作者 | 喬鈺杰

編輯 | 袁斯來

近期，深圳遠見智存科技有限公司發(fā)布其HBM3/3e高帶寬存儲芯片產(chǎn)品，提供12GB與24GB兩種容量規(guī)格，帶寬達819GB/s，對標JEDEC國際標準體系。

遠見智存HBM3/3e產(chǎn)品規(guī)格（圖源/企業(yè)）

HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬存儲）被視為當(dāng)前AI算力體系中的關(guān)鍵組件之一。在大模型規(guī)模持續(xù)擴大、訓(xùn)練與推理負載提升的背景下，算力芯片與內(nèi)存帶寬之間的瓶頸問題愈發(fā)突出，業(yè)內(nèi)通常將其稱為“內(nèi)存墻”。

HBM通過多層DRAM裸片堆疊及TSV（硅通孔）互連，實現(xiàn)較傳統(tǒng)DDR更高的帶寬與單位面積容量，已成為AI加速器與高性能計算系統(tǒng)的主流配置之一。據(jù)YOLE預(yù)測，2026年全球HBM市場規(guī)模將突破460億美元，2030年有望接近1000億美元，年復(fù)合增長率約33%。

此前，全球HBM市場長期由SK海力士、三星、美光三家廠商主導(dǎo)，占據(jù)超過95%的市場份額。近年來，中國HBM相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)實力顯著提升，市場普遍認為的多項瓶頸正在逐步突破，在這一背景下，遠見智存的產(chǎn)品推進可視為國內(nèi)廠商在HBM領(lǐng)域的重要階段性進展。

此次發(fā)布的HBM3/3e產(chǎn)品，采用1024bit數(shù)據(jù)總線設(shè)計，相較DDR5的64bit接口實現(xiàn)數(shù)量級提升。產(chǎn)品具備兩大差異化優(yōu)勢：其一，通過優(yōu)化核心電路電壓域設(shè)計，整體功耗降低20%；其二，采用TSV冗余性布局和可修復(fù)性設(shè)計，芯片制造良率提升約8%，可實現(xiàn)同等產(chǎn)能下節(jié)省近十分之一的晶圓成本。

遠見智存HBM3/3e產(chǎn)品優(yōu)勢（圖源/企業(yè)）

團隊方面，遠見智存成立于2023年，專注于高帶寬存儲芯片（HBM），創(chuàng)始團隊自2016年前后即開始參與上一代HBM技術(shù)研發(fā)，是最早一批進入該領(lǐng)域的工程團隊之一 。目前公司在國內(nèi)設(shè)有多個研發(fā)中心，團隊成員包括來自美光、爾必達等存儲廠商的工程師，具備一定國際化背景。

業(yè)務(wù)模式上，公司采用“芯片設(shè)計+晶圓代工+封裝測試”的Fabless模式，整套供應(yīng)鏈均由中國供應(yīng)商配套完成。值得注意的是，當(dāng)前，國內(nèi)存儲芯片設(shè)計公司仍以傳統(tǒng)DRAM為主，高端HBM領(lǐng)域參與者相對有限。在此背景下，遠見智存的HBM產(chǎn)品設(shè)計已覆蓋從DRAM Die到Base Die的完整鏈路，且完整持有相關(guān)邏輯與存儲部分的知識產(chǎn)權(quán)，核心研發(fā)設(shè)計能力較為突出。

應(yīng)用側(cè)，公司當(dāng)前HBM3/3e產(chǎn)品已可應(yīng)用于AI全產(chǎn)業(yè)的訓(xùn)練與推理場景。隨著AI算力需求外溢，HBM也開始向車載計算、邊緣設(shè)備等場景探索。目前遠見智存已著手進行面向汽車車載、移動穿戴、具身智能及無人設(shè)備等場景的定制化開發(fā)，未來，低功耗、高可靠性、小容量高帶寬等多元化產(chǎn)品將逐步落地。

從技術(shù)演進看，HBM仍在快速迭代。公司披露的產(chǎn)品演進路線顯示，2027年將推出定制版HBM及HBM+HBF融合架構(gòu)，面向大模型推理提供TB級容量方案；2028年計劃推出HBM4/4e，單顆帶寬提升至2.5TB/s；2029年規(guī)劃推出HBM5及存內(nèi)計算產(chǎn)品，探索“計算靠近數(shù)據(jù)”的架構(gòu)方向。

遠見智存 產(chǎn)品規(guī)劃路線圖（圖源/企業(yè)）