2025年下半年以來，全球內(nèi)存市場的漲價潮愈演愈烈，DDR5高性能存儲芯片現(xiàn)貨價格一周內(nèi)飆升25%，三星、SK海力士等原廠甚至一度暫停報價；服務(wù)器DRAM報價第四季度已累計上漲近70%。

這場席卷產(chǎn)業(yè)鏈的內(nèi)存價格風(fēng)暴，背后不僅是供需失衡的短期波動，更標(biāo)志著一個行業(yè)新格局的到來：內(nèi)存制造商正從產(chǎn)業(yè)鏈配角成為主角之一，其產(chǎn)能布局與技術(shù)路線的選擇，或?qū)⒂绊懳磥硖幚砥鞯倪x型規(guī)則。

回顧兩年前，設(shè)備制造商還在享受低價內(nèi)存帶來的成本紅利，彼時充足的供應(yīng)讓DDR4等成熟產(chǎn)品成為市場主流，處理器廠商的技術(shù)迭代節(jié)奏主導(dǎo)著終端產(chǎn)品的升級方向。但從2025年開始，形勢逆轉(zhuǎn)，內(nèi)存制造商紛紛收緊NAND閃存和DRAM的傳統(tǒng)產(chǎn)能，將資源轉(zhuǎn)向高帶寬內(nèi)存（HBM）等新一代產(chǎn)品。

這一轉(zhuǎn)變并非突發(fā)，而是行業(yè)長期演化的必然——DRAM行業(yè)已從20世紀(jì)90年代逾17家廠商競爭的格局，整合為三星、SK海力士、美光三大巨頭主導(dǎo)的市場，高額的技術(shù)研發(fā)與廠房建設(shè)投入，讓頭部企業(yè)擁有了左右市場走向的話語權(quán)。

內(nèi)存行業(yè)的結(jié)構(gòu)性變革，核心驅(qū)動力來自AI產(chǎn)業(yè)的爆發(fā)式增長。Meta計劃2025年底前部署130萬塊GPU，微軟兩年內(nèi)將數(shù)據(jù)中心規(guī)模擴大一倍，谷歌、亞馬遜等科技巨頭的年度資本支出均突破千億級別，這場“算力軍備競賽”直接催生了對高端內(nèi)存的極致需求。單臺AI服務(wù)器的DRAM搭載量是普通服務(wù)器的8倍，NAND需求也達到3倍。相比之下，傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品利潤微薄，無法匹配頭部廠商的戰(zhàn)略訴求，這使得三星、SK海力士等企業(yè)紛紛將現(xiàn)有生產(chǎn)線改造為HBM和DDR5等高附加值產(chǎn)品生產(chǎn)線，直接擠壓了DDR4等成熟產(chǎn)品的產(chǎn)能空間。

盡管目前HBM的比特產(chǎn)量占行業(yè)總量不足10%，卻貢獻了三分之一的總銷售額，SK海力士的HBM業(yè)務(wù)在DRAM總銷售額中占比已達40%，其HBM4單價更是高達560美元，較前代產(chǎn)品上漲50%以上。高額利潤吸引著頭部廠商持續(xù)加碼，計劃到2030年，幾乎所有新建工廠都將專注于HBM生產(chǎn)。這種產(chǎn)能傾斜帶來的直接影響是傳統(tǒng)內(nèi)存供應(yīng)收縮，預(yù)計到2027年，DDR4和LPDDR4的晶圓產(chǎn)量將下降90%，而DDR3已在2025年底逐步停產(chǎn)，僅12個月后，DDR4組件的供應(yīng)也將宣告進入收尾階段。

內(nèi)存市場的劇變正向上游處理器行業(yè)傳導(dǎo)，形成“內(nèi)存定方向，處理器跟節(jié)奏”的新邏輯。以往，芯片制造商的技術(shù)迭代主導(dǎo)著終端產(chǎn)品設(shè)計，但如今若沒有適配的內(nèi)存支持，再好的處理器方案也難以落地。

2025年下半年，已有多家PC品牌和系統(tǒng)集成商遭遇內(nèi)存斷供風(fēng)險，華碩等頭部廠商明確表示，當(dāng)前內(nèi)存庫存僅能支撐兩個月生產(chǎn)，2026年起將直面短缺壓力。這種供應(yīng)緊張迫使芯片企業(yè)調(diào)整產(chǎn)品路線圖，原本計劃長期支持的DDR4適配方案被迫提前收縮，轉(zhuǎn)而加速推進DDR5兼容產(chǎn)品的研發(fā)，而部分依賴DDR3的老舊設(shè)備則面臨無米下鍋的困境。

產(chǎn)業(yè)鏈的連鎖反應(yīng)已全面蔓延至終端市場。在日本秋葉原，PC SHOP Ark、TSUKUMO等商店紛紛出臺限購措施，限制每位顧客最多購買四條內(nèi)存或兩塊SSD，未限購店鋪則出現(xiàn)消費者搶購甚至整盒掃貨的現(xiàn)象。對于工業(yè)制造商而言，依賴主流內(nèi)存巨頭供應(yīng)DDR4的老路已走不通，南亞科和華邦電子等二線廠商雖計劃擴產(chǎn)，但要到2026年底才能完全滿足市場需求，短期內(nèi)只能轉(zhuǎn)向智微內(nèi)存等專業(yè)供應(yīng)商尋求支撐。

值得注意的是，內(nèi)存行業(yè)的周期性波動與產(chǎn)能擴張的滯后性，讓這場供應(yīng)緊張難以在短期內(nèi)緩解。建設(shè)一座全新的DRAM晶圓廠需要投入百億美元級資金，且建設(shè)周期長達2-4年，即便現(xiàn)在啟動項目，也需等到2028年后才能形成有效產(chǎn)能。美光位于紐約州的晶圓廠項目已多次延期，預(yù)計投產(chǎn)時間推遲至2030年底，反映出廠商對長期產(chǎn)能規(guī)劃的審慎。而HBM生產(chǎn)對產(chǎn)能的消耗遠超傳統(tǒng)內(nèi)存，達到同等芯片密度需消耗三倍晶圓，這種產(chǎn)能占用進一步壓縮了消費級產(chǎn)品的供應(yīng)空間。

從行業(yè)發(fā)展趨勢來看，內(nèi)存主導(dǎo)處理器選型的格局或?qū)㈤L期延續(xù)。AI產(chǎn)業(yè)的持續(xù)升溫將繼續(xù)推高高端內(nèi)存需求，頭部廠商的產(chǎn)能傾斜不會輕易改變，DDR5和HBM將逐步成為市場主流，而DDR4等產(chǎn)品將僅在特定領(lǐng)域維持供應(yīng)。對于產(chǎn)業(yè)鏈各方而言，適應(yīng)這一變化已成為當(dāng)務(wù)之急：芯片制造商需加強與內(nèi)存廠商的協(xié)同研發(fā)，提前布局適配新一代內(nèi)存的處理器方案；終端企業(yè)需優(yōu)化采購策略，構(gòu)建多元化供應(yīng)鏈。

當(dāng)AI、大數(shù)據(jù)等技術(shù)對存儲性能的要求達到新高度，內(nèi)存不再是被動適配處理器的附屬組件，而是成為決定終端產(chǎn)品體驗和行業(yè)技術(shù)走向的核心力量。在這場變革中，能夠快速適應(yīng)新規(guī)則、實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同的企業(yè)，將在未來的市場競爭中占據(jù)先機，而整個科技產(chǎn)業(yè)也將在這種重構(gòu)中，邁向更高效、更智能的發(fā)展階段。