2026年薩南德工廠將完成數(shù)千萬(wàn)顆芯片的封裝測(cè)試，2027年產(chǎn)能將提升至數(shù)億顆。

美光宣布其位于印度古吉拉特邦薩南德的半導(dǎo)體封裝測(cè)試工廠正式開業(yè)。這座先進(jìn)工廠將把美光全球制造網(wǎng)絡(luò)生產(chǎn)的高端DRAM與NAND晶圓，加工成成品存儲(chǔ)產(chǎn)品。

薩南德工廠一期項(xiàng)目全面投產(chǎn)后，潔凈室面積將超過50萬(wàn)平方英尺，成為全球面積最大的單層封裝測(cè)試潔凈室之一。該工廠將服務(wù)全球客戶，以滿足由人工智能驅(qū)動(dòng)、持續(xù)增長(zhǎng)的全球存儲(chǔ)產(chǎn)品需求。該工廠由美光與印度政府合作伙伴共同投資約27.5億美元建設(shè)，旨在提升印度的半導(dǎo)體制造能力。

美光科技總裁兼首席執(zhí)行官桑杰?梅赫羅特拉表示：“對(duì)美光和印度蓬勃發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言，這都是一個(gè)值得自豪的時(shí)刻。這座具有開創(chuàng)意義的工廠是印度境內(nèi)首座同類封裝測(cè)試基地，有助于構(gòu)建支撐全球人工智能經(jīng)濟(jì)的韌性產(chǎn)業(yè)生態(tài)。我們衷心感謝印度中央政府、古吉拉特邦政府及所有合作方的堅(jiān)定支持，讓這一成果得以實(shí)現(xiàn)?！?/p>

薩南德工廠已獲得 ISO 9001:2015 認(rèn)證，并已啟動(dòng)商業(yè)化生產(chǎn)。為慶祝工廠正式開業(yè)，美光將首批印度本土制造的內(nèi)存模組交付給戴爾科技，用于其面向印度市場(chǎng)生產(chǎn)的筆記本電腦。美光預(yù)計(jì)，2026年薩南德工廠將完成數(shù)千萬(wàn)顆芯片的封裝測(cè)試，2027年產(chǎn)能將提升至數(shù)億顆。此次在印度擴(kuò)充傳統(tǒng)封裝測(cè)試業(yè)務(wù)，與美光計(jì)劃在美國(guó)發(fā)展的先進(jìn)制造與封裝能力形成互補(bǔ)，進(jìn)一步強(qiáng)化了公司的全球封裝測(cè)試網(wǎng)絡(luò)。

印度電子和信息技術(shù)部部長(zhǎng)阿什維尼?瓦什瑙表示：“美光薩南德半導(dǎo)體工廠的落成，標(biāo)志著印度正式開啟本土商用半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)，這是一個(gè)歷史性里程碑?！彼硎荆@是朝著構(gòu)建可信、韌性、自主的半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)邁出的決定性一步。印度正從芯片消費(fèi)國(guó)，轉(zhuǎn)型為全球半導(dǎo)體制造與創(chuàng)新中心。

此外，美光正為印度培養(yǎng)下一代半導(dǎo)體人才，以支撐其在印業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)。通過與PDEU、Namtech、印度國(guó)內(nèi)頂尖高校及政府技能發(fā)展項(xiàng)目合作，美光支持STEM教育、專業(yè)技能培訓(xùn)、先進(jìn)制造業(yè)人才儲(chǔ)備，并推動(dòng)社區(qū)項(xiàng)目，包括面向當(dāng)?shù)氐臄?shù)字與人工智能素養(yǎng)教育。

如今正處于存儲(chǔ)超級(jí)周期，2026年第一季AI與數(shù)據(jù)中心需求持續(xù)加劇全球存儲(chǔ)器供需失衡，原廠議價(jià)能力有增無(wú)減，TrendForce據(jù)此全面上修第一季DRAM、NAND Flash各產(chǎn)品價(jià)格季成長(zhǎng)幅度，預(yù)估整體Conventional DRAM合約價(jià)將從一月初公布的季增55-60%，改為上漲90-95%，NAND Flash合約價(jià)則從季增33-38%上調(diào)至55-60%，并且不排除仍有進(jìn)一步上修空間。

美光此前在財(cái)報(bào)會(huì)議上透露，2026年（日歷年）全年高帶寬內(nèi)存（HBM）的供應(yīng)量已就價(jià)格和數(shù)量與客戶達(dá)成協(xié)議，全部售罄；并且，公司還預(yù)計(jì)HBM總潛在市場(chǎng)（TAM）將在2028年將達(dá)到1000億美元（2025年為350億美元），較此前指引提前兩年。

而在供應(yīng)方面，美光管理層表示，“中期來(lái)看，我們僅能滿足部分關(guān)鍵客戶約50%至三分之二的需求?！痹谶@種背景下，我們看到進(jìn)入2026年，美光在產(chǎn)能擴(kuò)張方面有多個(gè)動(dòng)作。

今年1月，美光宣布與力積電簽署獨(dú)家合作意向書，將以18億美元收購(gòu)力積電位于中國(guó)臺(tái)灣苗栗縣銅鑼鄉(xiāng)的晶圓廠（不含生產(chǎn)相關(guān)機(jī)器設(shè)備），其中包含了一座面積達(dá)30萬(wàn)平方英尺的300mm晶圓潔凈室，同時(shí)雙方將建立長(zhǎng)期的DRAM先進(jìn)封裝代工關(guān)系，美光將協(xié)助力積電在新竹P3工廠進(jìn)一步提升現(xiàn)有DRAM工藝技術(shù)。這次交易有利于美光提升先進(jìn)制程DRAM產(chǎn)能，并提升力積電的成熟制程DRAM供應(yīng)，預(yù)計(jì)能提升2027年全球DRAM供應(yīng)量。

同月，美光位于新加坡現(xiàn)有NAND閃存制造園區(qū)內(nèi)的先進(jìn)晶圓制造廠正式破土動(dòng)工，計(jì)劃未來(lái)十年投資約240億美元（約合人民幣1,670億元），預(yù)計(jì)2028年下半年投產(chǎn)。據(jù)悉，該工廠將成為新加坡首座雙層晶圓制造工廠，建成后將提供約70萬(wàn)平方英尺的無(wú)塵室空間，將有助于美光滿足由人工智能和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用迅速擴(kuò)張所帶動(dòng)的對(duì)NAND閃存不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。

美光在美國(guó)紐約州奧農(nóng)達(dá)加縣投資1000億美元的先進(jìn)存儲(chǔ)芯片制造綜合體，也在今年正式動(dòng)工。該項(xiàng)目規(guī)劃最多建設(shè)四座晶圓廠，將成為美國(guó)規(guī)模最大的半導(dǎo)體制造基地，預(yù)計(jì)2030年開始投產(chǎn)，并在2030年代逐步提升產(chǎn)能。根據(jù)此前規(guī)劃，美光將在美國(guó)投資2000億美元進(jìn)行整體擴(kuò)張，其中包括在愛達(dá)荷州新建兩座先進(jìn)高產(chǎn)能晶圓廠、對(duì)弗吉尼亞州現(xiàn)有晶圓廠進(jìn)行擴(kuò)建與現(xiàn)代化改造、布局先進(jìn)高帶寬內(nèi)存（HBM）封裝能力，以及開展研發(fā)工作。美光的目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)40%動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）在美國(guó)本土生產(chǎn)。

此外，美光之前還宣布將在日本廣島投資96億美元建設(shè)一座專門生產(chǎn)HBM芯片的新工廠。該工廠將設(shè)于美光現(xiàn)有的廣島廠區(qū)內(nèi)，預(yù)計(jì)于2026年5月動(dòng)工，并于2028年左右開始出貨HBM芯片。

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