中信建投認(rèn)為，隨著單顆 AI 芯片功率突破1000W大關(guān)，傳統(tǒng)的電力架構(gòu)已逼近物理極限。為了支撐未來(lái) GW 級(jí)別的算力需求，數(shù)據(jù)中心電源正處于從交流向 800V 高壓直流（HVDC）徹底轉(zhuǎn)型的臨界點(diǎn)。這不僅僅是電壓等級(jí)的提升，而是一場(chǎng)涉及架構(gòu)重構(gòu)的供應(yīng)鏈革命。

1月15日，中信建投在最新報(bào)告中指出，投資者應(yīng)當(dāng)關(guān)注這場(chǎng)變革中價(jià)值量最集中、技術(shù)壁壘最高的環(huán)節(jié)，尤其是能夠提供 800V 電源主機(jī)（PSU/HVDC/SST）、以及為解決直流滅弧難題而必不可少的固態(tài)斷路器和第三代半導(dǎo)體（SiC/GaN）等核心增量部件。對(duì)于投資者而言，這不僅是技術(shù)迭代，更是真金白銀的產(chǎn)業(yè)紅利重新分配。

物理極限逼迫架構(gòu)重構(gòu)：從“可樂(lè)瓶”到“口紅”的瘦身革命

中信建投指出了驅(qū)動(dòng)這場(chǎng)電源革命的根本原動(dòng)力：算力密度的指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)

隨著以英偉達(dá) Blackwell B200 為代表的芯片單體功率突破 1000W，以及未來(lái) Rubin 架構(gòu)可能的進(jìn)一步提升，單機(jī)柜功率正在向 MW（兆瓦）級(jí)邁進(jìn)。報(bào)告分析認(rèn)為，現(xiàn)有的 415V 交流供電體系在面對(duì)如此恐怖的功率密度時(shí)已顯得力不從心。

報(bào)告引用了極具沖擊力的數(shù)據(jù)對(duì)比來(lái)闡述升級(jí) 800V 的必要性：在傳輸 500kW 級(jí)功率時(shí)，如果沿用傳統(tǒng)的 50V 電壓等級(jí)，所需的銅母線直徑將達(dá)到驚人的 56mm，粗細(xì)堪比一個(gè)可樂(lè)瓶，這在寸土寸金的服務(wù)器機(jī)柜中是完全不可接受的。然而，一旦將電壓提升至±400V（即 800V 系統(tǒng)），線徑將驟降至 14mm，僅相當(dāng)于一支口紅的粗細(xì)。

報(bào)告認(rèn)為，這種物理層面的巨大優(yōu)勢(shì)，使得高壓化、直流化不再是一個(gè)可選項(xiàng)，而是數(shù)據(jù)中心發(fā)展的必然方向。通過(guò) 800V 直流供電，不僅大幅減少了銅材使用，更簡(jiǎn)化了供電結(jié)構(gòu)，使得傳輸更大功率成為可能。

英偉達(dá)白皮書(shū)定調(diào)：Sidecar 邊柜與 SST 的終極路徑

報(bào)告深入解讀了英偉達(dá)發(fā)布的 800V 供電白皮書(shū)，認(rèn)為這為行業(yè)確立了清晰的演進(jìn)路徑。英偉達(dá)規(guī)劃的路線圖顯示，供電方案將經(jīng)歷從“交流”到“800V 直流（過(guò)渡）”，再到“800V 直流（Sidecar 方案）”，最終演進(jìn)至“固態(tài)變壓器（SST）”的終極形態(tài)。

特別值得注意的是“電源外置”這一趨勢(shì)。隨著功率飆升，電源模塊占用的機(jī)架空間越來(lái)越大。如果繼續(xù)采用傳統(tǒng)方案，電源將擠占近一半的機(jī)柜空間，導(dǎo)致計(jì)算算力密度下降。

因此，英偉達(dá)和 OCP（開(kāi)放計(jì)算項(xiàng)目）都傾向于將電源獨(dú)立出來(lái)，形成所謂的 Sidecar（邊柜）方案。報(bào)告分析，這種架構(gòu)變革直接催生了全新的硬件需求：HVDC 主機(jī)和 SST（固態(tài)變壓器）。尤其是 SST，被報(bào)告視為終極供電方案，它能將電網(wǎng)的中壓交流電一步直降為 800V 直流，雖然目前技術(shù)尚在試點(diǎn)，但其節(jié)省變壓器、提升效率的潛力巨大。

硬件升級(jí)的紅利：30kW 模塊與固態(tài)斷路器的崛起

在具體的硬件層面，中信建投報(bào)告強(qiáng)調(diào)了 PSU（電源供應(yīng)單元）功率密度的跳躍式升級(jí)。為了適配 800V 架構(gòu)，PSU 單體功率正從目前的 3kW/5.5kW 向 30kW 級(jí)別演進(jìn)。這一過(guò)程極大地提升了技術(shù)壁壘和價(jià)值量，因?yàn)橐隗w積受限的情況下實(shí)現(xiàn)如此高的功率轉(zhuǎn)換，必須大量采用 SiC（碳化硅）和 GaN（氮化鎵）等第三代寬禁帶半導(dǎo)體器件。

此外，報(bào)告特別提示了一個(gè)關(guān)鍵的新增增量環(huán)節(jié)：固態(tài)斷路器。由于直流電沒(méi)有過(guò)零點(diǎn)，傳統(tǒng)機(jī)械開(kāi)關(guān)在切斷高壓直流時(shí)會(huì)產(chǎn)生難以熄滅的電弧，造成極大的安全隱患。

英偉達(dá)在 800V 白皮書(shū)中明確提出使用固態(tài)斷路器進(jìn)行保護(hù)，利用半導(dǎo)體器件實(shí)現(xiàn)微秒級(jí)的快速關(guān)斷和無(wú)弧分?jǐn)?。?bào)告認(rèn)為，這是應(yīng)對(duì) HVDC 直流電難以開(kāi)斷問(wèn)題的最佳選擇，也是未來(lái)數(shù)據(jù)中心安全體系中的剛需組件。

投資風(fēng)向標(biāo)：鎖定高壁壘與核心增量

基于上述產(chǎn)業(yè)邏輯，中信建投報(bào)告建議投資者緊密跟蹤符合 800V 高壓化、直流化趨勢(shì)的標(biāo)的。

報(bào)告認(rèn)為，投資機(jī)會(huì)主要集中在四大方向：首先是價(jià)值量最集中、技術(shù)門(mén)檻最高的 AIDC 電源主機(jī)環(huán)節(jié)，包括 PSU、HVDC 和 SST 設(shè)備；其次是為解決高壓直流痛點(diǎn)而生的核心零部件，特別是固態(tài)斷路器、機(jī)柜級(jí) DC/DC 以及電子熔斷器等新增環(huán)節(jié)；最后是支撐整個(gè)高功率密度實(shí)現(xiàn)的底層材料——第三代半導(dǎo)體（GaN、SiC）。

報(bào)告堅(jiān)信，在這一輪由 AI 算力驅(qū)動(dòng)的能源革命中，能夠提供高壓直流解決方案的企業(yè)將獲得顯著的阿爾法收益。