前沿導讀

據(jù)《日經(jīng)中文網(wǎng)》新聞指出，日本光刻機廠商佳能準備在2026年發(fā)售新一代的KrF光刻機設備，該設備的晶圓處理效率為每小時400片以上，相較于上一代設備提升了30%。這是時隔14年之后，佳能首次對制造成熟芯片的光刻機進行技術升級，并且佳能宣布隨后會繼續(xù)推出更先進的AfF干式光刻機設備，其主要目標就是搶占成熟芯片市場。

參考資料：
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設備競爭

據(jù)《中商產(chǎn)業(yè)研究院》所整理的數(shù)據(jù)顯示，在全球光刻機市場當中，ASML掌控著62%的總市場份額，其次是佳能占比31%，最后是尼康占比7%。

在所售光刻機當中，銷量最多的是248nm波長的KrF光刻機，其次是更古老的365nm波長i線設備。而193nm波長的先進ArF光刻機，以及13.5nm波長的EUV光刻機，加在一起也只有22.7%的總數(shù)量占比。

參考資料：
2025年中國光刻機產(chǎn)業(yè)鏈圖譜及投資布局分析（附產(chǎn)業(yè)鏈全景圖）-中商情報網(wǎng)

從整體的市場銷售來看，ASML掌握著絕對話語權(quán)，在先進設備領域幾乎沒有對手。雖然EUV光刻機的銷量只有總產(chǎn)業(yè)銷量的7.2%，但是其創(chuàng)造的利潤價值是無法估量的數(shù)值。

佳能憑借著納米壓印技術在存儲芯片領域占據(jù)一定市場，也因為佳能選擇押注納米壓印技術，所以佳能到目前為止并沒有ArF光刻機，只有一些技術成熟的KrF和i線設備。

尼康則是與佳能相反，并沒有跟佳能一樣走納米壓印路線，反而是跟隨ASML采用ArF浸潤式技術。不過由于尼康總部的決策速度太慢，導致ASML已經(jīng)在ArF領域取得了絕對統(tǒng)治權(quán)，尼康現(xiàn)在的光刻機銷量絕大部分都是本土企業(yè)或者海外的合資工廠所采購，市場空間極其有限。

據(jù)《佳能中國》資料顯示，佳能曾在2021年的上海半導體展會上面發(fā)布了多款光刻機產(chǎn)品。其中包括了i線光刻機和KrF光刻機，可以制造功率器件、通信器件等多種半導體產(chǎn)品。同時還發(fā)布了應用于封裝環(huán)節(jié)的i線步進光刻機、制造顯示面板的光刻機，以及佳能安內(nèi)華公司提供的配套零部件。

參考資料：
佳能亮相半導體產(chǎn)業(yè)盛會FPD/SEMICON China 2021

彼時的中國芯片產(chǎn)業(yè)已經(jīng)被美國封鎖了EUV光刻機和相關的制造設備，中國本土的光刻技術無法滿足于國內(nèi)企業(yè)的需要，產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)了技術斷層。佳能在這個時期向中國市場上投放大量制造設備，一方面可以有效解決中國芯片產(chǎn)業(yè)缺少設備的困境，另一方面也可以借此機會通過中國市場來賺取利潤，吃掉一部分本該屬于ASML的市場空間。

成熟芯片

2024年9月，中國工信部正式對外公布了中國新一代光刻機設備的技術指標�？偣灿袃煞N新設備，一種是248nm波長的KrF氟化氪光刻機，一種是193nm波長的干式ArF氟化氬光刻機，其干式ArF光刻機的硬件水平相當于ASML在2015年推出XT：1460K。

這兩款產(chǎn)品的發(fā)布，標志著中國光刻機產(chǎn)業(yè)迎來了新一輪的技術更新。雖然整體的技術指標對比ASML的產(chǎn)品差距很大，但是對于銷售成熟節(jié)點光刻機的尼康和佳能來說，有著直接沖擊。

根據(jù)佳能工業(yè)部門的資料顯示，除納米壓印光刻機之外，在傳統(tǒng)光刻機領域，佳能最先進的i線光刻機為FPA-5550iZ2，分辨率350nm，套刻精度25nm。最先進的KrF光刻機為FPA-6300ES6a，分辨率為90nm，套刻精度為5nm。

雖然佳能KrF設備的套刻精度比中國光刻機更高，但是其設備的分辨率要比中國光刻機低很多。從技術與商業(yè)的兩個維度看，佳能的i線設備與KrF設備，均已經(jīng)在技術指標上被中國公布的國產(chǎn)光刻機趕超。

ASML統(tǒng)治著先進光刻機市場，尼康憑借著略差一些的ArF光刻機也可以維持市場，現(xiàn)在只剩下佳能徘徊在產(chǎn)業(yè)邊緣。

佳能所持有的納米壓印設備由于其技術特殊性，目前只被用于制造存儲芯片和特色工藝芯片，無法應用到邏輯芯片上，而佳能出貨量最多的i線和KrF設備，又被中國制造的光刻機所趕超。

如果佳能拿不出水平更高的傳統(tǒng)設備去搶占市場，那么等中國光刻機在國際市場上全線鋪開，佳能所面臨的抉擇只有兩個，要么將傳統(tǒng)設備市場讓給其他企業(yè)，要么拿出更高水平的設備打敗對方。