12 月 29 日，韓國半導體工程師學會發(fā)布的《2026 年半導體技術路線圖》，對未來 15 年硅基半導體技術發(fā)展作出預測。

三星近期剛推出全球首款 2nm 全環(huán)繞柵極（GAA）工藝芯片 Exynos2600。路線圖指出，到 2040 年半導體電路制程有望突破至 0.2nm，正式進入埃米時代。不過未來十五年間，行業(yè)需實現(xiàn)跨越式突破，通往亞 1 納米晶圓制程的路上仍存在不少技術瓶頸。據(jù)悉，三星已規(guī)劃 2nm GAA 工藝的升級路徑，不僅完成第二代 2nm GAA 工藝節(jié)點的基礎設計，還計劃在兩年內(nèi)落地第三代 2nm GAA 技術（SF2P + 工藝）。路線圖預計，2040 年的 0.2nm 制程將采用全新的 CFET 晶體管架構，并搭配單片式 3D 設計。

此外，三星已組建專項團隊啟動 1 納米芯片研發(fā)，目標在 2029 年實現(xiàn)量產(chǎn)。這些先進制程工藝的成果，將同時應用于 SoC 和 DRAM 領域，其中 DRAM 存儲電路制程將從 11 納米縮減至 6 納米；HBM 技術也將迎來迭代，堆疊層數(shù)從 12 層提升至 30 層，帶寬從 2TB/s 躍升至 128TB/s。

在 NAND 閃存領域，SK 海力士已研發(fā)出 321 層 QLC 技術。根據(jù)路線圖預測，隨著半導體技術的不斷進步，QLC NAND 閃存的堆疊層數(shù)未來有望突破至 2000 層。

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