前言

在AI算力持續(xù)擴張的帶動下，數(shù)據(jù)中心的供電需求正進入更高功率以及更高布局密度密度新階段，單機柜功耗不斷上探。與此同時，功率半導體廠商也在把AI數(shù)據(jù)中心供電作為明確的增量方向加大投入，AI數(shù)據(jù)中心相關(guān)電源與功率器件的需求增長正在重塑行業(yè)相關(guān)資源分配。

在在實際供電設(shè)計層面，CPU、GPU以及加速卡對瞬態(tài)響應、效率的要求同步提升，使得功率級集成成為更現(xiàn)實的選擇。而DrMOS技術(shù)徹底改變了傳統(tǒng)板卡供電設(shè)計思路。在傳統(tǒng)方案中，上下管MOSFET與驅(qū)動IC獨立放置，不僅占用較大PCB空間，還因寄生參數(shù)帶來轉(zhuǎn)換效率下降的問題，尤其在應對 CPU、GPU 等高功率需求時表現(xiàn)不佳。DrMOS則將驅(qū)動器與MOSFET集成于一體，大幅降低寄生效應，整體占板面積僅為傳統(tǒng)設(shè)計的四分之一，在提升功率密度的同時兼顧效率與穩(wěn)定性。

如今，DrMOS已被廣泛應用于AI數(shù)據(jù)中心以及個人PC等高性能設(shè)備，為消費級、數(shù)據(jù)中心等場景提供高效緊湊的供電解決方案，推動設(shè)備向高性能、小型化與節(jié)能化方向持續(xù)演進。

多家廠商相繼推出DrMOS

文中出現(xiàn)的DrMOS如上表所示，下文小編將為您詳細介紹。

ADI亞德諾

LTC7051

LTC7051是一顆采用LQFN 5×8mm的DrMOS，支持140A峰值輸出電流，采用低EMI/EMC Silent Switcher2架構(gòu)，低SW電壓過沖，頻率高達2MHz，VIN高達14V，1MHz時效率高 94%，并具有1.8VOUT，芯片內(nèi)集成升壓二極管和電容器以及電源開關(guān)。

AOS萬國半導體

AOZ52177QI

AOZ52177QI是一款通用型智能功率級，支持70A持續(xù)輸出電流，包含兩個非對稱的MOSFET和一個集成驅(qū)動器，適用于高電流、高頻率的DC-DC轉(zhuǎn)換器。AOZ52177QI提供輸出電流信號 (IMON)，能以5mV/A的增益實時報告模塊電流。IMON 信號可直接用于多相電壓調(diào)節(jié)系統(tǒng)中，替代電感 DCR 檢測或電阻檢測，無需溫度補償。

此外，AOZ52177QI還配備精準的模塊溫度監(jiān)測功能 (TMON)，TMON 是一種電壓源信號，增益為8mV/°C。其MOSFET經(jīng)過單獨優(yōu)化，適用于同步降壓配置。高端 MOSFET 旨在實現(xiàn)低電容和低柵極電荷，以快速切換并支持低占空比操作；低端 MOSFET 具有超低導通電阻，可最大限度地降低傳導損耗。標準的QFN封裝經(jīng)優(yōu)化設(shè)計，可最小化寄生電感，從而實現(xiàn)最小的電磁干擾 (EMI) 簽名。

AOZ53071QI

AOZ53071QI是一款高效同步降壓功率級模塊，支持80A持續(xù)輸出，包含兩個不對稱的 MOSFET和一個集成驅(qū)動器。這兩個 MOSFET 分別針對同步降壓配置進行了優(yōu)化。高壓側(cè) MOSFET經(jīng)優(yōu)化后具有低電容和低柵極電荷，可實現(xiàn)快速開關(guān)和低占空比操作。低壓側(cè) MOSFET具有超低導通電阻，可最小化傳導損耗。

AOZ53071QI采用 PWM 輸入來精確控制功率 MOSFET，與3V和5V（CMOS）邏輯兼容，并支持三態(tài) PWM。該器件具有多種特性，使其成為一個高度通用的功率模塊。其驅(qū)動器中集成了自舉開關(guān)。低壓側(cè)MOSFET可以被驅(qū)動到二極管仿真模式，以提供異步操作并改善輕載性能。其引腳布局也針對低寄生參數(shù)進行了優(yōu)化，將寄生參數(shù)的影響降至最低。

AOZ5507QI

AOZ5507QI是一款高效率的同步降壓功率級模塊，支持30A電流持續(xù)輸出，它由兩個不對稱的MOSFET和一個集成驅(qū)動器組成。這些MOSFET分別針對同步降壓配置進行了優(yōu)化。高邊MOSFET經(jīng)過優(yōu)化，能夠?qū)崿F(xiàn)低電容和低柵極電荷，從而在低占空比操作下實現(xiàn)快速開關(guān)。低邊MOSFET具有超低導通電阻，以盡量減少導通損耗。

AOZ5507QI使用PWM輸入來精確控制功率MOSFET的開關(guān)活動，與5V（CMOS）邏輯兼容，并支持三態(tài)PWM。AOZ5507QI提供了多種功能，使其成為一個高度通用的功率模塊。驅(qū)動器中集成了自舉開關(guān)。低邊MOSFET可以被驅(qū)動進入二極管仿真模式，以提供異步操作并提高輕載性能。此外，引腳布局也針對低寄生效應進行了優(yōu)化，將這些效應降至最低。

1、AOS多顆DrMOS被全球知名顯卡品牌采用并量產(chǎn)出貨！

AOZ5517MQI

AOZ5517MQI是一款高效率的同步降壓功率級模塊，支持60A持續(xù)輸出，包含兩個不對稱的MOSFET和一個集成驅(qū)動器。這些MOSFET針對同步降壓配置進行了單獨優(yōu)化。高壓側(cè)MOSFET經(jīng)過優(yōu)化，可實現(xiàn)低電容和低柵極電荷，以實現(xiàn)快速切換和低占空比操作。低壓側(cè)MOSFET具有超低導通電阻，可最小化傳導損耗。緊湊的QFN封裝可最小化寄生電感，從而實現(xiàn)極低的電磁干擾(EMI)特性。

AOZ5517MQI支持PWM和/或FCCM輸入，可實現(xiàn)對功率MOSFET切換活動的精確控制，與5V CMOS邏輯兼容，并支持三態(tài)PWM。AOZ5517MQI驅(qū)動器中集成了自舉二極管。低壓側(cè)MOSFET可以被驅(qū)動進入二極管仿真模式，以提供異步操作并提高輕載性能。引腳布局也針對低寄生參數(shù)進行了優(yōu)化，將其影響降至最低。

AOZ5653BQI

AOZ5653BQI是一款高效率同步降壓功率級模塊，支持40A電流持續(xù)輸出，由兩個不對稱MOSFET和一個集成驅(qū)動器組成。MOSFET經(jīng)過單獨優(yōu)化，適用于同步降壓配置。高側(cè)MOSFET優(yōu)化為低電容和柵極電荷，以實現(xiàn)低占空比操作下的快速開關(guān)。低側(cè)MOSFET 具有超低導通電阻，以將傳導損耗降至最低。緊湊的QFN可最大限度地減少寄生電感，從而將EMI特征降至最低。可直接替代TDA21240。

AOZ5653BQI采用PWM來精確控制MOSFET的開關(guān)，與3.3V邏輯兼容，提供了多項功能，使其成為一款高度通用的電源模塊。驅(qū)動器中集成了自舉開關(guān)。引腳排列也經(jīng)過優(yōu)化，以降低寄生效應，將其影響降至最低。

Aurasemi奧拉

AU4991

AU4991是奧拉推出的一款DrMOS，其將功率MOS柵極驅(qū)動器高度集成，用于高功率密度多相同步降壓。器件VIN輸入4.5~16V、可提供90A輸出電流能力，支持3.3V三態(tài)PWM 輸入并可實現(xiàn)節(jié)能工作模式；最高工作頻率可達2MHz。此外，該芯片集成精準電流報告與精準溫度報告，并內(nèi)置過流/過溫保護、VDD/VDRV與 VIN欠壓鎖定、高低側(cè)短路保護、以及TLVR開路/短路檢測保護等，同時具備故障上報能力，便于與控制器聯(lián)動實現(xiàn)更穩(wěn)健的系統(tǒng)保護策略。而在封裝層面，則采用LGA封裝。

從應用角度看，AU4991主要瞄準服務器、工作站與企業(yè)存儲等高電流 POL 供電場景，典型負載包括 CPU/GPU/ASIC/AI芯片的核心電壓軌，以及各類板級電源模塊/多相 VR供電等場景。

AU4992

AU4992同樣是奧拉推出的DrMOS，其將功率MOS柵極驅(qū)動器高度集成，用于高功率密度多相同步降壓。器件VIN輸入4.5~16V、可提供90A輸出電流能力，支持3.3V三態(tài)PWM 輸入并可實現(xiàn)節(jié)能工作模式；最高工作頻率可達1.5MHz。此外，該芯片集成精準電流報告與精準溫度報告，并內(nèi)置過流/過溫保護、VDD/VDRV與 VIN欠壓鎖定、高低側(cè)短路保護、以及TLVR開路/短路檢測保護等，同時具備故障上報能力，便于與控制器聯(lián)動實現(xiàn)更穩(wěn)健的系統(tǒng)保護策略。而在封裝層面，則采用LGA封裝。

從應用角度看，AU4991面向服務器、工作站與企業(yè)存儲等高電流 POL 供電場景，典型負載包括 CPU/GPU/ASIC/AI芯片的核心電壓軌，以及各類板級電源模塊/多相 VR供電等場景。

BPS晶豐明源

BPD80350E

晶豐明源推出BPD80350E是一顆16V/50A智能功率級DrMOS，基于過零電流檢測（ZCD）控制與先進封裝技術(shù)，實現(xiàn)高頻高效能電源管理。該器件支持NVIDIA OpenVReg16標準，可靈活配置16相雙軌多相控制器，兼容PWMVID/PMBUS/AVSBUS協(xié)議，并通過NVM存儲實現(xiàn)多模式參數(shù)預設(shè)。內(nèi)置智能保護機制包含周期性過流檢測、MOSFET短路保護及過溫關(guān)斷功能，同時提供引腳可編程過流閾值與故障指示輸出，強化系統(tǒng)可靠性。

該芯片采用TLGA 5×5緊湊封裝，適配空間受限的高密度電源場景（如AI加速卡、GPU供電模塊），功率密度較傳統(tǒng)方案提升30%以上。其高頻開關(guān)特性結(jié)合多相動態(tài)分配算法，可有效降低紋波噪聲，滿足高性能計算設(shè)備對瞬態(tài)響應與能效的嚴苛需求，為智能電源系統(tǒng)提供高集成度、強魯棒性的硬件解決方案。

BPD80690

晶豐明源DrMOS BPD80690，廣泛適用于4.5V-16V輸入電壓范圍，90A DC電流，工作頻率可高達1.5MHz。滿足高瓦數(shù)、高效能和高功率密度芯片供電需求，實現(xiàn)高頻小型化供電方案，在熱性能和EMI性能上表現(xiàn)優(yōu)異。同時BPD80690集成溫度檢測功能，電流檢測功能及多種保護功能，包括過流、過溫保護等功能。同時，BPD80690提供TLGA 5×6mm封裝，適用于高頻、大電流、小形態(tài)DC/DC轉(zhuǎn)換器、用于CPU、GPU和存儲陣列的多相電壓調(diào)節(jié)器等多種高頻、高功率密度的供電場景需求。

EINNO艾諾

ES5131

艾諾ES5131是一款智能功率級芯片，內(nèi)部將半橋功率MOSFET與柵極驅(qū)動單片集成，器件輸入電壓范圍4.25~16V，VCC/VDRV供電范圍4.25–5.5V，輸出電壓范圍0.25–5.5V；支持70A 連續(xù)輸出電流，并具備90A峰值限流與鎖存式過流保護。開關(guān)頻率最高可到2MHz，兼容3.3V 三態(tài) PWM 輸入；提供5μA/A 高精度電流上報與模擬溫度輸出，同時集成VCC/VDRV UVLO、引導自舉UVLO、過溫關(guān)斷、深度休眠省電與故障告警等功能。另外，該芯片的封裝為LQFN 5×6，且無需外置自舉電容。

在應用層面，ES5131可用于CPU、內(nèi)存的VRM 功率級、服務器系統(tǒng)中的高電流母線/負載點供電軌，以及交換機、基站等通信基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備的高電流降壓電源。對于需要“高電流 + 高頻小型化 + 可測可管”的電源設(shè)計，它把功率器件、驅(qū)動與電流/溫度遙測集成到一個器件里，能明顯簡化控制器外圍。

ES5132

ES5132是一顆智能功率級芯片，內(nèi)部把半橋功率MOSFET與柵極驅(qū)動集成，面向高電流、高頻DC-DC Buck優(yōu)化死區(qū)時間與環(huán)路寄生，從而提升效率與功率密度。其輸入電壓范圍4.25~16V，VCC/VDRV供電 4.25–5.5V，輸出電壓范圍0.25~5.5V；支持70A連續(xù)輸出電流， 90A峰值樹池。最高開關(guān)頻率可達 2MHz，兼容 3.3V 三態(tài) PWM 輸入；差異點在于它提供5mV/A的 MOSFET 電流模擬上報，同時還有 PTAT 溫度模擬輸出，并集成VCC/VDRV UVLO、引導自舉UVLO、過溫關(guān)斷、深度休眠省電與故障告警等功能。另外，該器件封裝為LQFN 5×6，且無需外置自舉電容。

在實際應用層面，ES5132可在CPU、內(nèi)存等VRM多相供電、服務器系統(tǒng)的高電流中間母線/負載點電源軌，以及通信基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備中的高功率密度降壓電源等諸多場景應用。

Infineon英飛凌

TDA22590

TDA22590是一顆集成功率級芯片，內(nèi)置一個低靜態(tài)電流同步降壓柵極驅(qū)動IC，該IC與控制器和MOSFET一起嵌入到PG-UFLGA-34-1的封裝中。內(nèi)置成對的柵極驅(qū)動器和MOSFET組合能以更低的輸出電壓實現(xiàn)更高的效率，滿足高端CPU、GPU和DDR存儲器的供電要求，最高可輸出90A電流。

TDA21590

TDA21590集成功率級芯片包含一個低靜態(tài)電流同步降壓柵極驅(qū)動器IC，該IC與控制電路和MOSFET以及有源二極管結(jié)構(gòu)共同封裝于PQFN 5×6的單顆芯片，反向恢復電荷極低。該封裝針對PCB布局、散熱、驅(qū)動器/MOSFET 控制時序進行了優(yōu)化，在遵循布局準則的情況下，開關(guān)節(jié)點振鈴更小。成對的柵極驅(qū)動器和MOSFET組合能以更低的輸出電壓實現(xiàn)更高的效率，滿足 CPU、GPU和DDR存儲器設(shè)計的要求，最高可輸出90A電流。

TDA21570

英飛凌TDA21570是一顆70A的集成功率級內(nèi)置一個低靜態(tài)電流同步降壓柵極驅(qū)動器IC，并結(jié)合了控制電路、MOSFET以及有源二極管結(jié)構(gòu)，可實現(xiàn)類似肖特基二極管的低VSD，且反向恢復電荷極低。該封裝針對PCB 布局、傳熱、驅(qū)動器/MOSFET控制時序進行了優(yōu)化，在遵循布局準則的情況下，開關(guān)節(jié)點振鈴最小。成對的柵極驅(qū)動器和MOSFET組合可在較低的輸出電壓下實現(xiàn)更高的效率，滿足CPU、GPU和DDR存儲器設(shè)計的需求。

TDA21535

TDA21535集成功率級包含一個低靜態(tài)電流同步降壓柵極驅(qū)動器IC，該IC與高壓側(cè)和低壓側(cè) MOSFET以及有源二極管結(jié)構(gòu)共同集成在PQFN 4×5封裝內(nèi)，可實現(xiàn)類似肖特基的低Vsd值，且反向恢復電荷極低。該芯片與英飛凌多相控制器IC配合使用時，可構(gòu)成一個完整的低電壓、高功率DC/DC穩(wěn)壓器，最高可輸出35A電流，適合CPU、GPU、服務器、DDR內(nèi)存等多種場景應用。

TDA21520

TDA21520集成功率級芯片包含一個低靜態(tài)電流同步降壓柵極驅(qū)動器IC，該IC與高壓側(cè)和低壓側(cè) MOSFET 以及有源二極管結(jié)構(gòu)共同封裝，可實現(xiàn)類似肖特基的低Vsd值，且反向恢復電荷極低。TDA21520 功率級與英飛凌多相控制器 IC 配合使用時，可構(gòu)成一個完整的低電壓、高功率DC/DC穩(wěn)壓器，最高可輸出20A電流。該芯片可在CPU、GPU穩(wěn)壓供電、DDR內(nèi)存供電、通信等諸多領(lǐng)域應用。

IVS長工微

IS6811A

長工微IS6811A 是集成功率 MOSFET 和驅(qū)動 IC 的智能功率級，可在3V -22V 寬輸入電壓內(nèi)提供30A的連續(xù)輸出電流，瞬時承載能力超過100A，具備高精度電流與溫度監(jiān)測，支持過流、過溫保護及故障上報功能。該器件支持100kHz -2MHz 頻率，在芯片瞬態(tài)達較高頻率時，仍能保證正常工作，且支持 Standby 模式與過流保護計數(shù)功能，可切換 MIN_OFF 時間以實現(xiàn)快速動態(tài)響應，是注重高效率和小尺寸多相方案的理想之選。

IS6809A

長工微IS6809A 是內(nèi)置高/低側(cè)功率 MOSFET 與柵極驅(qū)動器的智能功率級，在寬輸入電壓內(nèi)（3V-16V）提供高達70A 的輸出電流，兼具高功率密度與優(yōu)異的熱性能。支持100kHz —2MHz 開關(guān)頻率，通過優(yōu)化死區(qū)控制與低寄生電感設(shè)計，顯著提升轉(zhuǎn)換效率與動態(tài)負載響應能力。

IS6809A 支持精確的電流與溫度采樣，可實時監(jiān)測電感電流與結(jié)溫，可接收控制器的三態(tài)脈寬調(diào)制（PWM）信號，還提供包括過流、短路、過溫在內(nèi)的多重保護功能及故障報警機制，全面增強系統(tǒng)可靠性。

IS6812A

長工微IS6812A 是內(nèi)置高/低側(cè)功率 MOSFET 與柵極驅(qū)動器的智能功率級，可在3V -16V 輸入電壓內(nèi)提供70A 的連續(xù)輸出電流，憑借優(yōu)化的 MOSFET 設(shè)計實現(xiàn)高電流輸出、優(yōu)異的熱性能和能效表現(xiàn)。該器件支持100kHz - 2MHz 工作頻率及三態(tài)脈寬調(diào)制（PWM）信號，同時具備精確的電流與溫度監(jiān)測、警報及完整的保護機制。

IS6816B

長工微IS6816B 是內(nèi)置高/低側(cè)功率 MOSFET 與柵極驅(qū)動器的智能功率級，在2.5V –16V 輸入電壓內(nèi)持續(xù)輸出90A，且具備優(yōu)異能效表現(xiàn)與良好的熱性能。該器件支持高達 1.5MHz 開關(guān)頻率，配合優(yōu)化的 MOSFET 設(shè)計與內(nèi)部電流檢測機制，顯著提升轉(zhuǎn)換效率與動態(tài)響應能力，并有助于實現(xiàn)外圍元件的小型化。芯片支持高精度的電流/溫度監(jiān)測、警報功能，兼容3.3V 三態(tài) （PWM ）信號，并具備完整的系統(tǒng)保護機制，包括過流、過溫、欠壓鎖定及故障報警，確保系統(tǒng)在高功率密度應用中穩(wěn)定可靠運行。

IS6821A

長工微IS6821A 是集成高/低側(cè)功率 MOSFET 和柵極驅(qū)動器的智能功率級，采用4mm x 6mm封裝，在寬輸入電壓范圍提供90A 的連續(xù)輸出電流，是高效率、小尺寸的多相應用理想選擇。

得益于優(yōu)化的 MOSFET，該器件具有優(yōu)異的電流承載能力、熱性能和能效，支持接收控制器的三態(tài)脈寬調(diào)制（PWM）信號。其具備完整的保護機制，IMON 引腳能提供5uA/A 增益的高精度的電流檢測信號，TMON 引腳可實時監(jiān)控內(nèi)部溫度，并在發(fā)生嚴重故障時迅速將信號拉高至3.3V 告警。

JOULWATT杰華特

JWH7030

杰華特JWH7030是一顆集成功率級芯片，內(nèi)部集成兩個NMOS和半橋柵極驅(qū)動器，芯片可以提供30A的輸出電流，將驅(qū)動器和MOS管集成能夠優(yōu)化死區(qū)時間和降低集成電感，支持100KHz-1.5MHz開關(guān)頻率。芯片支持三態(tài)PWM信號，內(nèi)部集成電流采樣輸出VCC欠壓保護，逐周期過流保護和過熱保護，并具備失效指示，采用QFN3*5-21封裝。

JWH7067

杰華特JWH7067是一顆集成功率級芯片，內(nèi)部集成兩個NMOS和半橋柵極驅(qū)動器，支持3-16V輸入電壓，具備70A輸出電流能力。將驅(qū)動器和MOS管集成，提供了高效的低電壓輸出，專為CPU，GPU和內(nèi)存設(shè)計。芯片支持100KHz-1.5MHz開關(guān)頻率。芯片具備逐周期過流保護，欠壓保護，芯片溫度報告和溫度保護，支持三態(tài)PWM信號，具備失效指示，采用TLGA5*6封裝。

JWH7069

杰華特JWH7069是一顆集成功率級芯片，內(nèi)部集成兩個NMOS和半橋柵極驅(qū)動器，支持3-16V輸入電壓，具備90A輸出電流能力。將驅(qū)動器和MOS管集成，提供了高效的低電壓輸出，專為CPU，GPU和內(nèi)存設(shè)計。芯片支持300KHz-1.5MHz開關(guān)頻率。芯片具備逐周期過流保護，欠壓保護，芯片溫度報告和溫度保護，支持三態(tài)PWM信號，具備失效指示，采用TLGA5*6封裝。

JWH7079

杰華特JWH7079是一顆集成功率級芯片，內(nèi)部集成兩個NMOS和半橋柵極驅(qū)動器，支持3-16V輸入電壓，具備90A輸出電流能力。將驅(qū)動器和MOS管集成，提供了高效的低電壓輸出，專為CPU，GPU和內(nèi)存設(shè)計。芯片支持300KHz-3MHz開關(guān)頻率。芯片具備逐周期過流保護，欠壓保護，芯片溫度報告和溫度保護，支持三態(tài)PWM信號，具備失效指示，采用TLGA4*6封裝。

MERAKI茂睿芯

MK6840

茂睿芯MK6840是一顆DrMOS芯片，支持最高90A電流輸出，集成了兩顆MOSFET和驅(qū)動芯片，采用業(yè)界標準的4mm×6mm QFN封裝，大幅提高了功率密度和熱管理性能。

MK6840專為AI服務器、數(shù)據(jù)中心及高性能計算設(shè)備設(shè)計，具備峰值逐周期限流、負電流保護和BOOT電容自動刷新等多重保護功能，可為CPU、GPU等算力芯片提供高精度電流上報，提升系統(tǒng)性能并降低能耗，其設(shè)計完全兼容主流多相控制器。

MK6850

茂睿芯MK6850芯片集成了兩顆的SGT MOSFET和驅(qū)動芯片，采用業(yè)界標準的5mm×6mm QFN封裝，大幅提高了功率密度和熱管理性能。經(jīng)過嚴格測試，MK6850展現(xiàn)出高可靠性、高效率和高精度IMON上報等優(yōu)勢，在典型工況下實現(xiàn)了94.7%的峰值效率，并確保產(chǎn)品在高負載條件下的穩(wěn)定性。

MK6850專為AI服務器、數(shù)據(jù)中心及高性能計算機設(shè)計，支持90A電流輸出，具備峰值逐周期限流、負電流保護和BOOT電容自動刷新等多重保護功能，可為CPU、GPU等算力芯片提供高精度電流上報，提升系統(tǒng)性能并降低能耗。其設(shè)計完全兼容主流多相控制器，已通過多平臺驗證，表現(xiàn)優(yōu)異。

1、深圳這家芯片企業(yè)宣布量產(chǎn)DrMOS！

MK6851

茂睿芯MK6851是一顆DrMOS芯片，支持最高90A電流輸出，集成了兩顆MOSFET和驅(qū)動芯片，采用業(yè)界標準的5×6mm QFN封裝，大幅提高了功率密度和熱管理性能。

MK6851專為AI服務器、數(shù)據(jù)中心及高性能計算設(shè)備設(shè)計，具備峰值逐周期限流、負電流保護和BOOT電容自動刷新等多重保護功能，可為CPU、GPU等算力芯片提供高精度電流上報，提升系統(tǒng)性能并降低能耗，其設(shè)計完全兼容主流多相控制器。

MPS芯源半導體

MP86905

MP86905 是一款集成內(nèi)部功率MOSFET 和柵極驅(qū)動器的單片半橋芯片。MP86905在寬輸入范圍內(nèi)可實現(xiàn)50A連續(xù)輸出電流。

MP86905是一種單片IC，每相可驅(qū)動高達 50A 的電流。該器件將驅(qū)動和 MOSFET 集成在一起，減少了寄生電感的產(chǎn)生，同時實現(xiàn)了最優(yōu)的死區(qū)時間，大大提高了芯片的效率。MP86905 的工作頻率范圍為 100kHz 至 2MHz。該芯片提供許多功能以簡化系統(tǒng)設(shè)計。MP86905 配合帶三態(tài) PWM 信號的控制器使用，并具有精確的電流采樣功能以監(jiān)控電感電流以及溫度采樣功能以報告結(jié)溫。MP86905 是高效小尺寸服務器應用的理想之選。MP86905 采用小型FC-QFN（4mmx4mm）封裝。

MP86912C

MP86912C是一款內(nèi)置功率 MOSFET 和柵極驅(qū)動器的單片半橋驅(qū)動器，在寬輸入電壓（VIN）范圍內(nèi)可實現(xiàn)25A的連續(xù)輸出電流 (IOUT)。該器件集成了驅(qū)動器和MOSFET，優(yōu)化了死區(qū)時間并減少了寄生電感，從而實現(xiàn)了高效率。其工作頻率范圍為100kHz 至 2MHz。

該器件可與三態(tài)輸出控制器配合使用，并提供通用電流采樣和溫度采樣。它是注重效率與小尺寸的筆記本電腦應用理想之選,MP86912C采用 LGA (3mmx4mm) 封裝。

MP86920

MP86920是一款集成內(nèi)部功率MOSFET和柵極驅(qū)動器的單片半橋驅(qū)動器。它可以在寬輸入電壓 (VIN) 范圍內(nèi)實現(xiàn)高達20A的連續(xù)輸出電流 (IOUT)。

其集成驅(qū)動器和 MOSFET 通過優(yōu)化死區(qū)時間并降低寄生電感實現(xiàn)高效率。它可以與具有三態(tài)輸出的控制器配合使用，工作頻率為 100kHz 至 2MHz。另外，該器件還提供通用的電流采樣和溫度采樣功能。MP86920適用于注重高效率與小尺寸的服務器和電信應用。MP86920 采用 LGA-27 (4mmx5mm) 封裝。

MP86933

MP86933是一款內(nèi)置功率 MOSFET 和柵極驅(qū)動器的單片半橋驅(qū)動器。MP86933 在寬輸入電壓范圍內(nèi)可實現(xiàn)12A連續(xù)輸出電流，工作頻率為100kHz~2MHz。

該器件將驅(qū)動器和MOSFET集成在一起，減少了寄生電感的產(chǎn)生，同時實現(xiàn)了最優(yōu)的死區(qū)時間，大大提高了其效率。MP86933 與三態(tài)輸出控制器配合使用，并具有通用電流采樣和溫度檢測功能。MP86933 是高效率小尺寸服務器和電信應用的理想之選。MP86933 采用小尺寸 FC-TQFN-13（3mmx3mm）封裝。

MP86934

MP86934 是一款集成內(nèi)部功率 MOSFETs 和柵極驅(qū)動的單片半橋芯片。它在寬輸入范圍內(nèi)可實現(xiàn)25A的連續(xù)輸出電流。MP86934 將驅(qū)動和MOSFETS集成在一起，減少了寄生電感的產(chǎn)生，同時實現(xiàn)了最優(yōu)的死區(qū)時間，大大提高了芯片的效率。

這款超小型 3mm x 4mm FC-TQFN 芯片的工作頻率為100kHz - 2MHz。MP86934配合三態(tài)（高阻態(tài)）輸出控制器使用。同時還具有通用電流采樣和溫度檢測功能，是高效小尺寸服務器和電信應用的理想之選。

MP86935-A

MP86935-A是一款內(nèi)部集成功率MOSFET和柵極驅(qū)動器的單片半橋驅(qū)動器。該器件在寬輸入電源范圍內(nèi)可實現(xiàn)高達60A的連續(xù)輸出電流 (IOUT)。MP86935-A 可驅(qū)動每相高達 60A 的電流。其集成驅(qū)動器和MOSFET通過優(yōu)化死區(qū)時間 (DT) 并降低寄生電感實現(xiàn)高效率。其工作頻率為100kHz~3MHz。

MP86935-A具備多項可簡化系統(tǒng)設(shè)計的功能，而且可與具有三態(tài)脈寬調(diào)制 (PWM) 信號的控制器配合使用。另外，該器件還提供精確的電流采樣以監(jiān)測電感電流 (IL)，同時提供溫度采樣以報告結(jié)溫 (TJ)。MP86935-A是注重效率與小尺寸的服務器應用理想之選。它采用 TLGA-35 (3mmx6mm) 封裝。

MP86936

MP86936是一款集成內(nèi)部功率 MOSFET 和柵極驅(qū)動器的單片半橋Intelli-Phase?解決方案。它可以在寬輸入電壓 (VIN) 范圍內(nèi)實現(xiàn)高達 60A 的連續(xù)輸出電流 (IOUT)。該器件采用單片IC方法，可驅(qū)動每相高達 60A的電流。其集成驅(qū)動器和 MOSFET 通過優(yōu)化死區(qū)時間并降低寄生電感實現(xiàn)高效率。它可以與具有三態(tài)脈寬調(diào)制 (PWM) 信號的控制器配合使用，工作頻率為 100kHz 至 3MHz。

MP86936具備多種可簡化系統(tǒng)設(shè)計的功能，包括提供精確的電流采樣(Accu-Sense?)和溫度采樣，以監(jiān)測電感電流并報告結(jié)溫。該器件是注重高效率與小尺寸的服務器應用理想之選。MP86936采用TQFN-23 (3mmx6mm)封裝。

MP86945A

MP86945A 是一款內(nèi)置功率 MOSFET 和柵極驅(qū)動器的單片半橋芯片。MP86945A 在寬輸入范圍內(nèi)可實現(xiàn)60A連續(xù)輸出電流MP86945A 是一款單片 IC，每相驅(qū)動電流高達60A。該芯片將驅(qū)動和 MOSFET 集成在一起，減少了寄生電感的產(chǎn)生，同時實現(xiàn)了最優(yōu)的死區(qū)時間，大大提高了芯片的效率。MP86945A 的工作頻率為 100kHz 至 2MHz。MP86945A 提供了許多功能以簡化系統(tǒng)設(shè)計。

MP86945A 配合帶三態(tài) PWM 信號的控制器使用，并集成了精確的電流采樣功能來監(jiān)控電感電流以及溫度采樣功能來報告結(jié)溫。MP86945A 是高效小尺寸服務器應用的理想之選。

MP86950

MP86950是一款內(nèi)置功率 MOSFET 和柵極驅(qū)動器的單片半橋。它可以在 4.5V 至 16V 的寬輸入電壓 (VIN) 范圍內(nèi)實現(xiàn)高達 50A 的連續(xù)輸出電流 (IOUT)。該器件每相驅(qū)動電流高達 50A。其集成驅(qū)動器和 MOSFET 通過優(yōu)化死區(qū)時間并降低寄生電感實現(xiàn)高效率。該器件的工作頻率為 100kHz~2MHz。

MP86950提供多種可簡化系統(tǒng)設(shè)計的功能，并能與具有三態(tài)脈寬調(diào)制 (PWM) 信號的控制器配合使用。另外，該器件還提供精確的電流采樣（Accu-Sense?）和溫度采樣，以監(jiān)測電感電流并報告結(jié)溫。該器件是注重高效率與小尺寸的服務器應用理想之選。MP86950 采用小尺寸 TLGA-27 (4mmx5mm) 封裝。

MP86952

MP86952是一款耐輻射的單片半橋 IC，具有內(nèi)部功率 MOSFET 和柵極驅(qū)動器。 它可以在 3V 至 16V 的寬輸入電壓 (VIN) 范圍內(nèi)實現(xiàn)高達 70A 的連續(xù)輸出電流 (IOUT)。Intelli-PhaseTM 解決方案可實現(xiàn)高達 70A的每相驅(qū)動電流。其集成 MOSFET 和驅(qū)動器通過優(yōu)化死區(qū)時間 (DT) 和降低寄生電感來提供高效率。該器件的工作頻率為100kHz~3MHz。

MP86952 提供多項功能來簡化系統(tǒng)設(shè)計，同時兼容三態(tài)脈寬調(diào)制 (PWM) 信號控制器。它具備精確的電流采樣 (Accu-SenseTM)和溫度采樣功能，可以監(jiān)測電感電流 (IL)并報告結(jié)溫 (TJ)。該器件是注重高效率與小尺寸的服務器應用理想之選。MP86952 采用 LGA-41 (5mmx6mm) 封裝。

MP86956

MP86956是一款內(nèi)置功率 MOSFET 和柵極驅(qū)動器的單片半橋芯片。它在寬輸入電壓范圍內(nèi)可實現(xiàn) 70A 的連續(xù)輸出電流 (IOUT)。該器件為單片 IC ，每相驅(qū)動電流高達 70A。其驅(qū)動器和 MOSFET的集成優(yōu)化了死區(qū)時間，并減少了寄生電感，從而實現(xiàn)了高效率。MP86956 的工作頻率范圍為 100kHz 至 3MHz。

該器件具有多種可簡化系統(tǒng)設(shè)計的功能。它可接收控制器的三態(tài)脈寬調(diào)制（PWM ）信號，同時具備精確的電流采樣和溫度采樣功能，以分別實現(xiàn)電感電流的檢測并報告結(jié)溫。MP86956是注重高效率與小尺寸的服務器應用理想之選。 它采用 LGA-41 (5mmx6mm) 和 TLGA-41 (5mmx6mm) 封裝。

MP86957

MP86957 是一款集成內(nèi)部功率 MOSFET 和柵極驅(qū)動的單片半橋芯片。它在寬輸入范圍內(nèi)可實現(xiàn)70A的連續(xù)電流輸出。MP86957是一款單片 IC ，每相驅(qū)動電流可達70A 。將驅(qū)動和 MOSFET 集成在一起，可以通過優(yōu)化死區(qū)時間和減少寄生電感來實現(xiàn)高效率。這款小型 5mmx6mm LGA 芯片的工作頻率為100kHz - 3MHz。

MP86957 具有多種功能，可以簡化系統(tǒng)設(shè)計。MP86957通過接收控制器的三態(tài) PWM 信號來實現(xiàn)功率變換。它還提供 Accu-SenseTM電流采樣和溫度采樣，分別用于監(jiān)測電感電流和報告結(jié)溫。MP86957 是高效率小尺寸服務器應用的理想之選。

MP86965

MP86965 是一款內(nèi)置功率 MOSFET 和柵極驅(qū)動器的單片半橋驅(qū)動器，在寬輸入電源范圍內(nèi)可實現(xiàn) 60A 的連續(xù)輸出電流 (IOUT)。該器件采用單片 IC 方法，每相可驅(qū)動高達 60A 的電流。集成驅(qū)動器和 MOSFET優(yōu)化了死區(qū)時間并減少了寄生電感，從而實現(xiàn)了高效率。MP86965 的工作頻率范圍為100kHz~2MHz。

MP86965 提供多種功能以簡化系統(tǒng)設(shè)計。它可以與具有三態(tài) PWM 信號的控制器配合使用，提供精確的電流采樣和溫度采樣，以監(jiān)測電感電流并報告結(jié)溫。 MP86965是注重效率與小尺寸的服務器應用理想之選。它采用 TLGA-31 (4mmx5mm) 封裝。

MP86972

MP86972 是一款內(nèi)置功率 MOSFET 和柵極驅(qū)動器的單片半橋驅(qū)動器。它可在3V~12V的寬輸入電壓 (VIN) 范圍內(nèi)實現(xiàn)高達 60A 的連續(xù)輸出電流 (IOUT)。該器件每相驅(qū)動電流高達 60A。其集成驅(qū)動器和 MOSFET 通過優(yōu)化死區(qū)時間并降低寄生電感實現(xiàn)高效率。該器件的工作頻率為100kHz~3MHz。

MP86972 提供多種可簡化系統(tǒng)設(shè)計的功能，并能與具有三態(tài)脈寬調(diào)制 (PWM) 信號的控制器配合使用。另外，該器件還提供精確的電流采樣和溫度采樣，以監(jiān)測電感電流并報告結(jié)溫。該器件是注重高效率與小尺寸的服務器應用理想之選。MP86972 采用 TLGA-35 (3mmx6mm) 封裝。

MP86992

MP86992 是一款內(nèi)部集成功率 MOSFET 和柵極驅(qū)動器的單片半橋驅(qū)動器。該器件在寬輸入電源范圍內(nèi)可實現(xiàn)高達 50A 的連續(xù)輸出電流 (IOUT)。MP86992 采用單片 IC 方法，可驅(qū)動每相高達 50A 的電流。其集成驅(qū)動器和 MOSFET 通過優(yōu)化死區(qū)時間 (DT) 并降低寄生電感實現(xiàn)高效率。該器件的工作頻率為 100kHz 至 3MHz。

MP86992 提供多種可簡化系統(tǒng)設(shè)計的功能，并能與具有三態(tài)脈寬調(diào)制 (PWM) 信號的控制器配合使用。另外，該器件還提供精確的電流采樣和溫度采樣，以監(jiān)測電感電流 (IL) 并報告結(jié)溫 (TJ)。MP86992 是注重高效率與小尺寸的服務器應用理想之選。它采用 LGA-41 (5mmx6mm) 封裝。

MP87993

充電頭網(wǎng)了解到，MPS也推出一款MP87993 DrMOS芯片，可搭配MP2988控制器應用，但其他資料不詳。

1、MPS DrMOS助力技嘉RTX 5090供電系統(tǒng)，打造旗艦顯卡新標桿

MP86998

MP86998是一款集成內(nèi)部功率MOSFET和柵極驅(qū)動器的單片半橋驅(qū)動器。它可以在寬輸入電壓 (VIN) 范圍內(nèi)實現(xiàn)高達80A的連續(xù)輸出電流 (IOUT)。該器件采用單片IC方法，可驅(qū)動每相高達 50A的電流。其集成驅(qū)動器和 MOSFET 通過優(yōu)化死區(qū)時間并降低寄生電感實現(xiàn)高效率。該器件的工作頻率為 100kHz 至 3MHz。

MP86998提供多種可簡化系統(tǒng)設(shè)計的功能，并能與具有三態(tài)脈寬調(diào)制 (PWM) 信號的控制器配合使用。另外，該器件還提供精確的電流采樣和溫度采樣，以監(jiān)測電感電流并報告結(jié)溫。該器件是注重高效率與小尺寸的服務器應用理想之選。MP86998 采用 TLGA-41 (5mmx6mm) 封裝。

MP87190

MP87190 是一款內(nèi)部集成功率 MOSFET 和柵極驅(qū)動器的單片半橋。它可在寬輸入電源電壓 (VIN) 范圍內(nèi)實現(xiàn)高達 90A 的連續(xù)輸出電流 (IOUT)。MP87190 的Quiet SwitcherTM 技術(shù) (QST) 采用只能在單片架構(gòu)中實現(xiàn)的電路設(shè)計，以提供電壓振鈴抑制功能。該技術(shù)可以將峰值開關(guān)電壓限制在 VIN 與 2V 之間，從而提高設(shè)備的可靠性、降低 EMI 并減少對 PCB 布局的敏感性。

MP87190 提供多種可簡化系統(tǒng)設(shè)計的功能，并能與三態(tài)脈寬調(diào)制 (PWM) 信號的控制器配合使用。另外該器件還提供 Accu-SenseTM 電流采樣和溫度采樣功能，以分別監(jiān)測電感電流 (IL) 并報告結(jié)溫 (TJ)。MP87190 是注重高效率與小尺寸的服務器和電信應用理想之選。MP87190 采用 TLGA-41 (5mmx6mm) 封裝。

ONSEMI安森美

FDMF6820A

安森美FDMF6820A是一顆DrMOS芯片，面向同步降壓應用。器件將驅(qū)動器、上管/下管功率 MOSFET以及相關(guān)的自舉/肖特基二極管功能集成到單芯片內(nèi)，通過一體化設(shè)計來降低系統(tǒng)寄生電感、優(yōu)化開關(guān)動態(tài)與導通損耗，從而減少振鈴、提升效率與功率密度。該芯片封裝采用 PQFN 6×6封裝，主打高集成、易布局與熱性能增強。

FDMF6820A峰值效率可達93%以上、輸入電壓0.3~25V，具備60A高電流輸出能力、同時針對最高約1MHz開關(guān)頻率優(yōu)化。該產(chǎn)品PC主板、刀片服務器主板供電、桌面電腦與工作站、POL高電流 DC-DC、網(wǎng)絡與通信處理器電壓調(diào)節(jié)、小型化VR模塊等場景應用。

FDMF6823A

安森美FDMF6823A是一顆DrMOS芯片，采用PQFN 6×6封裝，支持0.3~25V輸入，連續(xù)輸出電流可達60A。器件把驅(qū)動IC、上下橋功率MOS、自舉肖特基二極管一并集成，面向同步降壓的高電流、高頻應用，通過一體化封裝與優(yōu)化的驅(qū)動/功率器件動態(tài)特性來降低系統(tǒng)寄生與振鈴，提升整體效率與功率密度。

FDMF6823A提供跳脈沖/輕載效率控制、驅(qū)動禁用、過溫警告與 UVLO欠壓鎖定，并通過自適應柵極時序抑制直通風險。該幾件典型應用覆蓋高性能PC主板、刀片服務器主板、臺式機、工作站、POL高電流 DC-DC、網(wǎng)絡與通信處理器電壓調(diào)節(jié)、小型化VR模塊等場景。

FDMF6823C

XS DrMOS系列是新一代經(jīng)全面優(yōu)化的超緊湊型集成式MOSFET加驅(qū)動器功率級解決方案，最高可輸出50A電流，適用于高電流、高頻同步降壓DC-DC應用。 FDMF6823C將驅(qū)動器IC、兩個功率MOSFET和自舉肖特基二極管集成到了一個熱增強的、超小型PQFN-40封裝中。

通過集成方法，可實現(xiàn)完整開關(guān)功率級的驅(qū)動器、MOSFET動態(tài)性能、系統(tǒng)電感和功率MOSFET RDS(ON)優(yōu)化。 XS? DrMOS采用飛兆半導體公司的高性能PowerTrench? MOSFET技術(shù)，顯著減少開關(guān)振鈴，省去大多數(shù)降壓轉(zhuǎn)換器應用中使用的緩沖器電路。

Primechip元芯

YX47590

YX47590是一款集成了Si FET的高性能半橋柵極智能功率級。它集成了30V的柵極智能功率級和自舉二極管，并支持三重柵極 PWM 輸入。其超短的傳播延遲和快速的上升和下降時間。

YX47590具有輸出電流和溫度感應功能，并向控制器報告。內(nèi)置欠壓鎖定（UVLO）、過溫保護（OTP）、高壓側(cè) MOSFET 短路保護（HSS）和過流保護（OCP）有助于確保器件安全可靠地運行。其優(yōu)化設(shè)計確保了從智能功率級到功率晶體管的最低傳播延遲，使其成為高頻應用的理想選擇。智能功率級信號輸入與常用的三態(tài)PWM兼容，提供靈活的功率級控制。死區(qū)時間可通過外部電阻器進行調(diào)整，以獲得更好的效率或系統(tǒng)可靠性。

Renesas瑞薩

ISL99360/ISL99360B

ISL99360和ISL99360B是一顆60A輸出的功率級模組。 ISL99360和ISL99360B集成了高精度電流和溫度監(jiān)控器，可反饋至控制器和倍增器，形成一個完整的多相DC/DC系統(tǒng)。 這些器件移除了 DCR 傳感網(wǎng)絡設(shè)計及與其相關(guān)的熱補償來簡化設(shè)計并提高性能。 通過專用的LFET控制引腳實現(xiàn)了輕載高效。 業(yè)界領(lǐng)先的熱增強型5x5 PQFN封裝可最大限度地減少整體PCB面積。

ISL99360 和 ISL99360B 具有兼容 3.3V 和 5.0V 的三態(tài) PWM 輸入，與瑞薩的多相 PWM 控制器配合使用，可在異常工作條件下提供可靠的解決方案。 ISL99360 和 ISL99360B 還集成了 UVLO、HFET 短路、過熱和過流的故障保護來提高系統(tǒng)性能和可靠性。 漏極開路故障報告引腳簡化了 SPS 和控制器之間的握手過程，并可在啟動和故障條件下禁用控制器。

ISL99380R5935/ISL99380BR5935

瑞薩ISL99380R5935/ISL99380BR5935是一顆80A輸出的功率級模組，芯片內(nèi)部集成高精度電流檢測和溫度檢測。內(nèi)置完善的保護功能，包括上管短路和過電流保護，智能反向過電流保護，過熱保護和供電欠壓閉鎖，采用QFN5*6封裝，適用于CPU、GPU以及ASIC供電。

該系列DrMOS與瑞薩數(shù)字 PWM 控制器結(jié)合使用時，可實現(xiàn)精確的系統(tǒng)級電源管理，并為基于負載線的穩(wěn)壓器提供同類最佳的瞬態(tài)響應。這些器件省去了典型的DCR檢測網(wǎng)絡和相關(guān)熱補償元件，從而簡化設(shè)計。同時該芯片還通過集成故障保護功能（包括 HFET 過流、HFET 短路、智能反向過流 (SROCP)、過溫 (OTP) 和 VCC 欠壓鎖定 (UVLO)）提高了系統(tǒng)性能和可靠性。

1、拆解報告：技嘉B650E AORUS PRO X USB4主板

ISL99390R5935/ISL99390BR5935

ISL99390R5935和ISL99390BR5935是90A智能功率級。ISL99390R5935 和 ISL99390BR5935在整個線路、負載和溫度范圍內(nèi)提供極高的電流檢測精度。與瑞薩數(shù)字PWM控制器配合使用時，這些器件可為基于負載線的穩(wěn)壓器提供精密的系統(tǒng)級電源管理和出色的瞬態(tài)響應。 這些器件移除了典型的 DCR 傳感網(wǎng)絡和相關(guān)的熱補償組件，以簡化設(shè)計。QFN 5x6封裝可實現(xiàn)高密度設(shè)計。

ISL99390R5935 和 ISL99390BR5935 具有瑞薩電子的三態(tài) PWM 輸入，與瑞薩電子多相 PWM 控制器和相位倍增器配合使用，可在異常工作條件下提供可靠的解決方案。 ISL99390R5935 和 ISL99390BR5935 還集成了HFET 過流、短路 HFET、智能反向過流（SROCP）、過溫（OTP）和 VCC 欠壓鎖定（UVLO）等故障保護功能，提高了系統(tǒng)性能和可靠性。

RAA221320

RAA221320是一款集成高精度電流和溫度監(jiān)控器的20A輸出智能功率級。 集成了高精度電流和溫度監(jiān)控器，可反饋至控制器，形成一個多相 DC/DC 系統(tǒng)。 這些監(jiān)控器移除了 DCR 傳感網(wǎng)絡和相關(guān)的熱補償來簡化設(shè)計并提高性能。熱增強型4x5 PQFN封裝可最大限度地減少整體PCB面積。

SPS具有3.3V兼容三態(tài) PWM 輸入，可與瑞薩電子多相 PWM 控制器協(xié)同工作，在異常工作條件下提供可靠的解決方案。 SPS 還集成了 UVLO、短路 HFET、過溫和過流的故障保護功能，提高了系統(tǒng)性能和可靠性。 漏極開路故障報告引腳簡化了 SPS 和控制器之間的握手過程，并可在啟動和故障條件下禁用控制器。

RAA221340

RAA221340智能功率級集成了高精度電流和溫度監(jiān)控器，可反饋至控制器，形成一個多相 DC/DC系統(tǒng)。 SPS 移除了 DCR 傳感網(wǎng)絡和相關(guān)的熱補償來簡化設(shè)計并提高性能。 業(yè)界領(lǐng)先的熱增強型 4x5 PQFN 封裝可最大限度地減少整體 PCB 面積。

SPS 具有 3.3V 兼容型三態(tài) PWM 輸入，可與瑞薩電子多相 PWM 控制器配合使用，在異常工作條件下提供可靠的解決方案。 SPS 還集成了 UVLO、短路 HFET、過溫和過流的故障保護功能，提高了系統(tǒng)性能和可靠性。 漏極開路故障報告引腳簡化了 SPS 和控制器之間的握手過程，并可在啟動和故障條件下禁用控制器。

Silergy矽力杰

SQ29670NGG

矽力杰SQ29670NGG是一顆16V/70A的DrMOS芯片，其將半橋柵極驅(qū)動器 + 高側(cè)/低側(cè) MOS集成，并在器件內(nèi)部集成去耦/驅(qū)動相關(guān)能力以降低回路寄生、提升功率密度與效率。器件 VIN 最高16V，VDRV/VCC工作在3.0~3.6V，支持3.3V PWM且兼容三態(tài)PWM省電邏輯，開關(guān)頻率可到 2.0MHz。同時集成多重欠壓鎖定與保護功能。

應用上，這顆器件適合CPU/GPU/ASIC/AI核心供電等大電流應用，以及服務器與通信電源中的高功率密度板級穩(wěn)壓模塊等諸多應用場景。

TI德州儀器

CSD96415

CSD96415RWJ是德州儀器推出的DrMOS芯片，把高低側(cè)功率MOSF與驅(qū)動器一并在集成QFN 5×6封裝中。該器件額定峰值電流80A，同時支持最高 1.75MHz 開關(guān)頻率，兼容 3.3V/5V PWM，并提供三態(tài) PWM 輸入以配合輕載策略。此外沒改芯片集成電流感應與溫度傳感，帶模擬溫度輸出與故障監(jiān)控功能；并內(nèi)置自舉開關(guān)、提供用于擊穿/直通保護的優(yōu)化死區(qū)時間。

CSD96415RWJ可在CPU/GPU供電、服務器/臺式機主板上的核心電壓與非核心電壓軌，以及各類大電流 POL、DC-DC轉(zhuǎn)換器等諸多高電流供電場景應用。

CSD96497Q5MC

德州儀器CSD96497Q5MC是一顆DrMOS芯片，面向同步降壓 的多相供電場景。器件把高低側(cè)MOS以及柵極驅(qū)動器集成在QFN 5×6封裝內(nèi)，并標稱65A持續(xù)工作電流，開關(guān)頻率最高可到 1.25MHz，兼容3.3V/5V PWM且支持三態(tài) PWM。同時，該芯片集成多種系統(tǒng)級功能接口與保護。

應用層面，該器件主要面向服務器、臺式機V-core供電、內(nèi)存、輔助電源，以及網(wǎng)絡與通信設(shè)備中的大電流處理器電壓調(diào)節(jié)模塊等諸多場景應用。

uPI力智

uP9642B

uP9642B是一種智能功率級（SPS）解決方案，它集成了經(jīng)過全面優(yōu)化的驅(qū)動器和 MOSFET，適用于高電流、高頻率的同步降壓型 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。這種 SPS 能夠滿足先進 CPU、GPU 以及 DDR 內(nèi)存設(shè)計所需的低輸出電壓和高性能要求。

uP9642B 還支持高級別的高精度模塊溫度報告功能以及芯片上同步 MOSFET 電流監(jiān)測功能。其保護功能包括逐周期過流保護、相位故障檢測、初步過電壓保護、VCC/VDRV 欠壓鎖定（UVLO）保護以及過熱關(guān)斷保護。uP9642B專為CPU核心電源傳輸進行了優(yōu)化。該器件與多相降壓型 PWM 控制器配合使用，可構(gòu)成處理器的完整核心電壓調(diào)節(jié)器。

uP9646

uP9646是一款集成功率級模塊，用于臺式機和筆記本電腦應用中的多相同步降壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。該器件可為CPU、GPU和DDR內(nèi)存電源提供高達50A的輸出電流并保證高轉(zhuǎn)換效率。

該部件具有英特爾 PS4模式支持、熱警告、過流保護和零電流檢測功能。系統(tǒng)使用熱預警輸出來確保安全運行。該器件的過流保護功能進一步增強了對轉(zhuǎn)換器的保護。零電流檢測功能提供了更大的應用靈活性。uP9646 還提供全面的保護功能，包括 VCC/VDRV 的欠壓鎖定和過溫保護。uP9646 采用緊湊的WQFN 5×5-31L 封裝。目前，該器件已獲部分型號英偉達RTX5060顯卡采用。

Vishay威世

SiC820/SiC820A

SiC820是一款針對同步降壓應用優(yōu)化的集成功率級解決方案，可提供高電流、高效率和高功率密度性能。SiC820采用Vishay的 5mm x 6mm MLP封裝，使穩(wěn)壓器設(shè)計能夠提供每相超過80 A的電流。

內(nèi)部功率MOSFET采用Vishay先進的 TrenchFET? Gen IV技術(shù)，可提供業(yè)界標桿性能，顯著降低開關(guān)和傳導損耗。

SiC822/SiC822A

SiC822是一款針對同步降壓應用優(yōu)化的集成功率級解決方案，可提供大電流、高效率和高功率密度性能。SiC822采用Vishay 的5mm x 6mm MLP封裝，使穩(wěn)壓器設(shè)計能夠提供每相超過70 A的電流。

內(nèi)部功率MOSFET采用Vishay先進的TrenchFET? Gen IV技術(shù)，可提供業(yè)界標桿性能，顯著降低開關(guān)和傳導損耗。

SiC830/SiC830A

SiC830是一款集成功率級解決方案，專為同步降壓應用而優(yōu)化，可提供高電流、高效率和高功率密度性能。SiC830采用Vishay的5mm x 6mm MLP封裝，使穩(wěn)壓器設(shè)計能夠提供每相超過80 A的電流。

內(nèi)部功率MOSFET采用Vishay先進的 TrenchFET? Gen IV技術(shù)，該技術(shù)可提供業(yè)界標桿性能，顯著降低開關(guān)和傳導損耗。

SiC832/SiC832A

SiC832是一款集成功率級解決方案，針對同步降壓應用進行了優(yōu)化，可提供高電流、高效率和高功率密度性能。SiC832 采用Vishay 的 5 mm x 6 mm MLP封裝，使穩(wěn)壓器設(shè)計能夠提供每相超過70 A的電流。

內(nèi)部功率MOSFET采用 Vishay 先進的 TrenchFET? Gen IV 技術(shù)，可提供業(yè)界標桿性能。

SiC840/SiC840A

SiC840是一款集成功率級解決方案，針對同步降壓應用進行了優(yōu)化，可提供高電流、高效率和高功率密度性能。SiC840 采用Vishay的5 mm x 6 mm MLP 封裝，使穩(wěn)壓器設(shè)計能夠提供每相超過80A的電流。

內(nèi)部功率MOSFET 采用 Vishay 先進的 TrenchFET? Gen IV 技術(shù)，該技術(shù)可提供業(yè)界標桿性能，顯著降低開關(guān)和傳導損耗。

SiC648/SiC648A

SiC648是一款智能VRPower器件，集成了高邊和低邊MOSFET、高性能驅(qū)動器以及集成自舉 FET。SiC648 提供高精度電流和溫度監(jiān)控器，可反饋至控制器和倍壓器，從而完成多相DC/DC 系統(tǒng)。

該器件通過省去DCR檢測網(wǎng)絡和相關(guān)的熱補償，簡化了設(shè)計并提高了性能。輕載效率由專用 LGCTRL 控制引腳支持。采用Vishay 5mm x 5mm MLP封裝。

SiC654

威世SiC654是一款高頻集成功率級芯片，針對同步降壓應用進行了優(yōu)化，可提供高電流、高效率和高功率密度。該芯片采用威世專有的MLP 5×5封裝，能夠提供高達50A的連續(xù)電流輸出。

SiC654內(nèi)部MOSFET采用了威世最新的TrenchFET技術(shù)，能夠顯著降低開關(guān)損耗和導通損耗。該芯片還內(nèi)置了一個MOSFET柵極驅(qū)動集成電路，具有高電流驅(qū)動能力、自適應死區(qū)時間控制、集成自舉開關(guān)以及開發(fā)者可選擇的零電流檢測功能，以提高輕載效率。該驅(qū)動器還廣泛兼容市面PWM控制器，支持三態(tài)PWM，并且支持5伏/3.3伏PWM邏輯。此外，該設(shè)備還支持PS4模式，以降低系統(tǒng)處于待機狀態(tài)時的功耗。同時，該芯片提供工作溫度監(jiān)測、保護功能以及警告標志，以增強系統(tǒng)監(jiān)測和可靠性。

1、華碩RTX 5080顯卡采用全新DrMOS！

充電頭網(wǎng)總結(jié)

DrMOS把高低側(cè)MOSFET與驅(qū)動器集成在同一封裝內(nèi)，通過縮短關(guān)鍵回路、降低寄生參數(shù)，為多相VRM提供更穩(wěn)定的高電流、高頻供電基礎(chǔ)。同時DrMOS普遍集成遙測接口與完善的保護機制，在CPU、GPU、以及AI加速卡的實際應用中，DrMOS可有效提升系統(tǒng)效應速率、穩(wěn)定性以及轉(zhuǎn)換效率。