前言

充電頭網(wǎng)采購(gòu)到了雙木三林推出的一款氮化鎵功率放大器，這款功放型號(hào)為PA200，采用全鋁合金外殼，設(shè)有顯示屏和功能旋鈕，并附帶紅外線遙控器，便于調(diào)節(jié)音量。功放背面設(shè)有音頻輸入插座，喇叭輸出和電源輸入插座，正面干凈清爽。

雙木三林這款氮化鎵功率放大器內(nèi)置大功率專用開關(guān)電源，內(nèi)置英飛凌氮化鎵功率管，并設(shè)有過熱和過流保護(hù)電路，支持單聲道橋接模式和立體聲模式。單聲道模式下8Ω負(fù)載具備250Wrms功率，立體聲模式下8Ω負(fù)載具備85Wrms功率。

氮化鎵器件相比傳統(tǒng)硅器件提升開關(guān)速度，減小死區(qū)時(shí)間，提升數(shù)字功放的調(diào)制頻率。相比傳統(tǒng)的硅器件，氮化鎵數(shù)字功放可以獲得更低的失真度，更寬的頻率響應(yīng)和更高的動(dòng)態(tài)范圍。下面就帶來(lái)雙木山三林這款氮化鎵功放的拆解，一起看看內(nèi)部的設(shè)計(jì)和用料。

雙木三林PA200氮化鎵功率放大器開箱

雙木三林氮化鎵功率放大器采用紙盒包裝，包裝印有品牌標(biāo)識(shí)，型號(hào)和產(chǎn)品外觀圖。

配件包含電源線，說明書，保修卡和遙控器。

機(jī)身正面左側(cè)設(shè)有顯示屏，中間設(shè)有音量調(diào)節(jié)旋鈕。

背面設(shè)有線路輸入接口，XLR接口，功放輸出接線柱和電源輸入插座。

機(jī)身底部設(shè)有蓋板，通過螺絲固定。

機(jī)身底部腳墊采用橡膠材質(zhì)，防止滑動(dòng)。

雙木三林PA200氮化鎵功率放大器拆解

看完了雙木山三林這款氮化鎵功放的開箱，下面就進(jìn)行拆解，一起看看內(nèi)部的設(shè)計(jì)和用料。

擰下固定螺絲，拆下機(jī)身底部蓋板。機(jī)身內(nèi)部通過殼體分為兩個(gè)部分，分別為開關(guān)電源模塊和功放模塊。

殼體整體通過CNC加工制成，內(nèi)部設(shè)有隔板用于開關(guān)電源模塊和功放模塊隔離。

顯示屏幕通過小板連接。

電源插座通過膠水固定在殼體內(nèi)部。

開關(guān)電源模塊設(shè)有麥拉片絕緣。

開關(guān)電源模塊正面一覽，上方為交流輸入端，設(shè)有保險(xiǎn)絲，安規(guī)X2電容，共模電感，散熱片為初級(jí)開關(guān)管和整流橋散熱，內(nèi)部設(shè)有高壓濾波電容。下方設(shè)有變壓器，整流管，濾波電容，濾波電感和輸出插座。

開關(guān)電源模塊背面設(shè)有主控芯片，二極管，反饋光耦和電阻電容元件。

輸入端保險(xiǎn)絲來(lái)自功德，規(guī)格為6.3A 250V。

NTC熱敏電阻來(lái)自時(shí)恒電子，為MF72系列，絲印3D11，用于抑制上電的浪涌電流。

安規(guī)X2電容來(lái)自圣融達(dá)，規(guī)格為0.22μF。

共模電感采用漆包線繞制，散熱片下方設(shè)有安規(guī)X2電容。

散熱片下方設(shè)有整流橋，共模電感和高壓濾波電容。

另一顆共模電感同樣采用漆包線繞制。

整流橋型號(hào)KBJ6MA，規(guī)格為6A 1000V，采用KBJ封裝。

焊接取下高壓濾波電容。

高壓濾波電容為JML品牌。

規(guī)格為120μF400V。

初級(jí)主控芯片來(lái)自昂寶，型號(hào)OB2362D，是一顆高性能的反激開關(guān)電源控制器，芯片支持多模式運(yùn)行，具備全面完善的保護(hù)功能，采用SOT23-6封裝，適用于電源適配器應(yīng)用。

為主控芯片供電的濾波電容規(guī)格為10μF50V。

散熱片固定初級(jí)開關(guān)管。

初級(jí)開關(guān)管來(lái)自威谷，型號(hào)WGF65R190G，NMOS，耐壓650V，導(dǎo)阻165mΩ，采用TO-220F封裝。

變壓器采用PQ3220磁芯，纏繞膠帶絕緣。

藍(lán)色Y電容來(lái)自皓華電子。

億光 EL817 光耦用于輸出電壓反饋。

整流管來(lái)自華微電子，型號(hào)HBR20200，為肖特基二極管，規(guī)格為20A 200V，采用TO-220HF封裝。

輸出端設(shè)有濾波電容和濾波電感。

濾波電容來(lái)自承興。

規(guī)格為1000μF50V，使用兩顆濾波。

兩顆綠色LED燈用于電源指示。

功放模塊正面一覽，左上角設(shè)有音頻輸入插座，下方設(shè)有切換繼電器，運(yùn)放，數(shù)字電位器和穩(wěn)壓芯片。中間位置設(shè)有氮化鎵功放模塊，功放模塊中間和下方設(shè)有濾波電容。底部設(shè)有主控MCU和USB-C插座。

功放模塊右側(cè)上方設(shè)有輸出插座，輸出濾波電感，濾波電容和MOS管。右側(cè)中間位置設(shè)有電源連接插座，右側(cè)下方設(shè)有屏幕連接插座。

功放模塊背面設(shè)有鋁合金塊導(dǎo)熱，通過螺絲固定。

拆下氮化鎵功放模塊，在模塊背面設(shè)有鋁合金塊和導(dǎo)熱墊，通過螺絲固定，并通過插接件連接。

鋁合金塊涂有導(dǎo)熱硅脂連接到殼體導(dǎo)熱。

主控MCU來(lái)自靈動(dòng)微，型號(hào)MM32F103VET6，芯片內(nèi)置ARM Cortex-M3內(nèi)核，主頻96MHz，內(nèi)置512KB FLASH和128KB SRAM，支持2.0~5.5V工作電壓，具備8個(gè)UART接口，2個(gè)I2C接口，3個(gè)SPI接口，1個(gè)CAN接口，1個(gè)USB OTG接口和1個(gè)SDIO接口，采用LQFP100封裝。

MCU外置8.000MHz時(shí)鐘晶振特寫。

串口轉(zhuǎn)換芯片來(lái)自沁恒，型號(hào)CH340E，用于USB轉(zhuǎn)換串口或USB轉(zhuǎn)換打印口，具備全速USB設(shè)備接口，兼容USB V2.0，支持5V和3.3V電源電壓，采用MSOP10封裝。

穩(wěn)壓芯片來(lái)自微盟，絲印VAUD，采用SOT23封裝。

主板上設(shè)有USB-C母座，過孔焊接固定。

降壓芯片來(lái)自顧邦半導(dǎo)體，型號(hào)GBI1600，是一顆4-60V輸入電壓的非同步降壓轉(zhuǎn)換器，芯片內(nèi)置開關(guān)管，支持1A輸出電流，開關(guān)頻率為600kHz，具備欠壓保護(hù)，過熱保護(hù)，逐周期電流保護(hù)，采用TSOT23-6L封裝。

100μH降壓電感特寫。

濾波電容規(guī)格為100μF16V。

另一顆降壓芯片同樣為顧邦半導(dǎo)體GBI1600。

100μH降壓電感特寫。

兩顆穩(wěn)壓芯片來(lái)自長(zhǎng)晶科技，型號(hào)CJ78L12，支持35V輸入電壓，輸出電壓12V，輸出電流100mA，采用SOT-89-3L封裝。

升壓芯片來(lái)自首鼎，型號(hào)SDB628，芯片內(nèi)部集成80mΩ開關(guān)管，支持2-24V輸入電壓，開關(guān)頻率為1.2MHz，輸出電壓可調(diào)，最高輸出電壓為28V，采用SOT23-6封裝。

10μH升壓電感特寫。

濾波電容規(guī)格為220μF16V。

兩顆穩(wěn)壓芯片型號(hào)被打磨。

濾波電容規(guī)格為470μF10V。

運(yùn)放來(lái)自日清紡，型號(hào)NJM2068D，為低噪聲雙運(yùn)放，支持±4~±18V工作電壓，采用DIP8封裝。

電解電容來(lái)自紅寶石，規(guī)格為35V47μF，共計(jì)4顆。

切換繼電器來(lái)自宏發(fā)，型號(hào)HFD4/3-S，為超小型第四代信號(hào)繼電器，觸點(diǎn)切換能力為2A 30VDC，為標(biāo)準(zhǔn)表面貼裝型。

另一顆繼電器型號(hào)相同。

數(shù)字電位器芯片來(lái)自德州儀器，型號(hào)PGA2311，是一顆高性能立體聲音量控制芯片，內(nèi)部采用高性能運(yùn)算放大器，可直接驅(qū)動(dòng)660Ω負(fù)載，具備三線串行控制接口，采用SOIC-16封裝。

濾波電容來(lái)自紅寶石，規(guī)格為50V470μF，共使用8顆。

氮化鎵功放模塊正面設(shè)有運(yùn)放，驅(qū)動(dòng)器和氮化鎵功率管。

背面焊接連接排針，并設(shè)有電解電容濾波。氮化鎵開關(guān)管設(shè)有過孔焊盤散熱。

運(yùn)放來(lái)自亞德諾，型號(hào)AD825，是一顆通用高速JFET放大器，支持±5~15V供電電壓，壓擺率為125V/μs，具備高輸出驅(qū)動(dòng)能力，采用SOIC8封裝。

微調(diào)電位器特寫。

濾波電容規(guī)格為50V10μF。

驅(qū)動(dòng)器來(lái)自英飛凌，型號(hào)IRS20957S，是一顆高壓，高速M(fèi)OS驅(qū)動(dòng)器，具備浮動(dòng)PWM輸入，開關(guān)頻率可達(dá)800kHz，支持±100V供電電壓，具備高抗噪性，具備雙重過流和直通保護(hù)，以及偏置電源欠壓閉鎖保護(hù)，采用SOIC16封裝。

MLCC電容用于供電濾波。

氮化鎵開關(guān)管來(lái)自英飛凌，型號(hào)IGT60R070D1，為增強(qiáng)型氮化鎵開關(guān)管，耐壓600V，導(dǎo)阻70mΩ，采用HSOF-8-3封裝。

對(duì)應(yīng)氮化鎵功放模塊下方設(shè)有導(dǎo)熱墊和散熱塊，并通過螺絲固定。

濾波電感來(lái)自相模，采用無(wú)氧銅線繞制，規(guī)格為22μH。

薄膜電容規(guī)格為0.22μF63V。

薄膜電容來(lái)自飛爾可，規(guī)格為0.22μF。

用于輸出控制的MOS管來(lái)自微碩，型號(hào)WSP6946，為雙NMOS，耐壓60V，導(dǎo)阻33mΩ，采用SOP-8封裝。

絲印K4N的雙三極管特寫。

濾波電容規(guī)格分別為220μF16V和330μF10V。

用于工作指示的貼片LED特寫。

XLR輸入接口特寫。

全部拆解一覽，來(lái)張全家福。

充電頭網(wǎng)拆解總結(jié)

最后附上雙木三林PA200氮化鎵功放的核心器件清單，方便大家查閱。

雙木三林氮化鎵功率放大器采用一體式鋁合金外殼，前面板設(shè)有顯示屏和功能旋鈕，機(jī)身背面設(shè)有音頻輸入插座，揚(yáng)聲器輸出接口和電源輸入插座?？膳c家族產(chǎn)品垂直擺放，具備良好的一致性。功放支持100-240V寬電壓輸入，具備單聲道橋接模式和立體聲模式。

充電頭網(wǎng)通過拆解了解到，這款氮化鎵功率放大器內(nèi)部采用開關(guān)電源模塊和氮化鎵功放模塊組成，開關(guān)電源使用兩路昂寶OB2362D電源芯片，搭配威谷WGF65R190G開關(guān)管和華微電子HBR20200整流管，組成正負(fù)供電的電源模塊為氮化鎵功放模塊供電。

氮化鎵功放模塊使用英飛凌IGT60R070D1氮化鎵開關(guān)管，搭配使用英飛凌IRS20957S驅(qū)動(dòng)器，使用亞德諾半導(dǎo)體AD825運(yùn)放進(jìn)行放大。主控MCU采用靈動(dòng)微MM32F103VET6，數(shù)字電位器采用德州儀器PGA2311，并使用日清紡NJM2068D運(yùn)放進(jìn)行前置放大。

雙木三林功放內(nèi)部對(duì)應(yīng)氮化鎵功放小板底部，設(shè)有導(dǎo)熱墊和鋁合金塊導(dǎo)熱到殼體被動(dòng)散熱，內(nèi)部電源模塊與功放模塊設(shè)有隔板抑制干擾，并設(shè)有宏發(fā)繼電器用于音頻信號(hào)切換，功放整體做工扎實(shí)，用料可靠。