via：墓碑科技

Nvidia 已經(jīng)不滿足于只買(mǎi)內(nèi)存了。

它開(kāi)始親自動(dòng)手設(shè)計(jì)。

剛剛，三星與 Nvidia 宣布結(jié)盟。

雙方要聯(lián)手研發(fā)下一代 NAND 閃存。

這次用的是鐵電 NAND 技術(shù)。

最恐怖的是研發(fā)手段：AI 驅(qū)動(dòng)模擬。

速度比傳統(tǒng)的 TCAD 仿真快了整整10,000倍。

什么概念？

過(guò)去需要幾個(gè)月甚至幾年的迭代，現(xiàn)在可能幾天就跑完了。

結(jié)果同樣驚人：功耗直接降低96%。

存儲(chǔ)戰(zhàn)爭(zhēng)正在進(jìn)入垂直整合時(shí)代。

算力巨頭向上游滲透，直接定義底層硬件邏輯。

這意味著什么？

未來(lái)的存儲(chǔ)芯片將不再是通用商品，而是為 AI 架構(gòu)量身定制的插件。

在這種降維打擊下，固守傳統(tǒng)模式的廠商還有活路嗎？

當(dāng)效率提升一萬(wàn)倍，功耗縮減到零頭，這種技術(shù)鴻溝將徹底重塑全球半導(dǎo)體版圖。

那些依然沉迷于產(chǎn)能內(nèi)卷而非架構(gòu)創(chuàng)新的玩家，恐怕連上桌的機(jī)會(huì)都沒(méi)有了。

新聞全文：

業(yè)內(nèi)人士證實(shí)，三星電子已與英偉達(dá)合作，加速下一代NAND閃存芯片的研發(fā)。

三星與英偉達(dá)聯(lián)合開(kāi)發(fā)了一套人工智能系統(tǒng)，該系統(tǒng)能夠顯著加快基于鐵電材料的超低功耗NAND閃存的研發(fā)——這項(xiàng)技術(shù)將決定人工智能芯片的性能。此舉體現(xiàn)了兩家公司在引領(lǐng)全球人工智能半導(dǎo)體蓬勃發(fā)展的同時(shí)，力求在下一代芯片競(jìng)爭(zhēng)中保持技術(shù)領(lǐng)先地位的努力。

據(jù)業(yè)內(nèi)人士12日透露，三星電子半導(dǎo)體研究院、英偉達(dá)和佐治亞理工學(xué)院的聯(lián)合研究團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)了一種名為“物理信息神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)算子（PINO）”的模型，其分析鐵電NAND器件性能的速度比傳統(tǒng)方法快1萬(wàn)倍以上。該研究成果已在全球范圍內(nèi)發(fā)布。

鐵電材料是一種新型物質(zhì)，無(wú)需持續(xù)的電輸入即可維持極化狀態(tài)（即正負(fù)電荷的分離）。由于鐵電材料能夠以極低的功耗高效存儲(chǔ)信息，因此將其應(yīng)用于NAND閃存器件的研究一直十分活躍，其中三星電子處于領(lǐng)先地位。鐵電NAND指的是使用鐵電材料而非傳統(tǒng)硅材料制造的NAND閃存。

鐵電NAND的商業(yè)化需要后續(xù)研究，通過(guò)計(jì)算機(jī)模擬精確分析并改進(jìn)材料性能特征，例如閾值電壓和數(shù)據(jù)保持能力。半導(dǎo)體行業(yè)廣泛使用的分析工具——技術(shù)計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)（TCAD）通常每次操作需要60小時(shí)，限制了研究速度。三星和英偉達(dá)的研究團(tuán)隊(duì)利用基于物理定律訓(xùn)練的人工智能，成功地將操作時(shí)間縮短到10秒以?xún)?nèi)。

基于研究成果，三星電子將與最大的內(nèi)存客戶英偉達(dá)合作，共同推進(jìn)鐵電NAND閃存的商業(yè)化開(kāi)發(fā)，這預(yù)示著雙方未來(lái)的發(fā)展方向。去年底，三星在國(guó)際期刊《自然》上發(fā)表了其鐵電NAND閃存技術(shù)，該技術(shù)與傳統(tǒng)NAND閃存相比，功耗降低了96%，標(biāo)志著一項(xiàng)重大的行業(yè)創(chuàng)新。

根據(jù)韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的數(shù)據(jù)，韓國(guó)在全球鐵電專(zhuān)利份額中位列前五，占比43.1%，其中三星電子的份額為27.8%。