最近一段時間，內(nèi)存價格暴漲，不僅影響PC行業(yè)，智能手機行業(yè)也受到嚴重沖擊，成本和價格大幅上漲，引發(fā)了很多消費者的不滿和擔憂。

這主要是由于AI領(lǐng)域的市場需求強勁，全球主流存儲廠商將產(chǎn)能優(yōu)先轉(zhuǎn)向高帶寬內(nèi)存（HBM）以滿足AI加速器需求全球消費級 DRAM 和 NAND 市場正面臨結(jié)構(gòu)性供給失衡所導致的。

那么，這一波內(nèi)存短缺什么時候才能得到有效緩解？未來一兩年的情況如何？近日，十銓科技（TeamGroup）總經(jīng)理陳柏儒對此發(fā)表了自己的看法，非常有參考價值。

陳柏儒透露，12月份DRAM和3D NAND的合約價環(huán)比漲幅高達 80%-100%，現(xiàn)貨市場走勢類似。

具體而言，16GB DDR5芯片現(xiàn)貨均價從9月20日的6.84美元飆升至11月19日的24.83美元，并于12月1日進一步上漲至27.2美元，這還不是當天交易的最高價格，當日交易區(qū)間為19美元至37美元。

最終的結(jié)果是，現(xiàn)在一個16GB DDR5內(nèi)存的顆粒成本約為217.6 美元，再加上PCB板、組裝測試、電源管理芯片（PMIC）等 8-10 美元額外費用，不含物流、稅費及廠商溢價，總成本已攀升至 225-228美元。

有鑒于此，陳柏儒警告，一旦分銷渠道庫存耗盡，2026年第一、二季度DRAM與NAND供應短缺的問題將更加嚴峻，甚至有可能會出現(xiàn)有價無市的情況。

那么，這種局面什么時候能得到緩解呢？陳柏儒的看法是不會早于 2027年底，甚至可能延至2028年。

因為現(xiàn)階段主流DRAM廠商（三星、海力士和鎂光等）已將晶圓產(chǎn)能轉(zhuǎn)向HBM生產(chǎn)，后者晶粒尺寸更大，主要服務于英偉達B300 等AI加速器，以及亞馬遜云科技（AWS）、谷歌、微軟等云巨頭的定制芯片， 這些大客戶往往提前數(shù)年鎖定供貨，擠壓了消費級 DDR/LPDDR 的產(chǎn)能空間。

DRAM廠商會優(yōu)先保障AI服務器客戶，預計2026年產(chǎn)能不會回流至 PC 或手機等領(lǐng)域。 另外一方面，新建晶圓廠周期漫長，一座全新內(nèi)存廠至少需3年建成，即使三星等廠商，現(xiàn)在開始新建工廠，最早也要至2028年底投產(chǎn)，2029年方能滿負荷。

因此，總的來看，陳柏儒預測2028年左右可以獲得緩解仍然是偏樂觀的，未來仍然存在諸多不確定性因素。綜上所述，消費級內(nèi)存供應緊張的問題在未來兩年之內(nèi)很難得到緩解，將維持高位，指望短期內(nèi)降價是不可能的。

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