（AI云資訊消息）韓國半導體工程師協(xié)會在《2026半導體技術路線圖》中公布了未來15年硅基半導體發(fā)展預測。三星近期剛剛宣布將于2026年推出全球首款2納米GAA架構芯片Exynos 2600，但預測顯示到2040年半導體電路將突破0.2納米，正式進入埃米（?）時代。要實現(xiàn)亞1納米晶圓的技術跨越，未來十余年間仍需攻克大量技術鴻溝與障礙。

韓媒報道指出，《2026半導體技術路線圖》旨在助力強化半導體長期技術與產業(yè)競爭力，激活學術研究體系，構建人才培養(yǎng)戰(zhàn)略。半導體工程師協(xié)會發(fā)布的路線圖涵蓋九大核心技術領域：半導體器件與制程、人工智能芯片、光連接芯片、無線連接芯片傳感器、有線連接芯片、功率集成電路、先進封裝以及量子計算。

目前最先進的制程技術當屬三星的2納米全環(huán)繞柵極技術，不過據(jù)稱三星已規(guī)劃了該制造工藝的升級版本。例如，三星已完成第二代2納米GAA節(jié)點的基礎設計，據(jù)報告將在兩年內應用其第三代2納米GAA技術SF2P+。預計到2040年，0.2納米工藝將采用新一代晶體管結構——互補場效應晶體管，并實現(xiàn)單片三維集成設計。

作為韓國下一代半導體制造領域的領軍企業(yè)，三星據(jù)稱已組建專項團隊啟動1納米芯片研發(fā)，并將2029年設定為量產目標。相關技術升級不僅將應用于移動系統(tǒng)芯片，同時將推動DRAM內存電路線寬從11納米縮減至6納米，而高帶寬內存預計將從12層堆疊、2TB/s帶寬提升至30層堆疊、128TB/s帶寬。

在NAND閃存領域，SK海力士已研發(fā)出321層QLC技術，而半導體技術進步將使QLC NAND實現(xiàn)2000層堆疊。最后，當前AI處理器雖已能達到每秒10萬億次運算，但報告指出十五年后或將出現(xiàn)具備每秒1000萬億次學習算力與每秒100萬億次推理算力的芯片。