天津
（全球TMT2026年4月14日訊）國內(nèi)化合物半導(dǎo)體龍頭三安光電，正依托碳化硅、金剛石等寬禁帶材料的全鏈布局，從材料源頭切入先進(jìn)封裝，直擊高功率芯片的散熱痛點(diǎn)。三安光電旗下湖南三安聚焦碳化硅中介層、熱沉散熱、AR光學(xué)襯底三大方向，多項(xiàng)成果已進(jìn)入送樣或批量交付階段。
當(dāng)前主流的CoWoS封裝技術(shù)中，硅中介層在高功率場景下散熱能力捉襟見肘。碳化硅熱導(dǎo)率約為硅的3倍，可將GPU芯片結(jié)溫降低20–30°C，散熱成本下降約30%。三安光電已實(shí)現(xiàn)12英寸碳化硅襯底的研發(fā)與小批量送樣。隨著封裝集成度提升，熱管理已從輔助環(huán)節(jié)升級為核心痛點(diǎn)。三安光電采用碳化硅、金剛石雙路線并行策略。其研發(fā)的金剛石熱沉基板在大功率激光器中較傳統(tǒng)陶瓷基板熱阻降低81.1%。此外，作為同時(shí)擁有Micro LED與12英寸碳化硅光學(xué)材料的企業(yè)，三安光電的碳化硅光學(xué)襯底面型參數(shù)行業(yè)領(lǐng)先，已向多家國內(nèi)外終端及光學(xué)元件廠商小批量交付。三安光電已構(gòu)建湖南、重慶雙基地協(xié)同的碳化硅全鏈產(chǎn)能矩陣。
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