前沿導讀

據(jù)美國媒體Tom‘s HardWare轉載英國《金融時報》報道稱，中國晶圓廠正在通過對現(xiàn)有的進口光刻機進行關鍵子系統(tǒng)的技術升級，以此來維持更高效的芯片制造工作。覆蓋的范圍大多都是來自于ASML的浸潤式設備，并且涉及到少部分NXT系列的先進光刻機。

EUV光刻機被美國管控多年，并且先進的浸潤式DUV光刻機不再被允許出口給中國工廠，中國企業(yè)便開始將目光放在對現(xiàn)有設備的升級上面。通過技術手段，優(yōu)化原本設備的疊加精度、穩(wěn)定性和芯片吞吐量，以此來延長設備的使用壽命，讓高額采購的設備帶來更高效的實質性回報。

設備限制

根據(jù)ASML官方財報顯示，中國大陸地區(qū)對ASML的設備需求已經(jīng)度過了高峰期，未來將會趨于平穩(wěn)。在EUV被持續(xù)封鎖的情況下，中國本土企業(yè)對于ASML舊設備的需求量開始激增。中國大陸市場曾一度給ASML貢獻了超40%的銷售規(guī)模，哪怕是在平穩(wěn)階段，中國大陸市場也占據(jù)了ASML總規(guī)模的20%，是僅次于中國臺灣地區(qū)的第二大客戶市場。

美國對荷蘭施壓，封鎖EUV光刻機的主要目的就是防止中國企業(yè)掌握先進芯片的制造能力。但是對于光刻制造來說，EUV雖然是首選的技術設備，但浸潤式DUV光刻機也可以通過多重曝光的技術方法制造7nm級別的先進芯片。

有鑒于此，中國企業(yè)在多年前就開始從ASML手中采購大量DUV光刻機，這些設備在當年符合美國以及荷蘭的出口許可，也給了中國企業(yè)囤積先進設備的窗口期。

但是自從華為發(fā)布了mate60系列產(chǎn)品之后，美國開始緊急對荷蘭政府施壓，撤銷了ASML部分設備的對華許可，緊急攔截了未交付的設備。

根據(jù)ASML 2023年全年財報表示，2023年向中國企業(yè)交付了大量光刻機，這些設備大多數(shù)都是在2022年下的訂單。從2024年1月份開始，中國敏感的芯片工廠將不會被允許獲得1970i及以上的浸潤式光刻機設備。

據(jù)技術機構的產(chǎn)業(yè)分析表示，雖然中國企業(yè)無法獲得先進的光刻機，但之前采購的設備數(shù)量已經(jīng)形成了一定的規(guī)模，這些設備是中國制造14nm—7nm芯片的核心設備。并且中國企業(yè)高度依賴進口設備和多重曝光技術來制造先進芯片，后續(xù)的設備維護工作是一個至關重要的因素。

設備優(yōu)化

根據(jù)現(xiàn)行的規(guī)則要求，ASML只被允許對中國工廠的光刻機進行基礎的維護工作，以保證這些設備正常運轉，不能對相關設備進行技術升級和技術優(yōu)化。而中國采購的光刻機所遇到的最大問題，就是多重曝光之后的精度誤差。

在制造成熟節(jié)點芯片的過程中，適當?shù)木日`差可用被容忍，但是在先進芯片的制造當中，每增加一層曝光次數(shù)，都會導致新光刻層和先前曝光層出現(xiàn)一定程度的誤差，這些誤差疊加起來，將會直接影響制造芯片的效率，甚至是影響經(jīng)濟利益。

根據(jù)ASML官方資料顯示，晶圓級別的精度數(shù)據(jù)，與設備的定位系統(tǒng)、震動、熱漂移有直接關系。光刻機屬于工業(yè)化機械設備，長時間的工作會對內(nèi)部的零部件造成磨損老化，從而影響對準精度和制造效率。解決這個問題最有效的方法，就是定期更換零部件。

即便不升級設備的曝光波長和光圈數(shù)值，通過更換更好的傳感器以及相關耗材，也可以提高多重曝光的對準精度，提升光刻機制造芯片的效率，大幅度減少廢棄的晶圓數(shù)量。

采用DUV+多重曝光技術制造7nm芯片，其成本、良品率、能效均落后于EUV設備。但是在美國出口管制的前提下，這種方法所產(chǎn)生的負面代價對于中國芯片產(chǎn)業(yè)來說是值得的。

2024年，美國最新的BIS規(guī)則收緊了對半導體設備零部件、軟件、售后服務的多種管制措施。這些政策的目的明確，限制中國現(xiàn)有設備的技術維護業(yè)務，從而讓中國工廠的設備因缺少應有的技術服務而陷入宕機。

不過該政策執(zhí)行起來的效果甚微，光刻機的許多零部件依賴于全球產(chǎn)業(yè)鏈，并且這些零部件企業(yè)并沒有使用美國技術，美國無法通過長臂管轄的方法讓其對中國實施技術限制。況且中國工廠當中還有大量曾經(jīng)采購的備用零部件，這些零部件都為中國開發(fā)自主設備創(chuàng)造了時間條件。