【CNMO科技消息】3月下旬，消費級內(nèi)存市場的價格異動引發(fā)了廣泛關(guān)注。主流32GB DDR5套裝價格在一個月內(nèi)下跌近30%，部分型號甚至出現(xiàn)單日暴跌超百元的行情。

DDR5內(nèi)存

本輪價格下跌呈現(xiàn)出顯著的局部性和結(jié)構(gòu)性特征。從數(shù)據(jù)看，部分主流產(chǎn)品價格確實出現(xiàn)了快速回調(diào)。例如，海盜船的32GB DDR5套裝在海外市場從峰值約490美元降至380美元附近。在國內(nèi)市場，有商家反映，部分16GB內(nèi)存條曾單日下跌超百元。

為什么降價？

本次價格回調(diào)呈現(xiàn)出顯著的“局部性”和“結(jié)構(gòu)性”特征，其核心驅(qū)動力在于消費電子需求疲軟與前期囤積庫存的集中釋放。

在經(jīng)歷了存儲價格暴漲后，對消費電子終端的負(fù)面影響開始集中顯現(xiàn)。據(jù)中國信通院數(shù)據(jù)，2025年12月至2026年2月，國內(nèi)智能手機出貨量連續(xù)三個月同比下滑，降幅分別為29.4%、15.6%和12.6%。筆記本電腦銷量在2026年初也遭遇了暴跌，同比下滑了40%。高昂的零部件成本抑制了消費者換機意愿，導(dǎo)致PC和智能手機等主要需求端對內(nèi)存的采購量下降。

與此同時，AI服務(wù)器對高帶寬內(nèi)存（HBM）的旺盛需求，促使三星、SK海力士等主要廠商將超過90%的新增產(chǎn)能轉(zhuǎn)向利潤更高的HBM和DDR5，逐步淘汰DDR4產(chǎn)線，這進一步加劇了消費級市場（尤其是DDR5）的結(jié)構(gòu)性短缺和價格扭曲。然而，當(dāng)終端需求無法支撐高價時，市場便失去了持續(xù)上漲的基礎(chǔ)。

在“漲價潮”剛來臨時，部分渠道商和消費者進行了大量囤貨。然而，進入3月后，市場情緒的轉(zhuǎn)變，導(dǎo)致前期囤貨者為了鎖定利潤、回籠資金，開始集中拋售庫存，導(dǎo)致市場現(xiàn)貨供應(yīng)短期內(nèi)激增。有消息稱，部分品牌內(nèi)存的出廠價甚至高于市場流通價，形成了“價格倒掛”。這種踩踏式的拋售，直接引發(fā)了價格的斷崖式下跌。

此前，DDR5內(nèi)存價格在AI熱潮推動下經(jīng)歷了非理性上漲。以32GB DDR5-6000套裝為例，其價格從2025年中的低位一度飆升至3800元以上，漲幅高達(dá)數(shù)倍。相比之下，此次回調(diào)雖然幅度劇烈，但更多是擠出了投機泡沫。據(jù)CNMO了解，即便經(jīng)歷暴跌，當(dāng)前DDR5內(nèi)存的平均價格仍比2025年危機前的水平高出約308%。

技術(shù)升級與產(chǎn)能擴張

除了短期市場行為，技術(shù)升級也正在影響內(nèi)存市場的未來預(yù)期。3月下旬，谷歌發(fā)布了一項名為TurboQuant的新型KV緩存壓縮算法，引發(fā)行業(yè)震動。該技術(shù)可將大語言模型推理時的鍵值緩存內(nèi)存占用減少至少6倍，同時將推理速度提升高達(dá)8倍，且?guī)缀醪粨p失精度。這項突破性技術(shù)直接瞄準(zhǔn)了AI推理中的核心內(nèi)存瓶頸。隨著AI模型參數(shù)和上下文窗口的不斷擴大，內(nèi)存已成為制約其規(guī)模和成本的關(guān)鍵因素。TurboQuant等高效壓縮技術(shù)的出現(xiàn)，意味著未來AI服務(wù)器對物理內(nèi)存容量的需求增長可能放緩。盡管該技術(shù)主要影響服務(wù)器市場，但其對行業(yè)長期需求的潛在沖擊，動搖了市場對內(nèi)存“長期短缺”的預(yù)期。

隨著制程工藝的穩(wěn)定和良率提升，DDR5的生產(chǎn)成本正逐步下降。更關(guān)鍵的是，DDR5的高頻型號正在迅速普及。例如，英特爾新一代酷睿Ultra處理器已原生支持DDR5-7200內(nèi)存，取代了之前的DDR5-6400標(biāo)準(zhǔn)。在消費端，支持XMP 7200 MHz的高頻內(nèi)存條已不鮮見，其讀寫帶寬輕松突破100GB/s，部分產(chǎn)品甚至能超頻至8200 MHz以上。這種性能的快速提升，意味著上一代低頻DDR5庫存的貶值壓力巨大，加速了渠道的拋售行為。

盡管擴產(chǎn)周期漫長，但全球主要存儲廠商的產(chǎn)能擴張計劃正在穩(wěn)步推進，為未來供給增加提供了確定性。

國際上，三星、SK海力士和美光三大巨頭正將資本開支重點投向HBM和先進DDR5。三星計劃在2026年將HBM4產(chǎn)能提升170%，SK海力士投資超20萬億韓元擴產(chǎn)，美光則斥巨資擴建美國工廠。它們的策略是逐步將成熟制程產(chǎn)能轉(zhuǎn)向更先進、利潤更高的產(chǎn)品。

長鑫存儲

國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)鏈的擴產(chǎn)步伐同樣迅速。長鑫存儲的二期工廠已在2025年第四季度試生產(chǎn)，新增產(chǎn)能8萬片/月，并重點轉(zhuǎn)向DDR5及HBM3研發(fā)。其合作伙伴深科技緊鄰長鑫工廠布局封測產(chǎn)能，計劃在2026年中將月產(chǎn)能擴至16萬片。佰維存儲的東莞晶圓廠也預(yù)計在2026年底實現(xiàn)月產(chǎn)能5000片。

結(jié)語

綜合來看，3月下旬的內(nèi)存價格暴跌，是消費電子需求疲軟、渠道庫存高壓、原廠庫存清理與長期技術(shù)預(yù)期變化共同觸發(fā)的市場調(diào)整。它標(biāo)志著由恐慌性囤貨和結(jié)構(gòu)性短缺推高的“價格泡沫”開始破裂。

然而，這并不意味著存儲“超級周期”的終結(jié)。AI服務(wù)器對HBM的強勁需求仍在持續(xù)，其產(chǎn)能已被預(yù)訂至2026年底。消費級市場的這次價格回調(diào)，更像是一次健康的“擠水分”過程，為DDR5的普及掃清了價格障礙。長期而言，內(nèi)存市場將在AI驅(qū)動的高端需求與消費電子的周期性波動之間尋找新的平衡。