深圳市康創(chuàng)股權(quán)基金管理有限公司近日消息，研微（江蘇）半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱“研微半導(dǎo)體”）宣布完成總金額近7億元人民幣的A輪融資。本輪融資由石溪資本、金石投資、高瓴資本等頂級(jí)機(jī)構(gòu)領(lǐng)投，老股東湖杉資本、襄禾資本、毅達(dá)資本等持續(xù)加碼。據(jù)悉，本輪融資資金將用于核心產(chǎn)品迭代、產(chǎn)能建設(shè)及研發(fā)擴(kuò)容，加速推進(jìn)高端薄膜沉積設(shè)備的國產(chǎn)化進(jìn)程。

研微半導(dǎo)體成立于2022年10月，專注于高端薄膜沉積與外延設(shè)備研發(fā)。此前已完成多輪融資，近一年來已完成三輪過億元融資。

公司創(chuàng)始人林興博士，畢業(yè)于美國加州大學(xué)，隨后加入全球半導(dǎo)體設(shè)備龍頭應(yīng)用材料公司（Applied Materials），在那里工作了超過20年。在此期間，林興博士主導(dǎo)了多款邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)，積累了從技術(shù)研發(fā)、工藝優(yōu)化到產(chǎn)業(yè)化落地的全流程經(jīng)驗(yàn)。2022年，林興博士帶領(lǐng)10多名海歸博士（其中5人入選國家級(jí)人才計(jì)劃）回國創(chuàng)業(yè)，在無錫經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)成立了研微半導(dǎo)體。

研微半導(dǎo)體的產(chǎn)品線聚焦于半導(dǎo)體制造中至關(guān)重要的薄膜沉積與外延設(shè)備，具體包括原子層沉積（ALD/PEALD）設(shè)備、硅外延沉積（Si EPI）設(shè)備、碳化硅外延（SiC EPI）設(shè)備、等離子體化學(xué)氣相沉積（PECVD）設(shè)備、原子層刻蝕（ALE）設(shè)備等。目前，研微半導(dǎo)體的設(shè)備已在國內(nèi)多家頭部晶圓廠和IDM企業(yè)進(jìn)行驗(yàn)證或小批量采購，部分型號(hào)進(jìn)入重復(fù)訂單階段。

高端薄膜沉積設(shè)備國產(chǎn)化進(jìn)程行業(yè)具備快速增長的的發(fā)展趨勢分析

一、市場規(guī)模與國產(chǎn)化現(xiàn)狀

• 市場空間與增長動(dòng)力
• 全球規(guī)模：2025年全球薄膜沉積設(shè)備市場規(guī)模預(yù)計(jì)達(dá)244億美元，占晶圓制造設(shè)備市場的22%，其中中國大陸市場規(guī)模約102億美元（按42%全球占比估算）。
• 國產(chǎn)化率：2023年國內(nèi)薄膜沉積設(shè)備整體國產(chǎn)化率不足25%，其中ALD設(shè)備國產(chǎn)化率低于10%，高端PECVD、SACVD等設(shè)備仍以進(jìn)口為主。
• 細(xì)分領(lǐng)域差異：PVD設(shè)備國產(chǎn)化率較高（北方華創(chuàng)占約15%），而ALD、HDPCVD等先進(jìn)工藝設(shè)備依賴海外巨頭（應(yīng)用材料、ASMI、TEL等）。
• 需求驅(qū)動(dòng)因素
• 制程升級(jí)：3nm以下先進(jìn)制程（GAA架構(gòu)）需ALD實(shí)現(xiàn)高精度薄膜沉積，3D NAND堆疊層數(shù)突破200層后對(duì)PECVD需求激增。
• 新興技術(shù)：HBM存儲(chǔ)、先進(jìn)封裝（TSV、混合鍵合）推動(dòng)ALD和特種CVD設(shè)備需求，2025年ALD在半導(dǎo)體設(shè)備中的市場規(guī)模或達(dá)60.8億元。

二、技術(shù)突破與廠商競爭格局

• 國產(chǎn)技術(shù)突破
• ALD設(shè)備：微導(dǎo)納米（28nm High-K ALD量產(chǎn)）、拓荊科技（PEALD設(shè)備進(jìn)入頭部客戶驗(yàn)證）、中微公司（LPCVD/ALD設(shè)備獲重復(fù)訂單）實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵突破。
• PECVD/SACVD：拓荊科技PECVD設(shè)備覆蓋邏輯/存儲(chǔ)芯片全流程，SACVD設(shè)備反應(yīng)腔累計(jì)出貨超100個(gè)，填補(bǔ)國產(chǎn)空白。
• 混合鍵合：拓荊科技W2W/D2W混合鍵合設(shè)備獲重復(fù)訂單，切入3D集成領(lǐng)域，成為第二增長曲線。
• 主要廠商布局

三、核心挑戰(zhàn)與瓶頸

• 技術(shù)壁壘
• 工藝精度：ALD需實(shí)現(xiàn)單原子層沉積，對(duì)溫度、前驅(qū)體控制要求極高，國產(chǎn)設(shè)備在深寬比覆蓋（如3D NAND溝槽）仍落后海外。
• 專利封鎖：應(yīng)用材料、TEL等巨頭掌握核心專利，國產(chǎn)設(shè)備需規(guī)避或突破技術(shù)封鎖（如PEALD工藝）。
• 供應(yīng)鏈依賴
• 關(guān)鍵零部件：靜電卡盤（ESC）、射頻電源等進(jìn)口依賴度超90%，國產(chǎn)化率不足5%。
• 客戶認(rèn)證周期：晶圓廠驗(yàn)證周期長達(dá)18-24個(gè)月，國產(chǎn)設(shè)備需長期技術(shù)迭代以提升穩(wěn)定性。
• 市場競爭
• 國際巨頭壓制：應(yīng)用材料、ASMI等占據(jù)全球80%以上高端市場，國產(chǎn)設(shè)備在價(jià)格、服務(wù)響應(yīng)速度上仍處劣勢。

四、未來趨勢與機(jī)遇

• 政策與資本驅(qū)動(dòng)
• 大基金三期：重點(diǎn)投向設(shè)備與材料領(lǐng)域，2025年國產(chǎn)設(shè)備采購補(bǔ)貼政策或加速替代進(jìn)程。
• 地方扶持：無錫、上海等地設(shè)立創(chuàng)新中心，推動(dòng)設(shè)備-制造協(xié)同研發(fā)（如無錫新港產(chǎn)業(yè)園）。
• 技術(shù)路徑演進(jìn)
• 混合鍵合：3D集成需求推動(dòng)混合鍵合設(shè)備市場增長，2030年全球規(guī)?；蜻_(dá)280億美元，國產(chǎn)廠商有望分羹。
• 第三代半導(dǎo)體：SiC/GaN器件擴(kuò)產(chǎn)帶動(dòng)ALD設(shè)備需求，國產(chǎn)廠商在高溫/高壓器件領(lǐng)域具備差異化優(yōu)勢。
• 產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同
• 設(shè)備-制造深度綁定：中芯國際、長江存儲(chǔ)等晶圓廠優(yōu)先采購國產(chǎn)設(shè)備，縮短驗(yàn)證周期40%。
• 零部件國產(chǎn)替代：海古德（ESC）、北方華創(chuàng)（真空系統(tǒng)）等突破關(guān)鍵部件，降低供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)。

最終高端薄膜沉積設(shè)備國產(chǎn)化已從“0-1”突破邁向“1-100”放量階段，ALD、PECVD等核心設(shè)備在成熟制程（28nm及以上）實(shí)現(xiàn)替代，但先進(jìn)制程（14nm以下）仍需技術(shù)攻堅(jiān)。未來3-5年，政策紅利、晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)及三維集成需求將驅(qū)動(dòng)國產(chǎn)設(shè)備市占率提升至35%-40%，具備工藝覆蓋廣、供應(yīng)鏈整合能力強(qiáng)的廠商（如拓荊科技、中微公司）將主導(dǎo)市場。