12月29日消息，據(jù)韓國媒體ZDNet Korea報導，韓國存儲芯片大廠SK海力士（SK hynix）正在采取一項具備戰(zhàn)略意義的重大投資，計劃在美國印第安納州西拉法葉（West Lafayette）建立其首條2.5D 先進封裝量產(chǎn)線。

據(jù)介紹，這座先進封裝工廠是SK海力士在美國境內(nèi)的首座生產(chǎn)基地，定位為AI內(nèi)存專用的最先進封裝生產(chǎn)基地，總投資額約為38.7億美元，目標是在2028年下半年正式投入營運。

目前，2.5D 封裝技術被視為整合HBM 與高性能系統(tǒng)半導體（如GPU 或CPU）的核心制程之一。其技術原理是在半導體芯片與電路板（Substrate）之間插入一層被稱為“硅中介層”（Silicon Interposer）。而這項技術具備透過硅中介層縮短芯片間的傳輸距離，大幅優(yōu)化電力消耗與數(shù)據(jù)處理速度，以提升性能與電力效率的優(yōu)勢。尤其，目前全球AI 芯片大廠英偉達（NVIDIA）的高性能AI 加速器，便是通過2.5D 封裝技術將HBM 與高性能GPU/CPU 緊密整合而成，更顯示出相關市場潛質(zhì)。

SK海力士認為，若能掌握2.5D 封裝的量產(chǎn)能力，將能全面強化其在AI 半導體封裝領域的競爭力，而不僅僅局限于HBM 的生產(chǎn)?，F(xiàn)階段，SK海力士雖然在韓國國內(nèi)具備2.5D 封裝的基本技術力與研發(fā)設備，但仍不足以支撐能對應大型系統(tǒng)級封裝（SiP）的量產(chǎn)需求。

因此，報導引用消息人士的說法指出，由于現(xiàn)有設施難以負荷整合了HBM 的大規(guī)模AI 加速器生產(chǎn)，因此SK海力士正積極與封裝合作伙伴商討，在美國西拉法葉工廠建立正式的量產(chǎn)線。

報導強調(diào)，SK海力士預計此次投資將帶來諸多優(yōu)勢：

確保供應穩(wěn)定性：HBM 在交付最終客戶（如英偉達）前，必須通過2.5D 封裝的質(zhì)量測試（Qual Test）。在現(xiàn)有構架下，即使HBM 本身沒有問題，若在封裝過程中發(fā)生不良，將導致整個交貨時間延誤。

厘清責任歸屬：2.5D 封裝構造復雜，一旦出現(xiàn)不良品，往往難以精確判定責任歸屬于內(nèi)存廠商或封裝廠。

挑戰(zhàn)臺積電的壟斷地位：目前AI 加速器所需的2.5D 封裝市場事實上由臺積電（TSMC）獨占。SK海力士若能成功建立量產(chǎn)線，將能向客戶提供HBM 與封裝一站式的統(tǒng)包（Turn-Key）服務，提升議價能力與市場占比。

半導體業(yè)界分析人士指出，SK海力士已將“具備自有的2.5D 封裝設備”視為極其重要的戰(zhàn)略課題。一旦技術趨于穩(wěn)定且高度化，SK海力士將不滿足于單純的內(nèi)部研發(fā)，而是會正式以此做為一項獨立業(yè)務進軍市場。

另外，SK海力士赴美國設立先進封裝廠的投資計劃，不僅是為了應對英偉達等大客戶的需求，更是為了在未來新一代HBM 競爭中搶占先機。隨著該先進封裝廠2028年完工，全球AI 半導體供應鏈預計將迎來一場劇烈的權力重組，而SK海力士正試圖從一名強力的組件供應商，進化為掌握核心整合技術的產(chǎn)業(yè)關鍵節(jié)點，。

編輯：芯智訊-林子