本文為財(cái)富情報(bào)局原創(chuàng)

作者丨易烊銘

雖然近幾日存儲(chǔ)芯片板塊在經(jīng)歷一段時(shí)間的持續(xù)上漲后股價(jià)受到了一定幅度的價(jià)格回調(diào)，但是關(guān)于存儲(chǔ)迎來超級(jí)周期的共識(shí)認(rèn)定并沒有被絲毫削弱。

“存儲(chǔ)荒”正在上演，而且暫時(shí)并沒有緩解的跡象。

根據(jù)CNBC報(bào)道，當(dāng)?shù)貢r(shí)間2月3日，英特爾首席執(zhí)行官陳立武在舊金山的一場(chǎng)人工智能峰會(huì)上表示，數(shù)據(jù)中心建設(shè)熱潮持續(xù)導(dǎo)致存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)供需失衡，預(yù)計(jì)存儲(chǔ)芯片短缺局面要到2028年才會(huì)有所緩解。

這意味著，存儲(chǔ)市場(chǎng)至少還將遭遇2-3年的長(zhǎng)周期庫(kù)存緊張狀態(tài)，價(jià)格上漲局面短期難以得到有效控制和改善。

01

從卷算力到拼存儲(chǔ)，AI革命催化存儲(chǔ)超級(jí)新周期

一直以來，存儲(chǔ)行業(yè)都是比較大的周期性行業(yè)。

百億級(jí)私募希瓦資產(chǎn)創(chuàng)始人梁宏在今年1月的希瓦2026年度交流會(huì)中曾表示，存儲(chǔ)行業(yè)過去的周期性主要是因?yàn)樾枨蠖藳]有特別大的快速增長(zhǎng)，因?yàn)樾枨蠖诉^去最大的來源是消費(fèi)電子、PC和傳統(tǒng)服務(wù)器等一些存儲(chǔ)需求已經(jīng)形成了比較穩(wěn)定的需求了，沒有爆發(fā)式的需求。而供給端就會(huì)形成一個(gè)四年左右的周期，比如說大家擴(kuò)產(chǎn)了，價(jià)格下降，下降以后，全行業(yè)利潤(rùn)很薄，甚至有企業(yè)虧損，再降產(chǎn)能，生產(chǎn)收縮，把庫(kù)存去掉以后存儲(chǔ)慢慢漲價(jià)，就這樣形成四年左右的周期，這個(gè)周期更多的是因?yàn)楣┙o端的變化，供給端的擴(kuò)產(chǎn)和供給端的收縮產(chǎn)，產(chǎn)生了整個(gè)周期的大變化。

簡(jiǎn)言之，過去的存儲(chǔ)行業(yè)主要受下游消費(fèi)電子換機(jī)周期和庫(kù)存周期所約束，行業(yè)周期性波動(dòng)明顯，呈現(xiàn)出“庫(kù)存-漲價(jià)-擴(kuò)產(chǎn)-過剩-跌價(jià)”的循環(huán)性周期特征，行業(yè)漲價(jià)的本質(zhì)是“庫(kù)存缺貨”。

但是，梁宏認(rèn)為，這次的存儲(chǔ)行情顯著不同，它其實(shí)并不是供給端的擴(kuò)張和收縮引起的，而是因?yàn)锳I時(shí)代到來迎來的新需求爆發(fā)所引起的。

360集團(tuán)創(chuàng)始人周鴻祎也認(rèn)為，AI對(duì)硬件的需求已經(jīng)從算力爆發(fā)演進(jìn)到了存儲(chǔ)饑荒�，F(xiàn)在限制AI進(jìn)化的已經(jīng)不全是算力本身，而是數(shù)據(jù)能不能“喂”的上去？

這是一次由AI架構(gòu)變革驅(qū)動(dòng)的結(jié)構(gòu)性轉(zhuǎn)型，從算力層延伸到存力層，AI革命帶來的新的需求讓存儲(chǔ)行業(yè)迎來超級(jí)新周期，而不再是簡(jiǎn)單的周期性反彈。

02

存儲(chǔ)超級(jí)新周期展望

與英特爾陳立武對(duì)存儲(chǔ)行業(yè)供需格局的看法幾乎一致，美銀在其關(guān)于存儲(chǔ)行業(yè)研究的最新研報(bào)中預(yù)測(cè)，全球存儲(chǔ)行業(yè)上升周期將在2026-2027年持續(xù)，形成多年增長(zhǎng)的超級(jí)新周期。

結(jié)合當(dāng)前存儲(chǔ)芯片制造商庫(kù)存與產(chǎn)能利用率綜合來看，除去廢舊閑置產(chǎn)能，目前DRAM和NAND晶圓廠產(chǎn)能利用率均處于完全利用狀態(tài)。美銀預(yù)計(jì)，2026年第一季度存儲(chǔ)芯片制造商的成品芯片庫(kù)存仍將處于歷史低位，低于1-2個(gè)月的正常水平。

美銀認(rèn)為，DRAM ASP（平均銷售價(jià)格）在2026年將同比增長(zhǎng)65%，NAND ASP將同比增長(zhǎng)53%。受ASP上漲驅(qū)動(dòng)，美銀預(yù)計(jì)，2026年DRAM和NAND全球銷售額將從2025年的1340億美元、810億美元分別增長(zhǎng)至2620億美元、1470億美元，分別同比增長(zhǎng)95%、82%。

其中，DRAM銷售主要由服務(wù)器（包括HBM，高帶寬內(nèi)存）和智能手機(jī)驅(qū)動(dòng)。2026年預(yù)計(jì)服務(wù)器占DRAM銷售額的40%，智能手機(jī)占28%。

NAND銷售則主要由SSD（固態(tài)硬盤）和智能手機(jī)驅(qū)動(dòng)。2026年預(yù)計(jì)SSD占NAND銷售額的42%，智能手機(jī)占31%。

受全球大型科技公司AI算力中心建設(shè)強(qiáng)勁需求推動(dòng)，美銀認(rèn)為，HBM市場(chǎng)規(guī)模將迎來爆發(fā)式增長(zhǎng)，行業(yè)高景氣特征明顯。

美銀預(yù)計(jì)，2026年HBM總市場(chǎng)規(guī)模將擴(kuò)大至600億美元，同比增長(zhǎng)74%，出貨量5.5 GB bn，ASP為10.9美元/GB。

而在HBM領(lǐng)域，韓國(guó)SK海力士（KRX: 000660）在HBM市場(chǎng)占據(jù)主導(dǎo)地位，預(yù)計(jì)2026年市場(chǎng)份額（按銷售額計(jì)）為50%，三星電子（KRX: 005930）則為31%。