上海
財(cái)聯(lián)社4月7日電，美東時(shí)間上周四（4月2日），由Roundhil推出的內(nèi)存芯片ETF——Roundhill Memory ETF（代碼為“DRAM”）正式上市美股，被定位為市場(chǎng)上首款“純內(nèi)存ETF”。根據(jù)公告信息，DRAM ETF是一款主動(dòng)管理型ETF，費(fèi)率為0.65%，投資于一系列內(nèi)存和存儲(chǔ)產(chǎn)品制造商，目前僅持有九只股票。只有50%以上收入來自HBM、DRAM、NAND的芯片公司才能被納入。該ETF主要重押全球三大DRAM巨頭：美光科技（24.99%）、三星電子（24.22%）、SK海力士（23.83%），三者合計(jì)權(quán)重超七成。其投資組合還納入了閃迪、日本鎧俠、西部電子、希捷、以及中國(guó)臺(tái)灣的南亞科和華邦電等內(nèi)存大廠。
作為當(dāng)前市場(chǎng)上首個(gè)專注于投資內(nèi)存芯片的ETF，DRAM ETF反映出當(dāng)前內(nèi)存市場(chǎng)的熱度已經(jīng)足夠火爆。但是，也有不少投資者擔(dān)憂，這只ETF可能會(huì)成為標(biāo)志著存儲(chǔ)市場(chǎng)已經(jīng)過熱，或許會(huì)成為警示多頭的“反向賣出指標(biāo)”。
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