文 | 新質(zhì)動能

這是韓國企業(yè)史上最揚眉吐氣的一份財報。

2026年4月7日，三星電子發(fā)布了2026年第一季度未經(jīng)審計的業(yè)績。數(shù)據(jù)顯示，三星單季合并營業(yè)利潤，預(yù)計達(dá)到57.2萬億韓元，約合2611億元人民幣，同比暴增755%！

這是什么概念？這家全球科技巨頭，僅僅用了三個月的時間，狂賺2600多億，不僅刷新了公司的季度歷史紀(jì)錄，更超過去年一整年的利潤（43.6萬億韓元），創(chuàng)下了韓國企業(yè)史上單季盈利“神話”。

而創(chuàng)造這一切的，正是三星掌門人李在镕。

隨著李在镕豪擲110萬億韓元All in AI，一個由人工智能驅(qū)動的超級盈利周期，正在三星體內(nèi)引爆。

更關(guān)鍵的是，李在镕這次還是親自下場。2026年3月下旬，李在镕剛剛結(jié)束了對中國的訪問，面對復(fù)雜的國際局勢，李在镕加注中國西安的工廠，意在穩(wěn)住三星在中國市場的供應(yīng)鏈與產(chǎn)能。

在美國，他帶著技術(shù)底牌拜訪馬斯克、蘇姿豐和扎克伯格，死磕HBM、代工訂單和汽車電子業(yè)務(wù)，從臺積電的嘴里搶食。在歐洲，他會見奔馳董事長，將三星的觸角深入高端車企的電子供應(yīng)鏈......

業(yè)績反轉(zhuǎn)：三星利潤暴增755%！

三星電子2026年一季度的業(yè)績超出預(yù)期。

此前，華爾街29位分析師給出的預(yù)測是40.5萬億韓元，連最樂觀的花旗銀行也只敢猜51萬億韓元。結(jié)果三星官方數(shù)據(jù)一出——57.2萬億韓元。

這一成績刷新了三星季度盈利歷史紀(jì)錄，更超越了2025年全年43.6萬億韓元（約合1990億元人民幣）的營業(yè)利潤，創(chuàng)下韓國企業(yè)史上最具爆發(fā)力的單季盈利表現(xiàn)。

而這場業(yè)績大爆炸的核心驅(qū)動力是：人工智能引發(fā)的存儲芯片超級短缺。

隨著全球科技巨頭瘋狂建設(shè)AI數(shù)據(jù)中心，單臺AI服務(wù)器對HBM（高帶寬內(nèi)存）和DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）的需求量直接翻了數(shù)倍。英偉達(dá)、AMD等算力巨頭為了搶產(chǎn)能，幾乎把市場上的芯片預(yù)訂一空，導(dǎo)致價格全線飆升。

據(jù)調(diào)研機構(gòu)TrendForce數(shù)據(jù)顯示，今年一季度，DRAM價格環(huán)比暴漲了90%-95%，NAND閃存也跟漲了55%-60%。高盛甚至預(yù)測，市場將出現(xiàn)15年來最嚴(yán)重的供應(yīng)短缺。

作為全球存儲芯片的絕對霸主，三星電子在這波“漲價潮”中賺得盆滿缽滿。

據(jù)韓國券商測算，僅三星的設(shè)備解決方案（DS）部門，一季度就貢獻(xiàn)了超42萬億韓元的利潤。其中，專供AI加速器的HBM業(yè)務(wù)營收，同比暴增超300%。

面對這份炸裂的財報，你絕對想不到，就在一年前，三星芯片部門利潤暴跌，管理層甚至還要出面公開道歉。

2024年10月8日，三星電子公布第三季度初步業(yè)績。盡管公司整體營業(yè)利潤同比激增約274%，但核心的芯片部門營業(yè)利潤預(yù)計僅為3.8萬億韓元左右，較上一季度（約5.5萬億）環(huán)比大幅下滑約30%，且遠(yuǎn)低于市場預(yù)期的4.2萬億韓元。

這一慘淡表現(xiàn)的核心原因，被歸咎于其在AI高帶寬內(nèi)存（HBM3E）上的掉隊：由于未能通過英偉達(dá)等大客戶的質(zhì)量認(rèn)證，三星徹底踏空了第一波AI爆發(fā)紅利。

面對危機，新上任的芯片部門負(fù)責(zé)人全永鉉發(fā)布了罕見的公開致歉信，承認(rèn)公司面臨“技術(shù)競爭力和未來的危機”，并承諾進行根本性改革。彼時的三星，在HBM領(lǐng)域被死對頭SK海力士壓制。

但僅僅一年后，三星就靠著通用芯片量價齊升和高端產(chǎn)能的傾斜，打了一場極其漂亮的翻身仗。

分析師們毫不掩飾對三星的樂觀，花旗銀行更是預(yù)測，三星2026年全年的營業(yè)利潤有望突破310萬億韓元（約合2.06萬億人民幣），同比增長超6倍。

李在镕的鐵腕：110萬億韓元的豪賭

在外界看來，三星這次業(yè)績爆發(fā)是周期的饋贈。但在三星內(nèi)部，這是一場李在镕親自掛帥的“自救行動”。

2026年4月，三星家族將正式繳清總額高達(dá)12萬億韓元（約549億元人民幣）的韓國史上最高遺產(chǎn)稅。

在這場長達(dá)五年的“抽血”中，李在镕沒有賣過一股三星電子的股票，硬是靠著股權(quán)質(zhì)押和分紅保住了控制權(quán)。

如今，包袱卸下，李在镕的掌控力達(dá)到了巔峰。

早在2025年Q4業(yè)績大幅改善后，李在镕就表現(xiàn)得清醒。在一次高管研討會上，他不僅沒有慶功，反而重提了父親李健熙著名的“三明治危機論”（韓國被日本技術(shù)和中國制造夾擊），告訴2000名高管絕不能因為短期的業(yè)績暴漲而沾沾自喜。

伴隨敲打而來的，是三星一筆大額投資。為了爭奪AI芯片的主導(dǎo)權(quán)，2026年3月，三星電子發(fā)布《企業(yè)價值提升計劃》，宣布年度設(shè)施投資與研發(fā)投入將首次突破110萬億韓元（約5064億人民幣），同比激增21.7%。

這筆巨資幾乎全砸向半導(dǎo)體部門。李在镕的戰(zhàn)略很清晰：他要硬生生用錢砸出一條護城河，把三星從過去的內(nèi)存搬運工，徹底改造成能提供設(shè)計、存儲、代工和先進封裝一站式服務(wù)的AI硬件底座。

當(dāng)然了，光砸錢是不夠的，大企業(yè)病才是阻礙三星轉(zhuǎn)身的最大毒瘤。過去很長一段時間，三星半導(dǎo)體內(nèi)部的內(nèi)存、工藝和封裝團隊各自為政，溝通成本極高，這也是他們此前在HBM競爭中輸給SK海力士的核心原因。

為了解決這個問題，李在镕展現(xiàn)了強硬的人事手腕。他緊急換帥，把半導(dǎo)體老將全永賢推到DS部門總管的位置。全永賢上任后迅速對組織動刀，把分散的環(huán)節(jié)強行糅合，建立起針對高帶寬內(nèi)存的統(tǒng)一運營體系，并重啟了開放直言的企業(yè)文化。

內(nèi)部理順后，研發(fā)速度肉眼可見地提了上來。三星不僅成功開發(fā)出核心內(nèi)存芯片，還在下一代HBM4產(chǎn)品上拿回了優(yōu)勢。

有了彈藥，李在镕還親自下場充當(dāng)超級銷售。他滿世界飛：去美國見特斯拉的馬斯克談代工，找AMD的蘇姿豐推銷下一代存儲方案；在歐洲，他跑去找奔馳董事長，把汽車電子業(yè)務(wù)深度綁進高端車企供應(yīng)鏈。

高密度的行程很快見效。

在近期的英偉達(dá)GTC大會上，黃仁勛親自在三星展臺簽名互動。市場消息證實，三星已經(jīng)成功擠進英偉達(dá)下一代圖形處理器的供應(yīng)鏈，甚至連代工部門也搶下了部分AI芯片訂單。

三星巨資砸向西安基地

四處搶單的同時，李在镕還面臨著極其現(xiàn)實的產(chǎn)能麻煩。

算力需求呈幾何級數(shù)膨脹，僅靠韓國本土的晶圓廠根本吃不下。新建一座工廠至少需要三五年，遠(yuǎn)水解不了近渴，破局之法就是挖掘現(xiàn)有基地的潛力。這時候，中國工廠的重要性被徹底放大了。

盡管面臨復(fù)雜的外部博弈，但在真金白銀的商業(yè)邏輯面前，韓國巨頭們做出了最誠實的選擇。2025年，三星和SK海力士大幅增加了對中國工廠的投資，總額超過1.5萬億韓元。

三星也把巨資投向陜西西安。這是三星唯一的海外NAND閃存基地，承擔(dān)著其全球近四成產(chǎn)量。

今年3月底，西安晶圓廠完成關(guān)鍵工藝升級，第八代高堆疊閃存正式量產(chǎn)，并著手布局下一代產(chǎn)線。老對手SK海力士也步調(diào)一致，在無錫和大連投入重金升級工藝。

2026年3月下旬，李在镕剛剛結(jié)束了對中國的訪問，他在中國明確表態(tài)：“中國是三星全球戰(zhàn)略中重要的組成部分?！?/p>

可見，在商業(yè)利益驅(qū)動下，深耕中國這塊基本盤，依然是韓國巨頭心照不宣的長期選項。

當(dāng)歷史的轉(zhuǎn)盤，撥到人工智能時代，全球科技巨頭也在重新洗牌。

在這個節(jié)骨眼上，卸下財務(wù)重?fù)?dān)的李在镕，用一份驚人的財報和110萬億韓元的真金白銀，向全球宣告了重歸戰(zhàn)場的決心。一家半導(dǎo)體巨鱷，正試圖用龐大的體量和產(chǎn)業(yè)鏈縱深，去搶抓AI時代機會。

參考資料：

《一季度狂賺2600多億，三星電子創(chuàng)下韓國企業(yè)史上最強單季盈利》，界面新聞；

《三星電子預(yù)計一季度運營利潤暴增755%，單季利潤超去年全年！》，華爾街見聞；

《三星電子擬2026年投逾110萬億韓元爭奪AI芯片主導(dǎo)權(quán)》，中韓科技創(chuàng)新中心；

《三星電子會長李在镕警告高管：勿因短期業(yè)績自滿，重建技術(shù)優(yōu)勢》，IT之家；

《半導(dǎo)體換帥一周年 三星加碼投資重新亮劍》，陳姍娜；

《豪擲1.5萬億韓元！三星、SK海力士同步升級在華工廠》，通信世界網(wǎng)；

《三星電子西安晶圓廠成功量產(chǎn) 236 層 3D NAND 閃存》，環(huán)球網(wǎng)；