在算力爆發(fā)、新能源產(chǎn)業(yè)狂飆、第三代半導(dǎo)體加速落地的產(chǎn)業(yè)浪潮下，半導(dǎo)體測(cè)試作為芯片量產(chǎn)的“最后一道防線(xiàn)”，正迎來(lái)技術(shù)與需求的雙重升級(jí)。一方面，LPDDR6、GDDR7等新一代存儲(chǔ)技術(shù)迭代，SiC、GaN等寬禁帶半導(dǎo)體規(guī)?；瘧?yīng)用，對(duì)測(cè)試設(shè)備的速度、精度、兼容性提出更高要求；另一方面，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主化進(jìn)程加快，本土企業(yè)在功率半導(dǎo)體、高端存儲(chǔ)、大算力芯片等領(lǐng)域的突破，亟須適配的高端測(cè)試解決方案支撐。作為全球半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備的領(lǐng)軍企業(yè)，愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試始終與中國(guó)產(chǎn)業(yè)同頻共振，在SEMICON China 2026展會(huì)上，其帶來(lái)了功率半導(dǎo)體測(cè)試、高速DRAM測(cè)試、SoC測(cè)試三大領(lǐng)域的重磅技術(shù)成果，全方位展現(xiàn)了面向未來(lái)的測(cè)試技術(shù)實(shí)力。

愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試（中國(guó)）副總經(jīng)理李金鐵在接受愛(ài)集微專(zhuān)訪(fǎng)時(shí)表示，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)升級(jí)始終倒逼測(cè)試技術(shù)創(chuàng)新，愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試的核心思路是通過(guò)可擴(kuò)展性、靈活性、可持續(xù)性的產(chǎn)品設(shè)計(jì)，為客戶(hù)提供覆蓋芯片研發(fā)到量產(chǎn)的全生命周期測(cè)試解決方案，“從功率半導(dǎo)體到高端存儲(chǔ)，再到大算力SoC，我們的技術(shù)布局始終緊扣中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展需求，以核心技術(shù)突破助力本土企業(yè)搶占市場(chǎng)先機(jī)?！崩罱痂F強(qiáng)調(diào)。

圖示：愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試（中國(guó)）副總經(jīng)理李金鐵

CREA技術(shù)融合結(jié)碩果，MTe平臺(tái)打造功率半導(dǎo)體全鏈條測(cè)試能力

2022年愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試對(duì)意大利CREA公司的收購(gòu)，成為其補(bǔ)全功率半導(dǎo)體測(cè)試布局的關(guān)鍵一步。時(shí)隔四年，這場(chǎng)跨國(guó)技術(shù)融合迎來(lái)了里程碑式的成果——2025年10月推出的MTe功率測(cè)試平臺(tái)，不僅是CREA被收購(gòu)后最重要的技術(shù)創(chuàng)新，更是全球首個(gè)覆蓋從晶圓到復(fù)雜組裝模塊全功率半導(dǎo)體測(cè)試需求的統(tǒng)一測(cè)試平臺(tái)，為解決功率半導(dǎo)體行業(yè)測(cè)試痛點(diǎn)提供了全新答案。

李金鐵介紹，MTe平臺(tái)的核心突破在于模塊化硬件架構(gòu)與極致可擴(kuò)展性在延續(xù)CREA高壓大電流傳統(tǒng)優(yōu)勢(shì)的基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)了“更小體積、更優(yōu)性能、更靈活配置”的三重升級(jí)。該平臺(tái)采用模塊化與分布式雙重架構(gòu)，支持高并行多站點(diǎn)測(cè)試，能實(shí)現(xiàn)從研發(fā)到大批量生產(chǎn)的無(wú)縫過(guò)渡，在生產(chǎn)效率和成本上實(shí)現(xiàn)雙重優(yōu)化?！霸缙趤?lái)自汽車(chē)和工業(yè)功率應(yīng)用領(lǐng)域的客戶(hù)評(píng)估顯示，相比傳統(tǒng)測(cè)試設(shè)備，MTe在生產(chǎn)力和吞吐量方面實(shí)現(xiàn)了顯著提升，這正是其適配功率半導(dǎo)體規(guī)模化量產(chǎn)需求的核心體現(xiàn)?！?/p>

對(duì)于CREA引以為傲的PCI專(zhuān)利技術(shù)，MTe平臺(tái)不僅實(shí)現(xiàn)了技術(shù)延續(xù)，更完成了針對(duì)性升級(jí)。李金鐵指出，第三代半導(dǎo)體工藝尚不成熟導(dǎo)致良率偏低，KGD（Known Good Die）測(cè)試成為篩除缺陷芯片的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，若跳過(guò)這一環(huán)節(jié)，后續(xù)模組測(cè)試中出現(xiàn)不良品將面臨整批報(bào)廢的高昂代價(jià)，而CREA的PCI技術(shù)正是解決這一痛點(diǎn)的核心方案?！霸蠵CI技術(shù)能在晶圓級(jí)高功率動(dòng)態(tài)測(cè)試中有效防止‘炸管’，即使芯片失效也能完整保留以用于后續(xù)分析，大幅降低測(cè)試損耗。而MTe平臺(tái)搭載的下一代PCI技術(shù)采用模塊化架構(gòu)，體積更緊湊、性能更卓越，配合多站點(diǎn)測(cè)試能力，能更好滿(mǎn)足第三代半導(dǎo)體大規(guī)模量產(chǎn)的需求?！?/p>

面對(duì)新能源汽車(chē)、儲(chǔ)能、光伏等領(lǐng)域催生的SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體需求激增，MTe平臺(tái)在CREA原有技術(shù)基礎(chǔ)上完成了系統(tǒng)性升級(jí)，打造了針對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體的先進(jìn)測(cè)試能力。李金鐵詳細(xì)解讀了該平臺(tái)的四大核心技術(shù)升級(jí)：其一，高帶寬捕獲能力可精準(zhǔn)捕捉SiC、GaN高開(kāi)關(guān)速度器件的納秒級(jí)開(kāi)關(guān)損耗；其二，業(yè)界領(lǐng)先的柵極驅(qū)動(dòng)器控制技術(shù)，有效解決GaN器件高速開(kāi)關(guān)時(shí)的串?dāng)_和誤導(dǎo)通問(wèn)題；其三，支持高達(dá)10kA的動(dòng)態(tài)及短路測(cè)試，可直接驗(yàn)證電動(dòng)汽車(chē)主驅(qū)逆變器的極端工況，保障車(chē)規(guī)級(jí)功率模塊的安全關(guān)斷性能；其四，靈活的高壓數(shù)字能力適配各類(lèi)高壓測(cè)試場(chǎng)景，支持智能功率模塊（IPM）、集成功率器件（IPD）等集成數(shù)字IP核的功率器件測(cè)試，契合車(chē)載電子高度集成化趨勢(shì)。

如今，這款平臺(tái)已對(duì)國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)形成了全鏈條支撐。李金鐵表示，在晶圓測(cè)試環(huán)節(jié)，MTe融合愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試V93000機(jī)臺(tái)接口技術(shù)，以緊湊化設(shè)計(jì)降低測(cè)試成本；在KGD測(cè)試環(huán)節(jié)，下一代PCI技術(shù)實(shí)現(xiàn)芯片失效時(shí)的快速保護(hù)；在功率模塊封裝環(huán)節(jié)，10kA動(dòng)態(tài)及短路測(cè)試能力滿(mǎn)足車(chē)規(guī)級(jí)、工業(yè)級(jí)高可靠性驗(yàn)證需求，而模塊化架構(gòu)讓客戶(hù)可按需調(diào)整測(cè)試資源，無(wú)需更換整套設(shè)備。“MTe的核心價(jià)值，是將CREA原有的功率半導(dǎo)體測(cè)試能力升級(jí)為覆蓋全測(cè)試鏈條的統(tǒng)一平臺(tái)，助力本土客戶(hù)加速第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品上市，搶占電動(dòng)汽車(chē)、儲(chǔ)能、光伏等高速增長(zhǎng)的新能源市場(chǎng)先機(jī)?！?/strong>

T5801直擊“內(nèi)存墻”痛點(diǎn)，解鎖新一代DRAM高速測(cè)試新范式

算力的爆發(fā)式增長(zhǎng)讓“內(nèi)存墻”成為制約產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心瓶頸，LPDDR6、GDDR7等新一代DRAM技術(shù)的迭代，對(duì)高速存儲(chǔ)測(cè)試設(shè)備的需求愈發(fā)迫切?；ㄆ煦y行預(yù)計(jì)，2026全年DRAM平均售價(jià)（ASP）可能同比上漲約88%。高性能數(shù)據(jù)中心對(duì)高帶寬、大容量?jī)?nèi)存的需求持續(xù)攀升，這也為高速DRAM測(cè)試技術(shù)帶來(lái)了全新的發(fā)展機(jī)遇。在這一背景下，愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試推出的T5801超高速DRAM測(cè)試系統(tǒng)，成為直擊行業(yè)痛點(diǎn)的關(guān)鍵產(chǎn)品。

李金鐵介紹，T5801的核心定位是高速DRAM顆粒及模組的專(zhuān)業(yè)測(cè)試平臺(tái)，可全面覆蓋下一代DRAM芯片（LPDDR6、GDDR7、DDR6）和存儲(chǔ)模塊（MRDIMM、CAMM）的測(cè)試需求，其N(xiāo)RZ波形速度高達(dá)18Gbps，三電平調(diào)制速率更是達(dá)到36Gbps，完美適配新一代高速存儲(chǔ)的測(cè)試需求。為應(yīng)對(duì)高速存儲(chǔ)器的信號(hào)完整性挑戰(zhàn)，T5801采用了創(chuàng)新的前端單元（FEU）結(jié)構(gòu)，同時(shí)支持NRZ和PAM3兩種信號(hào)系統(tǒng)，可適配高速存儲(chǔ)器的不同接口電平，解決了新一代DRAM測(cè)試中的核心信號(hào)難題。

“測(cè)試效率與兼容性的平衡，是DRAM廠(chǎng)商從研發(fā)到量產(chǎn)過(guò)程中的關(guān)鍵訴求，而T5801的靈活測(cè)試單元架構(gòu)，恰好實(shí)現(xiàn)了工程研發(fā)到量產(chǎn)的無(wú)縫過(guò)渡。”李金鐵強(qiáng)調(diào)，T5801的工程機(jī)和量產(chǎn)機(jī)臺(tái)采用完全相同的硬件模塊和軟件系統(tǒng)，客戶(hù)完成工程研發(fā)后，僅需復(fù)刻工程板即可實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)遷移，大幅縮短開(kāi)發(fā)周期。這一特性對(duì)于正處于技術(shù)爬坡期的國(guó)內(nèi)DRAM企業(yè)而言，能有效降低研發(fā)試錯(cuò)成本，加速產(chǎn)品市場(chǎng)化進(jìn)程。

針對(duì)高性能加速器、數(shù)據(jù)中心對(duì)內(nèi)存帶寬的迫切需求，T5801的推出與產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)高度契合。李金鐵表示， T5801的性能不僅能滿(mǎn)足現(xiàn)有高速存儲(chǔ)產(chǎn)品的測(cè)試需求，更能適配未來(lái)技術(shù)迭代，為設(shè)計(jì)者提供從研發(fā)到量產(chǎn)的全流程可靠測(cè)試平臺(tái)。相比愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試此前的T5503系列產(chǎn)品，T5801實(shí)現(xiàn)了“更快的測(cè)試速度、更多的接口電平支持、更豐富的測(cè)試資源、更便捷的開(kāi)發(fā)環(huán)境和軟件”四重升級(jí)，這也進(jìn)一步鞏固了愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試在DRAM測(cè)試領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)先地位。

對(duì)于中國(guó)本土DRAM產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試給予了高度關(guān)注。李金鐵透露，目前T5801已與全球頭部存儲(chǔ)客戶(hù)展開(kāi)緊密合作，針對(duì)中國(guó)高速DRAM技術(shù)的快速發(fā)展，愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試正持續(xù)收集本土廠(chǎng)商的技術(shù)需求，并反饋至研發(fā)部門(mén)進(jìn)行產(chǎn)品優(yōu)化和改進(jìn)。“中國(guó)是全球DRAM產(chǎn)業(yè)的重要增長(zhǎng)市場(chǎng)，本土企業(yè)在高端存儲(chǔ)領(lǐng)域的突破值得期待，我們將以專(zhuān)業(yè)的技術(shù)支持和持續(xù)的產(chǎn)品優(yōu)化，助力國(guó)內(nèi)DRAM產(chǎn)業(yè)的自主化升級(jí)?！?/p>

V93000平臺(tái)全新升級(jí)，以“快”賦能大算力芯片等高端測(cè)試

作為愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試的旗艦產(chǎn)品，V93000可擴(kuò)展SoC測(cè)試平臺(tái)始終是半導(dǎo)體高端測(cè)試領(lǐng)域的標(biāo)桿，在本次SEMICON China 2026展會(huì)上，愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試將V93000 EXAScale一代機(jī)臺(tái)帶到現(xiàn)場(chǎng)并實(shí)現(xiàn)實(shí)體通電演示，成為展會(huì)的一大亮點(diǎn)。李金鐵表示，V93000 EXAScale推出后的兩年內(nèi)，愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試發(fā)布了大量全新硬件儀器板卡，此次通電演示的核心初衷，是讓行業(yè)和客戶(hù)更直觀(guān)地感受新一代設(shè)備的整體實(shí)力與技術(shù)優(yōu)勢(shì)。

本次演示中，V93000重點(diǎn)展示了其在大算力芯片、高速接口芯片、射頻芯片、功率模擬芯片四大領(lǐng)域的測(cè)試能力，而這四大領(lǐng)域正是當(dāng)前中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主化的核心方向。支撐其高性能的核心，是V93000 EXAScale系列搭載的專(zhuān)利Xtreme Link技術(shù)，李金鐵用一個(gè)“快”字概括了這項(xiàng)技術(shù)的核心亮點(diǎn)：“一是測(cè)試動(dòng)作本身快，二是測(cè)試動(dòng)作之間的銜接快，三是測(cè)試數(shù)據(jù)的上傳下達(dá)快，三重‘快’實(shí)現(xiàn)了測(cè)試過(guò)程的極致高效?！蓖瑫r(shí)，依托Xtreme Link強(qiáng)大的互聯(lián)架構(gòu)，數(shù)字板卡可實(shí)現(xiàn)多通道共享vector memory，電源通道能便捷地實(shí)現(xiàn)多通道聯(lián)動(dòng)以提供超大電流輸出，充分適配大算力芯片等高端產(chǎn)品的測(cè)試需求。

近一兩年，V93000 EXAScale平臺(tái)完成了硬件和軟件的全方位升級(jí)，以應(yīng)對(duì)日益復(fù)雜的芯片測(cè)試任務(wù)。李金鐵介紹，硬件方面，數(shù)字測(cè)試領(lǐng)域推出了可提供數(shù)千安培級(jí)供電能力的XHC32超大電流電源板卡，以及速度達(dá)64Gbps的PSMLS高速信號(hào)板卡；射頻領(lǐng)域推出了頻段覆蓋20GHz、帶寬達(dá)2GHz的新一代射頻板卡；同時(shí)升級(jí)了新一代Power MUX，強(qiáng)化功率與模擬測(cè)試能力。軟件方面，Smartest8在易用性和執(zhí)行效率上實(shí)現(xiàn)升級(jí)，工程開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)工具也完成了關(guān)鍵突破，尤為值得一提的是，平臺(tái)引入AI技術(shù)，大幅提升了測(cè)試開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)的效率與質(zhì)量。

針對(duì)中國(guó)市場(chǎng)，愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試為V93000系列配備了強(qiáng)有力的本地化支持體系。李金鐵透露，目前愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試服務(wù)于V93000系列的中國(guó)團(tuán)隊(duì)規(guī)模已達(dá)數(shù)百人，組建了包含應(yīng)用支持、應(yīng)用開(kāi)發(fā)、硬件售后、工具軟件開(kāi)發(fā)在內(nèi)的全流程團(tuán)隊(duì)，為本土客戶(hù)提供全方位的技術(shù)保障?！氨镜鼗?wù)是愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試深耕中國(guó)市場(chǎng)的核心策略，我們希望以貼近客戶(hù)的技術(shù)支持，解決本土企業(yè)在高端芯片測(cè)試中的實(shí)際問(wèn)題?！?/p>

展望未來(lái)，面對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自主化浪潮，愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試明確了未來(lái)2～3年在華投資與業(yè)務(wù)拓展的三大戰(zhàn)略重心。第一，聚焦高性能SoC尤其是大算力芯片，持續(xù)加大SoC數(shù)字領(lǐng)域投入，推出系列新品應(yīng)對(duì)算力芯片在規(guī)模、功耗、成本上的挑戰(zhàn)；第二，布局高性能存儲(chǔ)器，針對(duì)更大規(guī)模、更高速度的存儲(chǔ)產(chǎn)品發(fā)布進(jìn)階測(cè)試系統(tǒng)，支撐存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)自主化升級(jí)；第三，深耕新能源與功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，重點(diǎn)布局第三代半導(dǎo)體，推出更強(qiáng)、更靈活的CREA測(cè)試方案。

“半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)的創(chuàng)新，始終要與產(chǎn)業(yè)需求同頻。”李金鐵在專(zhuān)訪(fǎng)最后表示，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自主化升級(jí)，為全球測(cè)試設(shè)備企業(yè)帶來(lái)了全新的發(fā)展機(jī)遇。作為長(zhǎng)期深耕半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)伙伴，愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試早已完成從測(cè)試設(shè)備供應(yīng)商到產(chǎn)業(yè)發(fā)展共建者的轉(zhuǎn)型，始終以全鏈條的測(cè)試解決方案，賦能中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)在功率半導(dǎo)體、高端存儲(chǔ)、大算力芯片等領(lǐng)域持續(xù)突破，與中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)長(zhǎng)期同行、共同成長(zhǎng)。