在2026財(cái)年第一季度財(cái)報(bào)會(huì)議上直言：“人工智能數(shù)據(jù)中心的電源解決方案仍是我們的重點(diǎn)；未來幾年，電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施的擴(kuò)建也將成為新的重點(diǎn)領(lǐng)域。為了更好地服務(wù)我們的客戶，我們正在調(diào)整制造產(chǎn)能，以應(yīng)對(duì)該領(lǐng)域持續(xù)增長(zhǎng)的需求，并提前投資相關(guān)領(lǐng)域。其中很大一部分將用于加速我們位于德累斯頓的智能功率半導(dǎo)體新工廠的量產(chǎn)進(jìn)程。該工廠將于今年夏天正式啟用，時(shí)間點(diǎn)完全契合市場(chǎng)發(fā)展�！�

英飛凌預(yù)計(jì)，2027財(cái)年AI數(shù)據(jù)中心相關(guān)營(yíng)收將達(dá)到約25億歐元，本財(cái)年約為15億歐元。到2030年末，英飛凌在該領(lǐng)域可服務(wù)的市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)到80億至120億歐元。

這一判斷正在變成現(xiàn)實(shí)。英飛凌2025財(cái)年AI數(shù)據(jù)中心相關(guān)營(yíng)收幾乎增長(zhǎng)三倍，超過了7億歐元。公司連續(xù)二十一年在全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)穩(wěn)居第一。

英偉達(dá)800V HVDC架構(gòu)

NVIDIA在2025年的技術(shù)大會(huì)上明確指出，將把800V高壓直流（HVDC）放到下一代AI工廠的核心架構(gòu)位置上。從傳統(tǒng)的AC-DC轉(zhuǎn)換向高壓直流集中式電源柜設(shè)計(jì)的升級(jí)，催生了一系列耐高壓功率元件的需求，這些需求從傳統(tǒng)的處理器端擴(kuò)張至電網(wǎng)端，涵蓋了各類主板、備援電池模組、中央電池組等。

800V架構(gòu)能夠顯著降低供配電網(wǎng)絡(luò)中的能量損耗。英偉達(dá)表示，與使用415Vac將電力輸送到機(jī)架相比，800Vdc將通過相同尺寸的配電導(dǎo)體傳輸?shù)碾娏υ黾?5%。

傳統(tǒng)的54V機(jī)架內(nèi)配電系統(tǒng)專為千瓦級(jí)機(jī)架設(shè)計(jì)，已無法滿足現(xiàn)代AI工廠中兆瓦級(jí)機(jī)架的供電需求。當(dāng)機(jī)架功率超過200千瓦后，這種供電方式逐漸面臨物理極限：空間受限，銅纜過載，散熱困難。

800V架構(gòu)的技術(shù)路線已獲得產(chǎn)業(yè)鏈廣泛支持。包括Analog Devices、英飛凌、Innoscience、MPS、Navitas、onsemi、Renesas、ROHM、意法半導(dǎo)體和德州儀器在內(nèi)的主流半導(dǎo)體廠商，均已宣布支持這一新供電架構(gòu)。

在這套新架構(gòu)中，SiC扮演著“大力士”的角色，在固態(tài)變壓器等環(huán)節(jié)穩(wěn)定處理上萬(wàn)伏的高壓轉(zhuǎn)換；而GaN則如同“短跑冠軍”，在服務(wù)器內(nèi)部以極快速度為GPU提供精準(zhǔn)的電壓調(diào)節(jié)。

SiC器件正迎來產(chǎn)能釋放的爆發(fā)期。TrendForce預(yù)測(cè)，2026年全球SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)53.3億美元，其中應(yīng)用于電動(dòng)汽車的產(chǎn)值可達(dá)39.8億美元。英飛凌位于馬來西亞居林的12英寸SiC晶圓廠在2025年第二季度已滿產(chǎn)運(yùn)行，被評(píng)價(jià)為“開啟了碳化硅成本下降的新拐點(diǎn)”。

2026年GaN市場(chǎng)最大的變化，是從傳統(tǒng)的手機(jī)快充走向車規(guī)主驅(qū)和AI電源。Yole與集邦咨詢預(yù)計(jì)，2026年全球GaN功率器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)9.2億美元，較2025年增長(zhǎng)58%。在AI數(shù)據(jù)中心，采用GaN后功率損耗可降低30%。

國(guó)產(chǎn)力量正在崛起。英諾賽科成為NVIDIA 800V系統(tǒng)供應(yīng)商名單中唯一的中國(guó)本土企業(yè)，并在近期成功供貨谷歌。天岳先進(jìn)在2025年整體碳化硅襯底市場(chǎng)占有率躍居全球首位，打破了Wolfspeed多年的壟斷，其8英寸產(chǎn)品全球市占率更是突破50%。比亞迪半導(dǎo)體推出了全球首款可批量裝車的1500V高耐壓大功率碳化硅芯片。

與AI需求形成共振的，是新能源汽車與光儲(chǔ)市場(chǎng)的回暖。800V高壓平臺(tái)在新能源汽車中的普及速度加快，直接拉動(dòng)了對(duì)SiC和IGBT等高端功率半導(dǎo)體的需求。碳化硅襯底市場(chǎng)在近月釋放出積極信號(hào)，價(jià)格呈現(xiàn)結(jié)構(gòu)性上漲。

03 抓緊擴(kuò)產(chǎn)

面對(duì)需求爆發(fā)，產(chǎn)業(yè)鏈上下游正在緊急應(yīng)對(duì)。

日本三大廠商的整合正在加速推進(jìn)。2026年3月27日，東芝、羅姆和三菱電機(jī)簽署基本協(xié)議，就整合功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)展開全面磋商。合并后的全球市場(chǎng)份額預(yù)計(jì)將達(dá)到11.3%，成為全球第二大半導(dǎo)體功率器件公司，僅次于英飛凌。4月25日最新消息顯示，電裝將撤回收購(gòu)羅姆的提案，羅姆預(yù)計(jì)按既定策略推動(dòng)與東芝、三菱電機(jī)的合作。

英飛凌則斥資50億歐元在德累斯頓建設(shè)的Smart Power Fab將于2026年夏季啟用，這是其歷史上最大的單筆投資。公司計(jì)劃在2026財(cái)年投資約27億歐元，重點(diǎn)加速AI數(shù)據(jù)中心電源解決方案的產(chǎn)能擴(kuò)充。

意法半導(dǎo)體宣布將在意大利卡塔尼亞新建8英寸碳化硅功率器件和模塊的大規(guī)模制造及封測(cè)綜合基地，這也是世界首個(gè)全流程垂直集成的碳化硅工廠。該項(xiàng)目總投資額預(yù)計(jì)為50億歐元，預(yù)計(jì)2026年運(yùn)營(yíng)投產(chǎn)。

安森美宣布將斥資20億美元在捷克建設(shè)垂直集成碳化硅制造工廠，借此擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)能。此外，安森美還以1.15億美元收購(gòu)Qorvo的碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)業(yè)務(wù)，加速為新興市場(chǎng)做準(zhǔn)備。

國(guó)內(nèi)企業(yè)的擴(kuò)產(chǎn)同樣在加速。

時(shí)代電氣功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)進(jìn)入投產(chǎn)期。2025年公司半導(dǎo)體板塊收入53.6億元，同比增長(zhǎng)30.43%。宜興三期項(xiàng)目已投產(chǎn)，株洲三期碳化硅項(xiàng)目也于2026年部分投產(chǎn)，功率半導(dǎo)體產(chǎn)能迅速增長(zhǎng)。公司2025年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收287.61億元，歸母凈利潤(rùn)41.05億元，同比增長(zhǎng)10.88%，連續(xù)四年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收凈利雙增。

華潤(rùn)微持續(xù)加大研發(fā)投入。2025年公司研發(fā)投入達(dá)11.68億元，占營(yíng)業(yè)收入比例超過10%。截至2025年末，已獲得授權(quán)并維持有效的專利2547項(xiàng)，其中發(fā)明專利2187項(xiàng)。公司深圳12英寸產(chǎn)線按計(jì)劃推進(jìn)建設(shè)，目標(biāo)2026年底通線。

斯達(dá)半導(dǎo)2025年?duì)I收40.12億元，同比增長(zhǎng)18.34%，創(chuàng)下歷史新高。公司充分發(fā)揮Fabless+IDM雙輪驅(qū)動(dòng)業(yè)務(wù)模式優(yōu)勢(shì)，同步推進(jìn)驅(qū)動(dòng)IC、工業(yè)級(jí)與車規(guī)級(jí)MCU芯片與現(xiàn)有功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)深度融合。新能源汽車、新能源發(fā)電及AI服務(wù)器電源等新興應(yīng)用領(lǐng)域成為公司收入增長(zhǎng)的核心支撐。

揚(yáng)杰科技多條產(chǎn)線正按計(jì)劃推進(jìn)投產(chǎn)、擴(kuò)產(chǎn)建設(shè)，如在越南基地投資建設(shè)首座車規(guī)級(jí)6吋晶圓工廠、首條車規(guī)級(jí)SiC芯片產(chǎn)線順利實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)爬坡、首條SiC車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊封裝項(xiàng)目建成并投產(chǎn)，同時(shí)車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊封裝項(xiàng)目、先進(jìn)封裝項(xiàng)目已于2025年開工，后續(xù)將根據(jù)市場(chǎng)需求及客戶訂單節(jié)奏逐步釋放。

8英寸成為擴(kuò)產(chǎn)重點(diǎn)。全球碳化硅產(chǎn)業(yè)正從150毫米晶圓向200毫米晶圓過渡。大尺寸晶圓有助于提升單片產(chǎn)出、降低單位成本，也對(duì)設(shè)備、工藝穩(wěn)定性提出更高要求。

但擴(kuò)產(chǎn)需要時(shí)間。在需求井噴的同時(shí)，供給端的掣肘同樣在加劇供需失衡。許多企業(yè)在成熟制程擴(kuò)產(chǎn)上顯得尤為謹(jǐn)慎，AI數(shù)據(jù)中心與新能源汽車的爆發(fā)，對(duì)基于8英寸成熟制程的功率器件產(chǎn)生了海量需求，“需求井噴”與“產(chǎn)能滯后”的矛盾直接導(dǎo)致了供需失衡的加劇。

當(dāng)前海外部分8英寸產(chǎn)線正逐漸轉(zhuǎn)向先進(jìn)封裝或?yàn)榱藵M足AI需求升級(jí)至12英寸，導(dǎo)致傳統(tǒng)的成熟制程功率器件供給減少。這種AI需求對(duì)傳統(tǒng)產(chǎn)能的“擠占效應(yīng)”，是理解本輪漲價(jià)的一個(gè)關(guān)鍵視角。

這意味著，在未來一到兩年內(nèi)，功率半導(dǎo)體的供需緊張狀況可能持續(xù)加劇。

從競(jìng)爭(zhēng)格局看，全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)高度集中。英飛凌連續(xù)六年蟬聯(lián)全球車用半導(dǎo)體市場(chǎng)份額第一，市場(chǎng)份額達(dá)到12.8%。中國(guó)公司士蘭微和比亞迪半導(dǎo)體分別以3.3%和3.1%的份額躋身前十，標(biāo)志著中國(guó)功率半導(dǎo)體企業(yè)的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力不斷增強(qiáng)。

漲價(jià)潮已經(jīng)啟動(dòng)，擴(kuò)產(chǎn)正在進(jìn)行。功率半導(dǎo)體的供需再平衡，需要產(chǎn)業(yè)鏈上下游的協(xié)同應(yīng)對(duì)。而這場(chǎng)始于AI數(shù)據(jù)中心的需求爆發(fā)，正在重塑整個(gè)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的價(jià)值錨點(diǎn)。