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11月28日消息，據(jù)報(bào)道，三星電子先進(jìn)技術(shù)研究院（SAIT）的研究人員率先在全球范圍內(nèi)發(fā)現(xiàn)了一種機(jī)制，可將現(xiàn)有NAND閃存的功耗降低高達(dá)96%，有望為解決人工智能（AI）時(shí)代的電力危機(jī)做出貢獻(xiàn)。

三星電子宣布，由SAIT和半導(dǎo)體研究所的34位研究人員共同撰寫的題為“用于低功耗NAND閃存的鐵電晶體管”的論文已發(fā)表在著名學(xué)術(shù)期刊《自然》上。

這項(xiàng)研究代表了一項(xiàng)基礎(chǔ)性技術(shù)，它首次在全球范圍內(nèi)發(fā)現(xiàn)一種核心機(jī)制，與現(xiàn)有技術(shù)相比，利用鐵電材料可將功耗降低高達(dá)96%。

這項(xiàng)研究是SAIT和半導(dǎo)體研究所34位研究人員的獨(dú)立研發(fā)成果，他們共同撰寫了該論文。SAIT公布的研究證實(shí)，通過結(jié)合鐵電材料和氧化物半導(dǎo)體材料的NAND閃存結(jié)構(gòu)，與現(xiàn)有技術(shù)相比，在單元串操作（NAND閃存中單元串聯(lián)的結(jié)構(gòu)）中，功耗最多可降低96%。

現(xiàn)有的NAND閃存通過向單元注入電子來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，為了增加存儲(chǔ)容量，必須增加單元（堆疊層）的數(shù)量。然而，由于NAND閃存的結(jié)構(gòu)特性，信號(hào)需要依次通過串聯(lián)的單元進(jìn)行傳輸，因此隨著堆疊層的增加，所需的電壓也會(huì)升高，從而導(dǎo)致讀寫功耗增加。

因此，下一代NAND閃存的研究利用了鐵電材料的特性，這種材料可以通過自發(fā)改變極化來存儲(chǔ)信息，而無需向單元注入電子。然而，容量增加和功耗降低之間的權(quán)衡關(guān)系仍然沒有得到解決。

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