6月9日，中微公司（688012）在投資者關(guān)系互動(dòng)平臺(tái)上，針對投資者關(guān)心的前沿技術(shù)布局與發(fā)展戰(zhàn)略問題作出積極回應(yīng)，釋放出其在高帶寬內(nèi)存（HBM）及先進(jìn)封裝領(lǐng)域全面發(fā)力的信號。

有投資者提問，中微公司的TSV（硅通孔）蝕刻設(shè)備是否可應(yīng)用于HBM高帶寬存儲(chǔ)芯片的制造流程？對此，公司董秘明確表示，目前中微公司在先進(jìn)封裝領(lǐng)域，尤其是涵蓋HBM工藝的相關(guān)制程設(shè)備方面已全面布局，產(chǎn)品包括刻蝕、CVD（化學(xué)氣相沉積）、PVD（物理氣相沉積）及晶圓量測檢測設(shè)備，且公司已正式發(fā)布了CCP刻蝕系統(tǒng)以及TSV深硅通孔設(shè)備。這表明中微正積極推動(dòng)相關(guān)產(chǎn)品在高性能AI芯片封裝等新興應(yīng)用場景中的落地。

HBM被視為支撐AI與高性能計(jì)算發(fā)展的關(guān)鍵內(nèi)存技術(shù)，其通過3D封裝技術(shù)堆疊多層DRAM，并借助TSV實(shí)現(xiàn)高速互聯(lián)，對芯片制造與封裝設(shè)備提出了更高要求。中微在該領(lǐng)域的快速布局，也預(yù)示著其技術(shù)與市場策略正在緊密圍繞下一代算力基礎(chǔ)設(shè)施展開。

面對另一位投資者關(guān)于“是否專門研發(fā)HBM相關(guān)制程設(shè)備”的提問，中微公司再次強(qiáng)調(diào)，其在先進(jìn)封裝領(lǐng)域的設(shè)備覆蓋范圍廣泛，已囊括HBM相關(guān)制程所需的核心設(shè)備類型。尤其是TSV深孔蝕刻技術(shù)方面，中微通過自研實(shí)現(xiàn)了技術(shù)突破，具備了支撐量產(chǎn)需求的能力，未來有望在HBM產(chǎn)業(yè)鏈中發(fā)揮關(guān)鍵作用。

針對有投資者提出“建議公司并購?fù)厍G科技”的想法，中微公司也作出回應(yīng)，稱公司將堅(jiān)持與上下游合作伙伴共同發(fā)展，繼續(xù)推進(jìn)“三維發(fā)展戰(zhàn)略”：一是持續(xù)深耕集成電路關(guān)鍵設(shè)備領(lǐng)域；二是積極拓展在泛半導(dǎo)體領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備應(yīng)用；三是探索新興技術(shù)與場景下的增長機(jī)會(huì)。通過高效協(xié)同與戰(zhàn)略合作，公司將確保在當(dāng)前全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局下實(shí)現(xiàn)“高速、穩(wěn)定、安全、健康”的可持續(xù)發(fā)展。

目前，中微公司作為國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備龍頭之一，在刻蝕、薄膜沉積、量測等多個(gè)技術(shù)方向不斷取得突破，其先進(jìn)封裝設(shè)備也逐漸進(jìn)入AI芯片、HBM存儲(chǔ)芯片等高門檻領(lǐng)域。隨著AI時(shí)代算力需求的爆發(fā)，HBM市場前景廣闊，而中微在該領(lǐng)域的持續(xù)投入與技術(shù)積累，或?qū)⒃谙乱浑A段成為其增長新引擎。