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作者｜深水財(cái)經(jīng)社 烏海

2026年1月1日，新年的第一天，臺(tái)積電發(fā)布聲明稱，美國(guó)商務(wù)部已向其南京工廠發(fā)放年度出口許可證，允許其“在無(wú)需單獨(dú)申請(qǐng)供應(yīng)商許可證的情況下”，繼續(xù)獲得受美國(guó)出口管制的設(shè)備與物項(xiàng)。

過(guò)去數(shù)年，臺(tái)積電、三星、SK海力士等在中國(guó)大陸設(shè)有工廠的非中資企業(yè)，一直受益于美國(guó)的“經(jīng)驗(yàn)證最終用戶”（VEU）制度。

該制度相當(dāng)于一張集體“通行證”，允許這些企業(yè)在無(wú)需逐案申請(qǐng)?jiān)S可的前提下，進(jìn)口特定的美國(guó)管制設(shè)備，以確保其大陸工廠的連續(xù)生產(chǎn)。

然而，這項(xiàng)備受矚目的豁免權(quán)在2025年12月31日到期，業(yè)界一度人心惶惶，擔(dān)心一旦政策斷檔，南京等地的晶圓廠將陷入停擺危機(jī)。

就在舊授權(quán)到期的關(guān)鍵時(shí)刻，臺(tái)積電拿到了新的年度許可證，這張?jiān)S可證的有效期為一年。那么為什么美國(guó)要在最后一天給南京臺(tái)積電批條子呢？

美國(guó)步步緊逼

美國(guó)對(duì)華半導(dǎo)體技術(shù)的封鎖由來(lái)已久，且呈步步緊逼之勢(shì)。從最初限制高端芯片出口，到后來(lái)限制半導(dǎo)體制造設(shè)備、技術(shù)以及人才的交流，試圖全方位遏制中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)的崛起。

2022年10月，美國(guó)商務(wù)部針對(duì)中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)實(shí)施廣泛出口管制，其核心目的在于限制中國(guó)獲取先進(jìn)制程（如7nm及以下）的芯片制造技術(shù)和設(shè)備，意圖將中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)鎖定在中低端水平。

在實(shí)施嚴(yán)格限制政策的同時(shí)，美國(guó)又推出了“經(jīng)驗(yàn)證最終用戶”（VEU）這樣的豁免政策，允許部分在中國(guó)大陸設(shè)廠的非中資半導(dǎo)體企業(yè)進(jìn)口美國(guó)設(shè)備。

這一豁免政策在一定程度上是為了避免對(duì)全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈造成過(guò)大沖擊，因?yàn)檫@些企業(yè)在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中占據(jù)重要地位，其在中國(guó)大陸的工廠承擔(dān)著大量成熟制程芯片的生產(chǎn)任務(wù)，一旦生產(chǎn)受阻，將影響到全球眾多下游產(chǎn)業(yè)，包括汽車、家電、工業(yè)控制等。

給臺(tái)積電開(kāi)了口子

臺(tái)積電南京廠主要生產(chǎn)16納米及更成熟的制程芯片 ，別看這些不是最尖端的3納米或2納米產(chǎn)線，但成熟制程芯片可是汽車、家電、工業(yè)設(shè)備等眾多傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)的“糧食”，市場(chǎng)需求龐大且穩(wěn)定。

全球的汽車產(chǎn)業(yè)正處于向新能源轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵時(shí)期，對(duì)汽車芯片的需求呈爆發(fā)式增長(zhǎng)，而臺(tái)積電南京廠的成熟制程芯片正是汽車芯片的重要來(lái)源之一。

如果南京廠設(shè)備供應(yīng)中斷，導(dǎo)致產(chǎn)能受限，那全球汽車產(chǎn)業(yè)都得跟著“喊疼”，美國(guó)的汽車制造業(yè)也難以獨(dú)善其身。

臺(tái)積電作為全球最大的晶圓代工廠，市占率超50%，其南京廠的運(yùn)營(yíng)穩(wěn)定性不僅關(guān)乎中國(guó)大陸客戶的芯片供應(yīng)，也影響著蘋(píng)果、高通等國(guó)際巨頭的在華產(chǎn)業(yè)鏈布局。

美國(guó)如果不批準(zhǔn)臺(tái)積電南京廠進(jìn)口設(shè)備，不僅會(huì)損害臺(tái)積電的利益，還會(huì)引發(fā)連鎖反應(yīng)，沖擊全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的完整性，這顯然不符合美國(guó)的長(zhǎng)期經(jīng)濟(jì)利益。

南京臺(tái)積電不夠先進(jìn)

還有一個(gè)因素，可能是美國(guó)對(duì)南京臺(tái)積電放松限制的重要原因。那就是可能在美國(guó)的眼中，南京臺(tái)積電的制程并不算太先進(jìn)。

美國(guó)的核心目標(biāo)是遏制中國(guó)在先進(jìn)制程芯片領(lǐng)域的發(fā)展，而臺(tái)積電南京廠主要從事成熟制程芯片生產(chǎn)，并非美國(guó)當(dāng)前封鎖的“最先進(jìn)”領(lǐng)域。

允許其繼續(xù)運(yùn)營(yíng)，既能滿足中國(guó)汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)等龐大的市場(chǎng)需求，維持一定的市場(chǎng)穩(wěn)定，又能將中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)鎖定在成熟制程的“舒適區(qū)”，阻礙中國(guó)向先進(jìn)制程領(lǐng)域邁進(jìn)，是一種“既要讓你活下去做代工，又要讓你難上去搞突破”的策略 。

另外，通過(guò)年度許可制度，美國(guó)可以牢牢掌握審批權(quán)，隨時(shí)監(jiān)控和調(diào)整設(shè)備流向，防止技術(shù)泄露風(fēng)險(xiǎn)。

美國(guó)政府可以根據(jù)自身的戰(zhàn)略需求和國(guó)際形勢(shì)的變化，靈活調(diào)整對(duì)臺(tái)積電南京廠的政策，這種精準(zhǔn)管控的方式使得美國(guó)在半導(dǎo)體領(lǐng)域的博弈中占據(jù)主動(dòng)地位。

卡脖子遠(yuǎn)不止光刻機(jī)

很多人可能只知道芯片制造需要光刻機(jī)，但實(shí)際上光刻機(jī)只是其中之一。

在芯片制造的復(fù)雜產(chǎn)業(yè)鏈中，中國(guó)雖然在部分領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)展，但仍有不少關(guān)鍵設(shè)備對(duì)美國(guó)存在重要依賴。

根據(jù)中銀楊紹輝團(tuán)隊(duì)發(fā)布《華為事件的不同視角——我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備對(duì)美國(guó)依賴度達(dá)47%，軟件依賴度估計(jì)更高，從美對(duì)華為限制升級(jí)，看軟件設(shè)備材料 國(guó)產(chǎn)化迫切性》一文，我國(guó)12英寸本土晶圓廠對(duì)美國(guó)設(shè)備的依賴度達(dá)到47%（按臺(tái)數(shù)計(jì)算）。

比如離子注入機(jī)對(duì)美依賴度約為69%，主要從美國(guó)應(yīng)用材料和亞舍立進(jìn)口，離子注入機(jī)用于對(duì)半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行摻雜，以改變半導(dǎo)體的電學(xué)性質(zhì)，是芯片制造過(guò)程中的關(guān)鍵工藝設(shè)備 。

還有化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備（CMP）也是主要從美國(guó)應(yīng)用材料進(jìn)口，CMP設(shè)備用于芯片制造中的表面平坦化處理，確保晶圓表面的平整度，對(duì)提高芯片性能和良品率至關(guān)重要。

物理氣相沉積設(shè)備（PVD）對(duì)美依賴度更高，PVD設(shè)備用于在晶圓表面沉積各種薄膜，如金屬薄膜等，是芯片制造中形成電路連接等結(jié)構(gòu)的重要設(shè)備。

比如光刻過(guò)程中的刻蝕設(shè)備也主要從美國(guó)應(yīng)用材料、Lam Research進(jìn)口，刻蝕設(shè)備用于去除晶圓表面特定區(qū)域的材料，以形成芯片的電路圖案 。

還有大量的量測(cè)設(shè)備，對(duì)美依賴度從50%到80%不等，主要從美國(guó)KLA（科磊）、應(yīng)用材料、Onto進(jìn)口，量測(cè)設(shè)備用于檢測(cè)晶圓和芯片的各項(xiàng)參數(shù)和缺陷，確保芯片制造過(guò)程的質(zhì)量和良品率。

拿到年度許可證，對(duì)臺(tái)積電南京廠來(lái)說(shuō)，無(wú)疑是一顆“定心丸”，確保了2026年工廠的穩(wěn)定運(yùn)營(yíng)和產(chǎn)品交付。

但這張?jiān)S可證的有效期僅為一年，每年都要面臨一次審核，這給臺(tái)積電的長(zhǎng)期運(yùn)營(yíng)規(guī)劃帶來(lái)了極大的不確定性。

臺(tái)積電未來(lái)必須在中美之間更加小心翼翼地維持平衡，既要滿足美國(guó)的監(jiān)管要求，又要保障中國(guó)大陸市場(chǎng)的需求。