廣東
12月28日消息，據(jù)韓媒The Elec 媒體報道，存儲芯片大廠SK海力士的M15X 晶圓廠將比原定時間提前4個月投產(chǎn)。
報道援引消息人士透露，SK 海力士計劃2026年2月在M15X晶圓廠開始生產(chǎn)1b DRAM，這是用于其最新的高帶寬內(nèi)存（HBM4）的核心，相比其原本計劃的2026年6月投入晶圓生產(chǎn)提前了4個月。該晶圓廠初期月產(chǎn)能預(yù)計約1萬片，但預(yù)期到2026年底將擴增至5.5萬至6萬片。
在今年9月，SK海力士已經(jīng)成完成了HBM4客戶樣品制作，并供應(yīng)給英偉達(dá)進(jìn)行測試，目前正處于這個最終優(yōu)化階段、進(jìn)展順利。英偉達(dá)將向SK海力士訂購HBM4，以搭配其最新的Rubin AI 加速器。
此前資料顯示，SK海力士為興建M15X晶圓廠投入超過20萬億韓元，該廠位于M15附近，并專注于生產(chǎn)1b DRAM，用作HBM3E/HBM4的核心芯片。消息人士透露，M15X初期月產(chǎn)能為3.5萬片晶圓，未來預(yù)計可擴大至5.5萬至6萬片。
SK海力士自去年底開始為該廠預(yù)定設(shè)備，部分韓國利川廠區(qū)的DRAM員工也被調(diào)往該晶圓廠，以協(xié)助安裝設(shè)備并進(jìn)行量產(chǎn)準(zhǔn)備。M15X擁有比現(xiàn)有廠房更大的無塵室，因為HBM制程需要比傳統(tǒng)DRAM更高的空間與設(shè)備容量。
編輯：芯智訊-林子
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