本文為財富情報局原創(chuàng)

作者丨易烊銘

雖然近幾日存儲芯片板塊在經歷一段時間的持續(xù)上漲后股價受到了一定幅度的價格回調，但是關于存儲迎來超級周期的共識認定并沒有被絲毫削弱。

“存儲荒”正在上演，而且暫時并沒有緩解的跡象。

根據CNBC報道，當地時間2月3日，英特爾首席執(zhí)行官陳立武在舊金山的一場人工智能峰會上表示，數據中心建設熱潮持續(xù)導致存儲芯片市場供需失衡，預計存儲芯片短缺局面要到2028年才會有所緩解。

這意味著，存儲市場至少還將遭遇2-3年的長周期庫存緊張狀態(tài)，價格上漲局面短期難以得到有效控制和改善。

01

從卷算力到拼存儲，AI革命催化存儲超級新周期

一直以來，存儲行業(yè)都是比較大的周期性行業(yè)。

百億級私募希瓦資產創(chuàng)始人梁宏在今年1月的希瓦2026年度交流會中曾表示，存儲行業(yè)過去的周期性主要是因為需求端沒有特別大的快速增長，因為需求端過去最大的來源是消費電子、PC和傳統(tǒng)服務器等一些存儲需求已經形成了比較穩(wěn)定的需求了，沒有爆發(fā)式的需求。而供給端就會形成一個四年左右的周期，比如說大家擴產了，價格下降，下降以后，全行業(yè)利潤很薄，甚至有企業(yè)虧損，再降產能，生產收縮，把庫存去掉以后存儲慢慢漲價，就這樣形成四年左右的周期，這個周期更多的是因為供給端的變化，供給端的擴產和供給端的收縮產，產生了整個周期的大變化。

簡言之，過去的存儲行業(yè)主要受下游消費電子換機周期和庫存周期所約束，行業(yè)周期性波動明顯，呈現出“庫存-漲價-擴產-過剩-跌價”的循環(huán)性周期特征，行業(yè)漲價的本質是“庫存缺貨”。

但是，梁宏認為，這次的存儲行情顯著不同，它其實并不是供給端的擴張和收縮引起的，而是因為AI時代到來迎來的新需求爆發(fā)所引起的。

360集團創(chuàng)始人周鴻祎也認為，AI對硬件的需求已經從算力爆發(fā)演進到了存儲饑荒?，F在限制AI進化的已經不全是算力本身，而是數據能不能“喂”的上去？

這是一次由AI架構變革驅動的結構性轉型，從算力層延伸到存力層，AI革命帶來的新的需求讓存儲行業(yè)迎來超級新周期，而不再是簡單的周期性反彈。

02

存儲超級新周期展望

與英特爾陳立武對存儲行業(yè)供需格局的看法幾乎一致，美銀在其關于存儲行業(yè)研究的最新研報中預測，全球存儲行業(yè)上升周期將在2026-2027年持續(xù)，形成多年增長的超級新周期。

結合當前存儲芯片制造商庫存與產能利用率綜合來看，除去廢舊閑置產能，目前DRAM和NAND晶圓廠產能利用率均處于完全利用狀態(tài)。美銀預計，2026年第一季度存儲芯片制造商的成品芯片庫存仍將處于歷史低位，低于1-2個月的正常水平。

美銀認為，DRAM ASP（平均銷售價格）在2026年將同比增長65%，NAND ASP將同比增長53%。受ASP上漲驅動，美銀預計，2026年DRAM和NAND全球銷售額將從2025年的1340億美元、810億美元分別增長至2620億美元、1470億美元，分別同比增長95%、82%。

其中，DRAM銷售主要由服務器（包括HBM，高帶寬內存）和智能手機驅動。2026年預計服務器占DRAM銷售額的40%，智能手機占28%。

NAND銷售則主要由SSD（固態(tài)硬盤）和智能手機驅動。2026年預計SSD占NAND銷售額的42%，智能手機占31%。

受全球大型科技公司AI算力中心建設強勁需求推動，美銀認為，HBM市場規(guī)模將迎來爆發(fā)式增長，行業(yè)高景氣特征明顯。

美銀預計，2026年HBM總市場規(guī)模將擴大至600億美元，同比增長74%，出貨量5.5 GB bn，ASP為10.9美元/GB。

而在HBM領域，韓國SK海力士（KRX: 000660）在HBM市場占據主導地位，預計2026年市場份額（按銷售額計）為50%，三星電子（KRX: 005930）則為31%。