亞太市場(chǎng)，集體沸騰！

今日（1月5日），亞太市場(chǎng)全線大漲，A股三大指數(shù)集體走高，截至下午收盤，滬指漲1.38%重回4000點(diǎn)，深成指漲2.24%，創(chuàng)業(yè)板漲2.85%。個(gè)股漲多跌少，滬深京三市超4100股飄紅。

MSCI亞太地區(qū)(除日本)股指升至紀(jì)錄高位，上漲超1%。日本、韓國(guó)股市大幅上漲，日經(jīng)225指數(shù)盤中一度大漲超1600點(diǎn)；韓國(guó)綜合指數(shù)大漲超3%，韓美半導(dǎo)體漲超15%，三星電子漲超7%。

亞太其他市場(chǎng)方面，截至下午15時(shí)，泰國(guó)證交所指數(shù)（SET Index）漲1.83%，巴基斯坦卡拉奇證交所KSE 100指數(shù)漲近2%，菲律賓馬尼拉指數(shù)漲超1%，印尼雅加達(dá)綜合指數(shù)漲0.90%，富時(shí)新加坡海峽時(shí)報(bào)漲0.72%。

集體大漲

周一，日本股市高開高走，日經(jīng)225指數(shù)盤中一度漲超1600點(diǎn)，漲幅一度超過(guò)3%。截至收盤，日經(jīng)225指數(shù)上漲1493點(diǎn)，漲幅為2.97%，東證指數(shù)漲幅也超過(guò)2%。個(gè)股方面，鎧俠漲近9%，愛德萬(wàn)測(cè)試漲超7%，軟銀集團(tuán)漲近5%。

在科技股的帶動(dòng)下，韓國(guó)股市也大幅走高，韓國(guó)綜合指數(shù)漲超3%，再創(chuàng)歷史新高。截至收盤，韓美半導(dǎo)體漲15%，三星電子漲超7%，SK海力士漲近3%。

其中，三星電子股價(jià)再度刷新歷史新高，總市值突破800萬(wàn)億韓元。日前，花旗分析師表示，三星電子今年將受益于存儲(chǔ)器芯片的利好定價(jià)環(huán)境。預(yù)計(jì)2026年動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）與閃存（NAND）產(chǎn)品的平均售價(jià)或?qū)⒎謩e上漲88%和74%，漲幅高于花旗此前預(yù)測(cè)的53%和44%。

A股三大指數(shù)也高開高走，截至收盤，滬指漲1.38%，深成指漲2.24%，創(chuàng)業(yè)板漲2.85%。存儲(chǔ)芯片、半導(dǎo)體板塊整體漲幅均超過(guò)4%。個(gè)股方面，東微半導(dǎo)、云漢芯城、雷迪克、道氏技術(shù)、卓易信息等20%漲停，兆易創(chuàng)新、立昂微、亞翔集成、圣暉集成等10%漲停，江波龍、香農(nóng)芯創(chuàng)、中微公司等紛紛大漲。

市場(chǎng)對(duì)人工智能和科技股依舊充滿熱情。有分析人士指出，科技股的漲勢(shì)，反映出投資者對(duì)AI相關(guān)資產(chǎn)的需求強(qiáng)勁，這依然是全球股市的一大焦點(diǎn)。

機(jī)構(gòu)：存儲(chǔ)芯片有望持續(xù)漲價(jià)

2025年，在AI強(qiáng)勁需求以及供應(yīng)鏈調(diào)整的影響下，存儲(chǔ)芯片價(jià)格大幅上漲。其中DDR4 16Gb漲幅高達(dá)1800%，DDR5 16Gb漲幅高達(dá)500%，512Gb NAND閃存漲幅高達(dá)300%。

根據(jù)TrendForce最新發(fā)布的存儲(chǔ)現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告，DRAM方面，DDR4的價(jià)格漲幅仍比DDR5更為顯著，且三星已明確表示不會(huì)推遲其產(chǎn)品生命周期結(jié)束（EOL）計(jì)劃。因此，DDR4的供應(yīng)量將在2026年迅速下降，導(dǎo)致每Gb價(jià)格達(dá)到最高水平；NAND方面，由于市場(chǎng)預(yù)期2026年第一季度合約價(jià)格將上漲，現(xiàn)貨價(jià)格進(jìn)一步走高，但交易量仍然有限。

國(guó)金證券表示，2026年全年，全球存儲(chǔ)芯片仍將供不應(yīng)求，有望持續(xù)漲價(jià)，預(yù)計(jì)2026年DRAM的位元供應(yīng)量增幅約為15%至20%，而需求增速預(yù)計(jì)將達(dá)到20%至25%左右。NAND位元供應(yīng)量增幅為13%至18%，需求增速預(yù)計(jì)則達(dá)到18%至23%，2026年服務(wù)器領(lǐng)域的DRAM和NAND閃存消耗量將同比激增40%—50%，應(yīng)用于AI服務(wù)器領(lǐng)域的增速更快。預(yù)測(cè)2026年一季度，存儲(chǔ)合約價(jià)格預(yù)計(jì)繼續(xù)攀升，漲幅將達(dá)到30%—40%。DDR5 RDIMM內(nèi)存價(jià)格預(yù)計(jì)將上漲超過(guò)40%，NAND閃存價(jià)格預(yù)計(jì)將出現(xiàn)兩位數(shù)百分比的漲幅。企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤（SSD）價(jià)格預(yù)計(jì)也將上漲20%—30%。

浙商證券指出，在AI驅(qū)動(dòng)下，2025年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)創(chuàng)歷史新高，預(yù)計(jì)2026年將繼續(xù)增長(zhǎng)9%至7607億美元。國(guó)內(nèi)晶圓廠產(chǎn)能利用率回升擴(kuò)產(chǎn)意愿強(qiáng)烈，AI驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)超級(jí)周期，國(guó)內(nèi)先進(jìn)邏輯&存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)有望共振，疊加自主可控邏輯下國(guó)產(chǎn)化率繼續(xù)提升，帶動(dòng)設(shè)備需求向上。

方正證券表示，“十五五”規(guī)劃建議半導(dǎo)體自主可控提速，先進(jìn)制造全產(chǎn)業(yè)鏈或迎來(lái)快速發(fā)展期。當(dāng)前國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)能與全球龍頭存在顯著差距，需充分的產(chǎn)能以確保穩(wěn)定供應(yīng)體系，存儲(chǔ)廠規(guī)模化生產(chǎn)需求為設(shè)備、材料等上游企業(yè)提供重要的技術(shù)驗(yàn)證和商業(yè)化應(yīng)用機(jī)會(huì)。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)表示將通過(guò)募投項(xiàng)目開展本土及新型設(shè)備、材料、零部件等驗(yàn)證開發(fā)，本土上游設(shè)備、材料廠商有望伴隨終端客戶擴(kuò)產(chǎn)而逐漸提升國(guó)產(chǎn)化率，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體有望再上一個(gè)臺(tái)階。

責(zé)編：戰(zhàn)術(shù)恒

排版：羅曉霞

校對(duì)：呂久彪

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